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隨著人們對閃爍晶體材料進(jìn)一步深入的研究和科技的發(fā)展，閃爍晶體材料一般可用于X射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測。經(jīng)過100多年的發(fā)展，以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。閃爍晶體可以發(fā)出透明的熒光，在高能射線或其他放射性粒子通過時(shí)，會(huì)發(fā)出閃爍光，該種材料可以應(yīng)用在射線、中子、高能粒子的探測中，經(jīng)過了百年的發(fā)展，閃爍晶體材料已經(jīng)在安全檢查、高能物理、核醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域得到推廣。通常應(yīng)用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來的。河南雙摻CeYAG晶體性能發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻?qū)?huì)導(dǎo)致探測元件閃爍性能的差異，在一...

隨著核物理和高能物理的發(fā)展，出現(xiàn)了一個(gè)必須解決的問題，那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個(gè)問題，世界上正在建造能量不斷增加的大型對撞機(jī)和加速器。這些裝置上用來測量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針稱為電磁量熱儀，閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例如，美國斯坦福線性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進(jìn)行Babar和BELLE實(shí)驗(yàn)、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進(jìn)行CMS實(shí)驗(yàn)等。表1-3列出了近年來世界上重要高能物理實(shí)驗(yàn)中使用的無機(jī)閃爍晶體[27][28]。表1-3近年來設(shè)計(jì)的晶體量熱儀中使用的無機(jī)閃爍晶體。無機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半...

釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料，例如，Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、**醫(yī)療、以及科研等領(lǐng)域。特別是近二十年來，隨著LD泵浦固體激光器的迅猛發(fā)展，國際上對Yb:YAG激光晶體又掀起研究高潮，出現(xiàn)了大量的文獻(xiàn)報(bào)道。早期為了發(fā)展可調(diào)諧激光晶體，人們研究了Ce:YAG晶體的光學(xué)特性，由于存在嚴(yán)重的激發(fā)態(tài)吸收，使得Ce:YAG的研究停滯不前[。盡管1967年，Blasse已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Ce:YAG熒光粉[98]具有優(yōu)良的閃爍性能，但是對其單晶的研究并沒有受到足夠的重視。在行李安檢、集裝箱檢查、環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域，閃爍晶體都發(fā)揮著不可替代的...

從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。然而，用提拉法很難獲得大尺寸、高質(zhì)量的Ce:YAG閃爍晶體。一方面，提拉法生長的晶體尺寸直接受到所用銥坩堝尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)離子的半徑相差較大，且Ce離子在YAG晶體中的偏析系數(shù)很小(~ 0.1)，在提拉法生長后期往往會(huì)發(fā)生成分過冷，嚴(yán)重影響Ce:YAG晶體的質(zhì)量。為了克服提拉法生長的大尺寸、高質(zhì)量的碳：釔鋁石榴石閃爍晶體的缺點(diǎn)，我們第1次用溫度梯度法(TGT)成功地生長了一種三英寸的碳：釔鋁石榴石高溫閃爍晶體超薄片CeYAG晶體訂做價(jià)格研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對...

隨著核科學(xué)技術(shù)，和其他相關(guān)技術(shù)的快速發(fā)展，無機(jī)閃爍體的應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大。同時(shí)，不同的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)o機(jī)閃爍體提出了越來越高的要求。研究和開發(fā)高光輸出快速衰減的無機(jī)閃爍晶體具有重要的科學(xué)研究意義和巨大的經(jīng)濟(jì)效益。因此，近年來，尋找高光輸出快速衰減的無機(jī)閃爍晶體成為國內(nèi)外物理學(xué)家和材料科學(xué)家的研究熱點(diǎn)之一。不同的應(yīng)用對無機(jī)閃爍晶體有不同的要求。例如，在高能物理(HEP)或中能物理(IEP)實(shí)驗(yàn)中，光輸出并不重要，但它要求晶體具有更快的時(shí)間衰減、更大的原子序數(shù)和密度等。然而，在PET等應(yīng)用中，要求閃爍晶體具有高光輸出、快速衰減和高密度。CeYAG晶體發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設(shè)備有...

深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機(jī)閃爍晶體。無機(jī)閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心，其能量轉(zhuǎn)移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對。同時(shí)，電子-空穴對在與晶格相互作用時(shí)也會(huì)產(chǎn)生自陷，比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心，這個(gè)Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機(jī)制中起著重要作用。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點(diǎn)。湖南白光LED用CeYA...

CeYAG晶體的良好的溫度機(jī)械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。在電子或者離子轟擊下CeYAG晶體不產(chǎn)生損傷，適合應(yīng)用于高電流環(huán)境。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管進(jìn)行發(fā)射探測。在5KV之內(nèi)以及超過100KV的更高加速電壓下，CeYAG晶體具有更好的響應(yīng)，在該環(huán)境下粉末閃爍體性能開始下降，而CeYAG晶體的相應(yīng)仍然保持線性增加。盡管CeYAG晶體的信號比P47弱，但是信噪比高，終端信號更好。CeYAG晶體的衰減時(shí)間為60ns。使用中為了避免光敏感，通常需要鍍50nm的鋁膜。CeYAG晶體，提拉法和溫梯法生長，直徑110mm，厚度0.15...

什么是閃爍晶體？對于閃爍晶體你了解得多嗎？快和小編一起來看看下文的一些介紹吧，閃爍晶體，就是當(dāng)高能粒子射線照射到晶體上時(shí)，在晶體中能發(fā)出一定波長的閃爍熒光。經(jīng)光電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電子設(shè)備，可確定粒子的能量。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，閃爍材料的應(yīng)用范圍隨之?dāng)U大，對閃爍晶體的綜合性能要求也 越來越高，進(jìn)一步生長具有高密度、優(yōu)良光學(xué)均勻性、強(qiáng)高能粒子阻止本領(lǐng)、高光產(chǎn)額、快衰 減、高穩(wěn)定性、低成本等綜合性能優(yōu)異的閃爍晶體仍是閃爍材料研究的重點(diǎn)。通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強(qiáng)度從零瞬開始增加，并達(dá)到比較大值I0(t=0)。江蘇國產(chǎn)CeYAG晶體材料和小編來看看CeYAG晶體的知識的一些相關(guān)介紹，CeYAG晶體具有優(yōu)...

隨著核科學(xué)技術(shù)，和其他相關(guān)技術(shù)的快速發(fā)展，無機(jī)閃爍體的應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大。同時(shí)，不同的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)o機(jī)閃爍體提出了越來越高的要求。研究和開發(fā)高光輸出快速衰減的無機(jī)閃爍晶體具有重要的科學(xué)研究意義和巨大的經(jīng)濟(jì)效益。因此，近年來，尋找高光輸出快速衰減的無機(jī)閃爍晶體成為國內(nèi)外物理學(xué)家和材料科學(xué)家的研究熱點(diǎn)之一。不同的應(yīng)用對無機(jī)閃爍晶體有不同的要求。例如，在高能物理(HEP)或中能物理(IEP)實(shí)驗(yàn)中，光輸出并不重要，但它要求晶體具有更快的時(shí)間衰減、更大的原子序數(shù)和密度等。然而，在PET等應(yīng)用中，要求閃爍晶體具有高光輸出、快速衰減和高密度。CeYAG晶體在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代Cs...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨(dú)特的優(yōu)勢也備受人們的關(guān)注.為了填補(bǔ)我國在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白，本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發(fā)展趨勢，重點(diǎn)開展了提拉法與溫梯法生長Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能，采用溫梯法制備。海南CeYAG晶體現(xiàn)貨從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG...

Ce:YAG閃爍晶體的主要應(yīng)用在哪里？CeYAG晶體可以用于核天文學(xué)、核空間物理學(xué)、核考古學(xué)、核地質(zhì)學(xué)以及核測量學(xué)等領(lǐng)域中？在大多數(shù)無機(jī)閃爍晶體中，經(jīng)常顯示兩個(gè)或更多的光衰減時(shí)間常數(shù)，它們分別對應(yīng)于快成分和慢成分。BaF2晶體是目前所有無機(jī)閃爍晶體中光衰減常數(shù)0快(約0.8ns)的閃爍材料。此外，BaF2還具有約600毫微秒的慢分量。在許多閃爍計(jì)數(shù)應(yīng)用中，不只無機(jī)閃爍晶體的光衰減性能特別重要，其光輸出性能也同樣重要。因此，品質(zhì)因數(shù)(M)通常用于表征無機(jī)閃爍晶體的性能，M指光輸出與光衰減的比率。閃爍晶體是在高能射線的前提下形成的。河北國產(chǎn)CeYAG晶體批發(fā)廠家什么是閃爍晶體？關(guān)于閃爍晶體你對它了...

Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？鈰離子摻雜的鋁酸釔（Ce:YAlO3或Ce:YAP）和釔鋁石榴石（Ce:Y3Al5O12或Ce:YAG）高溫閃爍晶體不僅具有高光輸出和快衰減的閃爍特性（見表1－9），而且YAP和YAG基質(zhì)晶體還具有優(yōu)良的物理化學(xué)特性（基本物理化學(xué)特性見表1-10）。它們的缺點(diǎn)是密度低有效原子序數(shù)小，但是它們可以廣泛應(yīng)用在中低能量射線和粒子探測領(lǐng)域中[45][49]。Ce:YAP和Ce:YAG是較為典型的兩種高光輸出快衰減高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體，對它們的生長特征、晶體缺陷以及光學(xué)閃爍性能等的研究，對研究和探索其它鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有重要借鑒意義。如今無機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制不斷...

隨著高能物理、核物理及相關(guān)科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無機(jī)閃爍晶體的缺點(diǎn)日益突出。尋找新的高光輸出快速衰減的無機(jī)閃爍晶體具有重要的科學(xué)意義和巨大的市場價(jià)值。20世紀(jì)80年代末和90年代初，國際上掀起了對高光輸出快速衰減的無機(jī)閃爍晶體的研究熱潮。其中，1990年成立的隸屬于歐洲核中心(CERN)的“水晶透明協(xié)作”研究小組，是由來自十幾個(gè)國家的材料科學(xué)家、固體物理學(xué)家和探測器**組成的跨學(xué)科研究小組[39]。其主要目標(biāo)是研究和開發(fā)新的無機(jī)閃爍晶體，以滿足日益增長的大型強(qiáng)子對撞機(jī)(LHC)和其他高能物理實(shí)驗(yàn)對閃爍探測器的需求。CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰。河南白光LED用CeY...

和小編來看看閃爍晶體的知識，閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動(dòng)能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。通常應(yīng)用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來的，種類也很多，從化學(xué)成分來講有氧化物、鹵化物（包括碘化物、氟化物）等。閃爍晶體可用于x射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測，以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域。云南CeYAG晶體行情關(guān)于新型閃爍晶體及其應(yīng)用的國際學(xué)術(shù)交流極其頻繁和活躍。例...

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無機(jī)閃爍晶體。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。河北雙折射Ce...

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無機(jī)閃爍晶體山東專業(yè)加工CeYAG晶體用溫梯法成功生長了直徑為 110mm 的大尺寸 C...

CeYAG單晶復(fù)合紅色熒光粉的制備及其在白光LED上的應(yīng)用，采用提拉法生長了CeYAG單晶，并以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度的變化對其色坐標(biāo)，亮度，發(fā)光效率和色溫的影響.由于460nm藍(lán)光芯片激發(fā)的CeYAG單晶白光LED缺少紅光成分，采用流延法將紅色熒光粉CaAlSiN_3:Eu~(2+)涂覆在CeYAG單晶襯底上制備白光LED.制備的白光LED色度隨紅粉含量的變化由冷白光逐漸向暖白光區(qū)域移動(dòng)，色溫逐漸降低，顯色指數(shù)上升。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力。河北白光LED用Ce...

CeYAG單晶復(fù)合紅色熒光粉的制備及其在白光LED上的應(yīng)用，采用提拉法生長了CeYAG單晶，并以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度的變化對其色坐標(biāo)，亮度，發(fā)光效率和色溫的影響.由于460nm藍(lán)光芯片激發(fā)的CeYAG單晶白光LED缺少紅光成分，采用流延法將紅色熒光粉CaAlSiN_3:Eu~(2+)涂覆在CeYAG單晶襯底上制備白光LED.制備的白光LED色度隨紅粉含量的變化由冷白光逐漸向暖白光區(qū)域移動(dòng)，色溫逐漸降低，顯色指數(shù)上升。CeYAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。湖南專業(yè)CeYAG晶體批發(fā)價(jià)目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，...

Ce：YAG晶體的硬度能達(dá)到多少？深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機(jī)閃爍晶體。無機(jī)閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心，其能量轉(zhuǎn)移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對。同時(shí)，電子-空穴對在與晶格相互作用時(shí)也會(huì)產(chǎn)生自陷，比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心，這個(gè)Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機(jī)制中起著重要作用。閃爍晶體是核醫(yī)學(xué)影像設(shè)備比如X光、CT等檢查設(shè)備的關(guān)鍵部件。品質(zhì)CeYA...

Ce:YAG無機(jī)閃爍晶體的性能表征有哪些？顯然，以NaI:Tl和BGO為表示的傳統(tǒng)無機(jī)閃爍晶體已經(jīng)不能滿足閃爍晶體在許多應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ω吖廨敵龅目焖偎p要求(前一節(jié)1.2.1.1描述的三個(gè)要求)。而且，隨著閃爍探測器技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無機(jī)閃爍晶體的局限性將日益突出。另一方面，市場對高光輸出快速衰減的新型無機(jī)閃爍晶體的需求將變得日益迫切。例如，為了提高PET探測器的時(shí)空分辨率，新一代PET探測器往往要求無機(jī)閃爍晶體具有更大的光輸出、更快的衰減常數(shù)(小于100ns)和更高的密度(大于7g/cm3) [41]。CeYAG晶體在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。安徽國...

與其它常用閃爍晶體相比，Ce:YAP晶體還具有下列閃爍特征：光輸出的溫度特性好。Ce:YAP晶體光輸出隨溫度變化特性，在25~200oC 區(qū)間內(nèi)，晶體光產(chǎn)額隨溫度增加基本保持不變。與其它晶體如NaI:Tl、BGO和CsI等相比，Ce:YAP的這種對溫度依賴小的特性可以使其在高溫環(huán)境下使用。 研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴關(guān)系。YAG晶體的礦物學(xué)名稱為釔鋁石榴石，分子式為Y3Al5O12, 屬于立方晶系。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發(fā)射熒光，使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測等領(lǐng)域。新一代閃爍晶體在核醫(yī)學(xué)影像診斷、安全檢查、地質(zhì)勘探、無損檢測...

閃爍晶體可以應(yīng)用的領(lǐng)域有很多，你知道嗎？下文就居一些簡單的例子，感興趣的一起來看看吧，在醫(yī)院，利用閃爍晶體探測注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線，在PET/CT機(jī)上獲取人體的功能和代謝顯像，代謝率高的組織或病變呈亮信號，代謝率低的呈暗信號，通過圖像醫(yī)生可以快速診斷出人體各部位的病變、相關(guān)組織的大小和位置，用于病癥早期診斷和醫(yī)治。在油田，利用閃爍晶體獲得地層放射性物質(zhì)含量和種類分布等數(shù)據(jù)，從而判斷地層油氣含量和位置。CeYAG晶體的良好的溫度機(jī)械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。云南白光LED用CeYAG晶體型號CeYAG單晶復(fù)合紅色熒光粉的制備及其在白光LED上的應(yīng)用...

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點(diǎn)是其發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間（約70ns，而CsI衰減時(shí)間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)?。s為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長難度急劇增加。Ce:YAG高溫閃爍晶體不...

什么是閃爍晶體？關(guān)于閃爍晶體你對它了解多不多？和小編來看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界，是因?yàn)檠劬δ芙邮罩車矬w發(fā)出或反射的可見光，但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見的高能射線或粒子，甚至普通的傳感器也無法直接探測到，人們必須借助一類被稱為閃爍晶體的特殊材料，才能感知到它們的存在。閃爍晶體置于光電倍增管和準(zhǔn)直器之間，其作用是將熒光轉(zhuǎn)化為γ射線。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。?jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，無機(jī)閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體。浙江大尺寸CeYAG晶體現(xiàn)貨供應(yīng)以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，...

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級分裂為5個(gè)子能級，比較低5d子能級離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點(diǎn)。在可見光范圍內(nèi)可以觀察到4個(gè)特征吸收峰，峰值波長分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對應(yīng)比較低5d子能級至2F5/2基態(tài)能級。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約...

釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料，例如，Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、**醫(yī)療、以及科研等領(lǐng)域。特別是近二十年來，隨著LD泵浦固體激光器的迅猛發(fā)展，國際上對Yb:YAG激光晶體又掀起研究高潮，出現(xiàn)了大量的文獻(xiàn)報(bào)道。早期為了發(fā)展可調(diào)諧激光晶體，人們研究了Ce:YAG晶體的光學(xué)特性，由于存在嚴(yán)重的激發(fā)態(tài)吸收，使得Ce:YAG的研究停滯不前[。盡管1967年，Blasse已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Ce:YAG熒光粉[98]具有優(yōu)良的閃爍性能，但是對其單晶的研究并沒有受到足夠的重視。在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。浙江雙折射...

電子-空穴對的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無機(jī)閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對效應(yīng)產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當(dāng)入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時(shí)，主要發(fā)生光電效應(yīng)，即高能射線與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級光電子。當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電子空穴對Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。江蘇人工CeYAG晶體定制Ce:YAG 晶體在徑向不同位置的紅外吸收譜圖嗎？在幾乎所有的閃爍計(jì)數(shù)領(lǐng)域...

無機(jī)閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機(jī)理之電子空穴對的產(chǎn)生，該過程可由以下公式(1.1)表示：A ＋ hν → A+ + e在上式中，hν 是入射γ光子的能量；a表示是無機(jī)閃爍晶體中的原子；a+是離子；e是產(chǎn)生的一次電子。在這個(gè)過程中，原子的內(nèi)層也會(huì)產(chǎn)生初級空穴。閃爍機(jī)制的第二步是電子和空穴的豫過程。一方面，對于非輻射豫或輻射豫，A離子通過內(nèi)部空穴從K層遷移到L、M和其他俄歇層而發(fā)射光子，從而發(fā)射俄電子。通常，非輻射豫的概率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于輻射豫的概率。利用閃爍晶體探測注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線。上海進(jìn)口CeYAG晶體價(jià)格Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎...

發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻?qū)?huì)導(dǎo)致探測元件閃爍性能的差異，在一定程度上降低了閃爍探測器的整機(jī)性能。研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴關(guān)系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(shù)(快成分與慢成分)隨Ce離子的濃度的變化關(guān)系。從表1-12中可以看出隨著濃度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶體的光輸出增大（1000－1420phe/Mev），當(dāng)濃度繼續(xù)增加到1.08%時(shí)，其光輸出又減小為1270phe/Mev。 結(jié)果表明溫梯法生長的Ce: YAG 晶體在高能射線和中子探測方面具有較大的應(yīng)用價(jià)值。CeYAG閃爍晶體是將高能轉(zhuǎn)換為可見...

你對CeYAG晶體了解多少呢？和小編一起來看看吧，CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，除了高能射線探測成像應(yīng)用外，在高能物理與核物理實(shí)驗(yàn)、安檢、醫(yī)療等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。CeYAG晶體是立方結(jié)構(gòu)，并且很容易制造出透明的對 稱性很好的該晶體，非常適合用于白光LED的制造。CeYAG單晶制備工藝復(fù)雜，難以制備大尺寸，高摻雜濃度等缺點(diǎn)，限制了其應(yīng)用。由于YAG具有立方相晶體結(jié)構(gòu)，具有光學(xué)均勻性，無雙折射效應(yīng)等特征。再是晶體狀態(tài)，這表明光纖拉制過程中芯棒與套管之間存在擴(kuò)散現(xiàn)象.光纖在314nm光泵浦的情況下，產(chǎn)生約67nm(FWHM)光譜寬度的熒光輻射。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光...