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來源: 發(fā)布時間:2021-12-13

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比,氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點。因此,鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道,多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征,尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能,如Ce:YAP,Ce:YAG,Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體,被譽為新一代高性能無機閃爍晶體。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970,生長周期約為15天。河北雙折射CeYAG晶體批發(fā)

Ce:YAG晶體的硬度能達到多少?深剖Ce;YAG晶體,隸屬于無機閃爍晶體。無機閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心,其能量轉(zhuǎn)移效率高;相反,能量傳遞效率低。這種情況下,電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲,形成各種F-H色心對。同時,電子-空穴對在與晶格相互作用時也會產(chǎn)生自陷,比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心,這個Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機制中起著重要作用。江蘇國產(chǎn)CeYAG晶體公司CeYAG晶體,屬于無機閃爍體。

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體,具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖,較大優(yōu)點是其發(fā)光中心波長為550nm,可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比,CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間(約70ns,而CsI衰減時間約為300ns),而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定,主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域,另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像(SEM)、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)小(約為0.1),使Ce離子很難摻入YAG晶體中,而且隨著晶體直徑的增大,晶體生長難度急劇增加。

利用提拉法生長出的品質(zhì)高的CeYAG閃爍晶體開展了高分辨率X射線成像系統(tǒng)關(guān)鍵器件——閃爍體研制工作,成功制備了尺寸為Φ30mm,厚度為30-45μm的品質(zhì)高的閃爍晶體元件,并研制出基于超薄CeYAG閃爍晶體的高分辨X光探測器,實現(xiàn)X光輻照條件下高分辨成像。CeYAG作為閃爍晶體,具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖,并且它的發(fā)光峰(550nm)能很好的與光電二極管的靈敏波長配合,適合于在用光電二極管作為光探測器和探測輕帶電粒子時使用。且不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定,可以應(yīng)用于極端的探測環(huán)境中。CeYAG閃爍晶體是一種當(dāng)被電離輻射激發(fā)之后會表現(xiàn)出發(fā)光特性的材料。

Ce:YAG晶體的閃爍特征及其應(yīng)用Ce:YAG高溫閃爍晶體除了具有所列的閃爍性能外,還具有較好光脈沖區(qū)分γ射線和α粒子的能力,能與硅光二極管有效耦合,耐高溫不潮解,可以應(yīng)用于極端條件下。因此,Ce:YAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測器可以廣泛應(yīng)用于低能γ射線,α粒子等輕帶電粒子探測等核物理的實驗中。另外,Ce:YAG單晶片還可以用作掃描電子顯微鏡的顯示元件,在大規(guī)模集成電路的檢測方面有著重要的廣闊的應(yīng)用。目前,Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化,主要用于掃描電鏡(SEM)的顯示部件,其生長方法主要為提拉法。CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)良的快衰變閃爍材料。甘肅大尺寸CeYAG晶體直銷

CeYAG晶體能與硅光二極管有效耦合,耐高溫不潮解,可在極端條件下應(yīng)用。河北雙折射CeYAG晶體批發(fā)

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