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湖南專業(yè)CeYAG晶體批發(fā)價(jià)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-12

CeYAG單晶復(fù)合紅色熒光粉的制備及其在白光LED上的應(yīng)用,采用提拉法生長(zhǎng)了CeYAG單晶,并以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED),研究了CeYAG單晶厚度的變化對(duì)其色坐標(biāo),亮度,發(fā)光效率和色溫的影響.由于460nm藍(lán)光芯片激發(fā)的CeYAG單晶白光LED缺少紅光成分,采用流延法將紅色熒光粉CaAlSiN_3:Eu~(2+)涂覆在CeYAG單晶襯底上制備白光LED.制備的白光LED色度隨紅粉含量的變化由冷白光逐漸向暖白光區(qū)域移動(dòng),色溫逐漸降低,顯色指數(shù)上升。CeYAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。湖南專業(yè)CeYAG晶體批發(fā)價(jià)

目前,Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化,主要用于掃描電鏡(SEM)的顯示部件,其生長(zhǎng)方法主要為提拉法和溫梯法。近年來(lái), Ce:YAG單晶薄膜[84],以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)也備受人們的關(guān)注.為了填補(bǔ)我國(guó)在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白,本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對(duì)象,圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問(wèn)題及其發(fā)展趨勢(shì),重點(diǎn)開展了提拉法與溫梯法生長(zhǎng)Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。湖南專業(yè)CeYAG晶體批發(fā)價(jià)CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎?

一種生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法技術(shù),坩堝下降法生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學(xué)式為:(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12;0≤x≤1,0≤y≤1,0≤m≤0.05;其中A為L(zhǎng)u、Tb、Pr、La、Gd中的一種;B為Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一種。晶體生長(zhǎng)爐溫范圍1900~2000℃,坩堝下降方向固液界面的溫度梯度為10~50℃/cm,坩堝下降速率為0.1~5mm/h,籽晶可采用等方向,坩堝直徑為30~120mm,高度為50~200mm。本發(fā)明專利技術(shù)采用坩堝下降法具有操作簡(jiǎn)單,成本低,生長(zhǎng)的CeYAG晶體體積大、內(nèi)部缺陷少、摻雜濃度高等優(yōu)點(diǎn)。

閃爍晶體是在高能射線的前提下形成的,當(dāng)高能射線或其它放射離子穿過(guò)一些晶體時(shí),由于高能射線和放射離子的影響會(huì)讓晶體發(fā)出亮光,這樣的晶體就是我們所說(shuō)的閃爍晶體。并不是所有的物質(zhì)都能作為閃爍晶體,現(xiàn)階段能夠成為閃爍晶體的主要有鹵化物、硅酸鹽等幾種分子。閃爍晶體一般都是用于各種射線、中子及高能粒子的檢測(cè),但經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,閃爍晶體現(xiàn)在已經(jīng)較多的應(yīng)用于醫(yī)學(xué)檢測(cè)、物理學(xué)、安全檢查、地址勘探等各個(gè)方面。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。CeYAG閃爍晶體熱力學(xué)性能穩(wěn)定。

釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料,例如,Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、**醫(yī)療、以及科研等領(lǐng)域。特別是近二十年來(lái),隨著LD泵浦固體激光器的迅猛發(fā)展,國(guó)際上對(duì)Yb:YAG激光晶體又掀起研究高潮,出現(xiàn)了大量的文獻(xiàn)報(bào)道。早期為了發(fā)展可調(diào)諧激光晶體,人們研究了Ce:YAG晶體的光學(xué)特性,由于存在嚴(yán)重的激發(fā)態(tài)吸收,使得Ce:YAG的研究停滯不前[。盡管1967年,Blasse已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Ce:YAG熒光粉[98]具有優(yōu)良的閃爍性能,但是對(duì)其單晶的研究并沒(méi)有受到足夠的重視。Ce:YAG屬于無(wú)機(jī)閃爍體。重慶新型CeYAG晶體銷售商

以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管。湖南專業(yè)CeYAG晶體批發(fā)價(jià)

根據(jù)經(jīng)典熒光理論,參數(shù)q也可以由公式(1.15) [14]計(jì)算。公式中,Wr和Wnr分別為輻射和非輻射躍遷概率;c是猝滅常數(shù),Eq是猝滅能,kb是為玻爾茲曼常數(shù),t是完全溫度。分析表明,光輸出主要與晶體的帶隙、基體的組成和結(jié)構(gòu)、能量傳輸效率和溫度有關(guān)。當(dāng)帶隙變?yōu)榱銜r(shí),閃爍晶體將獲得比較大光輸出。但一般情況下,當(dāng)Eg小于2eV時(shí),無(wú)輻射躍遷的概率會(huì)增大,從而Q變小,光輸出變小。結(jié)果表明,摻鈰離子閃爍晶體的光輸出差異主要是由S 的差異引起的。湖南專業(yè)CeYAG晶體批發(fā)價(jià)

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