無機閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機理之電子空穴對的產生，該過程可由以下公式(1.1)表示：A ＋ hν → A+ + e在上式中，hν 是入射γ光子的能量；a表示是無機閃爍晶體中的原子；a+是離子；e是產生的一次電子。在這個過程中，原子的內層也會產生初級空穴。閃爍機制的第二步是電子和空穴的豫過程。一方面，對于非輻射豫或輻射豫，A離子通過內部空穴從K層遷移到L、M和其他俄歇層而發(fā)射光子，從而發(fā)射俄電子。通常，非輻射豫的概率遠遠大于輻射豫的概率。利用閃爍晶體探測注入人體內的放射性示蹤劑產生的高能伽馬射線。上海進口CeYAG晶體價格

Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce:YAG晶體，屬于無機閃爍晶體的一種。無機閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉化為紫外光或可見光的晶體能量轉換器。由無機閃爍晶體、光電倍增管或硅光電二極管以及后續(xù)的電子器件組成的閃爍探測器，可以將肉眼不可見的微觀射線或粒子轉化為可顯示的信號或圖像，供人們分析處理。所以閃爍探測器充當了人們認識微觀世界的“眼睛”。一百多年前，康拉德倫琴(Conrad Reentgen)使用CaWO4作為X射線熒光屏，這是頭1個使用無機閃爍材料的例子。天津品質CeYAG晶體廠家直銷CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)良的快衰變閃爍材料。

閃爍晶體的本質是一種能量轉換器，所以能量轉換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉換效率的重要的物理參數，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發(fā)出的可見/紫外光子數。即閃爍過程中產生的閃爍光子數與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。除了熔點溫度高（1970oC）外， Ce:YAG晶體中存在的主要缺點是Ce離子在晶體中的分布不均勻，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)離子的半徑相差較大，其分凝系數較小（~ 0.1）造成的。

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學性能以及穩(wěn)定的化學性質等優(yōu)點。因此，鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究。表1-8總結了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體，被譽為新一代高性能無機閃爍晶體Ce:YAG晶體的光學吸收譜多少？

CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)良的快衰變閃爍材料，具有高的光輸出（20000光子MeV），快的發(fā)光衰減（~70ns），優(yōu)異的熱機械性能，發(fā)光峰值波長（540nm）與普通光電倍增管（PMT）的接收靈敏波長很好地匹配和硅光電二極管（PD），良好的光脈沖區(qū)分了γ射線和α粒子，CeYAG適合于探測α粒子、電子和β射線等帶電粒子，特別是CeYAG單晶良好的力學性能，使制備厚度小于30um的薄膜成為可能。CeYAG閃爍探測器應用于電子顯微鏡、β和X射線計數、電子和X射線成像屏等領域。CeYAG晶體和透明陶瓷的光學和閃爍性能，采用溫梯法制備。天津品質CeYAG晶體廠家直銷

CeYAG晶體在小于500Kev的能量范圍內不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。上海進口CeYAG晶體價格

我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長方向 <111>，高純 Ar 氣氛，具體生長方法見第二章所述。如圖 5-1，生長的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發(fā)熱體質量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長出來的晶體經過高溫空氣退火 24 小時后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經空氣退火后加工，從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質，中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分，經再次空氣退火可完全消除。由應力儀下觀察的結果來看，晶體中無明顯應力，也沒有因小面生長現象而產生的**，說明晶體生長過程中固液界面較平。上海進口CeYAG晶體價格

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