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白光LED用新型YAG單晶熒光材料的制備和光譜性能研究，采用提拉法生長(zhǎng)Eu，CeYAG晶體及Gd，CeYAG晶體，并通過(guò)吸收光譜，激發(fā)，發(fā)射光譜及電光性能等對(duì)晶體材料的光譜特性進(jìn)行表征.結(jié)果表明，Eu或Gd共摻雜的CeYAG單晶熒光材料均可以被波長(zhǎng)460nm左右的藍(lán)光芯片有效激發(fā)，產(chǎn)生一個(gè)范圍為480~650 nm的寬峰發(fā)射。Eu3或Gd3共摻雜會(huì)對(duì)Ce3離子的發(fā)光產(chǎn)生影響Eu3離子的摻雜，會(huì)對(duì)Ce3離子的發(fā)光產(chǎn)生淬滅效應(yīng)。Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？由于Ce離子分凝系數(shù)小，通常在提拉法生長(zhǎng)Ce:YAG的后期往往會(huì)產(chǎn)生組分過(guò)冷而嚴(yán)重影響了Ce:YAG晶體的質(zhì)量。CeYAG單晶是一種綜合性能...

文獻(xiàn)已經(jīng)系統(tǒng)地報(bào)道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能，現(xiàn)總結(jié)如下：相對(duì)光輸出約為NaI:Tl的38-50%；光衰減，對(duì)于γ-射線激發(fā)，快成分衰減時(shí)間約為26.7±0.12ns，強(qiáng)度占89±2%，慢成分衰減常數(shù)為140±10ns，對(duì)于α－粒子激發(fā)快成分衰減常數(shù)為24.8±0.12ns，強(qiáng)度占85±2%，慢成分衰減常數(shù)為100±5ns；中等密度（5.35g/cm3）和中等有效原子序數(shù)（Zeff=39）等。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應(yīng)小，光衰減快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應(yīng)用。Ce：YAG晶體光產(chǎn)額是多少？河北生長(zhǎng)Ce...

激子和類(lèi)激子熒光機(jī)制。這種機(jī)制主要依賴于晶體中產(chǎn)生的自陷激子(STE)、電子缺陷激子或類(lèi)激子激子以及閃爍體中產(chǎn)生閃爍熒光的電子或空穴[[21]。在一些鹵素結(jié)合的無(wú)機(jī)閃爍晶體中，通常可以獲得小于10ns的光衰減。例如，CdF2閃爍晶體的光衰減約為7ns。但由于激發(fā)能量必須與被激發(fā)的激子或類(lèi)激子能量相同或相近，所以具有這種閃爍機(jī)制的無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出一般很低，STEs熒光往往在室溫下被淬滅。盡管某些堿土氟化物晶體的ste在室溫下具有大的光輸出，但它們的光衰減接近毫秒。因此，具有這種發(fā)光機(jī)制的閃爍晶體只能用于特殊目的。無(wú)機(jī)閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉(zhuǎn)化為紫外光或可見(jiàn)光...

高能物理和核物理實(shí)驗(yàn)要求無(wú)機(jī)閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無(wú)機(jī)閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價(jià)格也是一個(gè)重要指標(biāo)，Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？有效原子序數(shù)和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(shù)(Zeff)和密度直接或間接決定了輻射與物質(zhì)的相互作用機(jī)制和輻射的阻擋能力。在X射線或低能射線探測(cè)領(lǐng)域，為了增加射線的光電效應(yīng)截面，往往需要閃爍晶體具有較大的有效原子序數(shù)Zeff，而在高能射線應(yīng)用領(lǐng)域，則需要有較高的密度來(lái)提高晶體的截止能量。在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱性取代Y3位。貴州專(zhuān)業(yè)CeYAG晶體定制根據(jù)出現(xiàn)的順序，無(wú)機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制可分為以下五個(gè)...

高光輸出快速衰減閃爍晶體的基本理論，閃爍效率和光輸出，無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出(LR)直接由閃爍晶體的閃爍效率()決定。因此，研究閃爍晶體的轉(zhuǎn)換效率在高光輸出閃爍晶體的研究中起著重要的作用。許多文獻(xiàn)[13]、[14]、[17]、[51]和[56]報(bào)道了閃爍材料閃爍效率的機(jī)理，并建立了許多理論模型。一般來(lái)說(shuō)，根據(jù)閃爍體的閃爍機(jī)理(如1.1.1節(jié)所述)，閃爍的總量子效率()可以表示為發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)換效率()、能量轉(zhuǎn)移效率(S)和熒光量子效率(Q)的乘積。閃爍晶體可用于輻射探測(cè)和安全防護(hù)。山東國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體報(bào)價(jià)當(dāng)您外出旅行攜帶行李通過(guò)安檢時(shí)，當(dāng)患者就診做CT造影時(shí)，您或許不知道閃爍晶體正在為人們的...

CeYAG閃爍晶體還具有較好的光脈沖區(qū)分γ射線和α粒子的能力，能發(fā)射與硅光二極管有效耦合的550nm 熒光，以及具有YAG基質(zhì)優(yōu)良的物理化學(xué)等特征。因此，CeYAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測(cè)器可以應(yīng)用于帶電粒子探測(cè)等核物理的實(shí)驗(yàn)中。另外，CeYAG單晶片還可以用作掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)方面有著重要的應(yīng)用。據(jù)報(bào)道現(xiàn)有人研究用CeYAG單晶代替CeYAG熒光粉作高亮白光LED熒光材料。希望以上的一些介紹能夠幫助到你。用CeYAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。陜西專(zhuān)業(yè)CeYAG晶體定制電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生是入射高能光...

和小編來(lái)看看什是CeYAG晶體？基于CeYAG晶體的摻Ce光纖拉制技術(shù)，基于管棒法(Rod-in-Tube)技術(shù)，以CeYAG晶體作為芯棒，純石英玻璃管作為套管，利用石墨爐，拉絲塔拉制了摻鈰(Ce)光纖.通過(guò)X射線能譜(EDX)分析拉制而成的光纖，得到光纖的纖芯變?yōu)椴ＡР牧?，而不顯然，像BGO這樣的閃爍晶體有很大的局限性。近期，美國(guó)的某公司使用新的閃爍晶體Ce:LSO [29]制作了一個(gè)具有高空間和時(shí)間分辨率(2毫米、30分鐘和4毫米、10分鐘)的PET原型。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發(fā)射熒光，使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測(cè)等領(lǐng)域！Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子...

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱性取代Y3位。在晶體場(chǎng)的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級(jí)分裂為5個(gè)子能級(jí)，比較低5d子能級(jí)離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點(diǎn)。在可見(jiàn)光范圍內(nèi)可以觀察到4個(gè)特征吸收峰，峰值波長(zhǎng)分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對(duì)應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級(jí)躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對(duì)應(yīng)比較低5d子能級(jí)至2F5/2基態(tài)能級(jí)。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？貴州品質(zhì)CeYA...

隨著高能物理、核物理及相關(guān)科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無(wú)機(jī)閃爍晶體的缺點(diǎn)日益突出。尋找新的高光輸出快速衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體具有重要的科學(xué)意義和巨大的市場(chǎng)價(jià)值。20世紀(jì)80年代末和90年代初，國(guó)際上掀起了對(duì)高光輸出快速衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體的研究熱潮。其中，1990年成立的隸屬于歐洲核中心(CERN)的“水晶透明協(xié)作”研究小組，是由來(lái)自十幾個(gè)國(guó)家的材料科學(xué)家、固體物理學(xué)家和探測(cè)器**組成的跨學(xué)科研究小組[39]。其主要目標(biāo)是研究和開(kāi)發(fā)新的無(wú)機(jī)閃爍晶體，以滿足日益增長(zhǎng)的大型強(qiáng)子對(duì)撞機(jī)(LHC)和其他高能物理實(shí)驗(yàn)對(duì)閃爍探測(cè)器的需求。 Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子...

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無(wú)機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無(wú)機(jī)閃爍晶體。無(wú)機(jī)閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣，可用在核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)。...

根據(jù)出現(xiàn)的順序，無(wú)機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制可分為以下五個(gè)階段：1.電離輻射的吸收和初級(jí)電子和空穴的產(chǎn)生；2.一次電子和空穴的弛豫，即產(chǎn)生大量的二次電子、空穴、光子、激子等電子激發(fā)；3.低能二次電子和空穴的弛豫(熱化)，即形成能約為能隙寬度Eg的熱化電子-空穴對(duì)；4.電子和空穴向發(fā)光中心的熱傳遞和發(fā)光中心的激發(fā)；5.激發(fā)態(tài)的發(fā)光中心發(fā)出紫外或可見(jiàn)熒光，即閃爍光。為了研究方便，人們往往將上述五個(gè)閃爍步驟分為兩部分：(1)電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生(**個(gè)階段)和(2)發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射(后兩個(gè)階段)。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？陜西進(jìn)口CeYAG晶體批發(fā)廠家無(wú)機(jī)閃爍晶體的主要應(yīng)用，與塑料聚合物、液...

無(wú)機(jī)閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣，可用在核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)，X射線斷層掃描(XCT)和正電子發(fā)射斷層掃描(正電子發(fā)射斷層掃描)是現(xiàn)代影像醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的兩種前沿核醫(yī)學(xué)成像技術(shù)[29]-[33]。前者提供患病組織的解剖圖像，而后者提供患病組織的功能成像。二者優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，在心-血.管.疾；病和腫‘’瘤的診斷和治聊中發(fā)揮重要作用。尤其是PET成像技術(shù)，不只是現(xiàn)代影像醫(yī)學(xué)的前沿技術(shù)，也是本世紀(jì)末生命科學(xué)的重大突破。它可以在體外無(wú)損傷、定量、動(dòng)態(tài)地從分子水平觀察人體內(nèi)代謝物質(zhì)或藥物的活性及其在疾病中的變化。通常應(yīng)用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來(lái)的。云南CeYAG晶體批發(fā)價(jià)Ce:YAG晶體的閃...

白光LED用新型YAG單晶熒光材料的制備和光譜性能研究，采用提拉法生長(zhǎng)Eu，CeYAG晶體及Gd，CeYAG晶體，并通過(guò)吸收光譜，激發(fā)，發(fā)射光譜及電光性能等對(duì)晶體材料的光譜特性進(jìn)行表征.結(jié)果表明，Eu或Gd共摻雜的CeYAG單晶熒光材料均可以被波長(zhǎng)460nm左右的藍(lán)光芯片有效激發(fā)，產(chǎn)生一個(gè)范圍為480~650 nm的寬峰發(fā)射。Eu3或Gd3共摻雜會(huì)對(duì)Ce3離子的發(fā)光產(chǎn)生影響Eu3離子的摻雜，會(huì)對(duì)Ce3離子的發(fā)光產(chǎn)生淬滅效應(yīng)。Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？由于Ce離子分凝系數(shù)小，通常在提拉法生長(zhǎng)Ce:YAG的后期往往會(huì)產(chǎn)生組分過(guò)冷而嚴(yán)重影響了Ce:YAG晶體的質(zhì)量。CeYAG晶體的優(yōu)勢(shì)：發(fā)射波...

當(dāng)您外出旅行攜帶行李通過(guò)安檢時(shí)，當(dāng)患者就診做CT造影時(shí)，您或許不知道閃爍晶體正在為人們的安全和健康作出貢獻(xiàn)。事實(shí)上，閃爍晶體作為高級(jí)射線探測(cè)裝備關(guān)鍵部件的關(guān)鍵材料。隨著高重頻輻射成像技術(shù)的發(fā)展和時(shí)間飛行技術(shù)在核醫(yī)學(xué)成像領(lǐng)域的應(yīng)用，超快閃爍晶體的重要性愈加凸顯，已經(jīng)成為閃爍晶體研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)方向。閃爍晶體是單晶態(tài)的閃爍體材料，是應(yīng)用較廣的一類(lèi)閃爍體材料，在高能物理、核物理、天體物理、安全檢查、醫(yī)學(xué)成像、工業(yè)探傷、環(huán)境監(jiān)控以及資源、能源勘探等諸多與國(guó)計(jì)民生息息相關(guān)領(lǐng)域，具有非常廣的應(yīng)用。例如，在地鐵站和機(jī)場(chǎng)等場(chǎng)所使用的行包安檢機(jī)，就是利用閃爍晶體探測(cè)穿透行包的X射線，從而實(shí)現(xiàn)不開(kāi)箱查驗(yàn)管制刀具等違...

CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測(cè)、α粒子探測(cè)、gamma射線探測(cè)等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測(cè)成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。目前，可以提供摻雜濃度0.08－1at%摻雜高度透明的CeYAG閃爍晶體。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間（約70ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，可以應(yīng)用于極端的探測(cè)環(huán)境中。CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測(cè)、α粒子探測(cè)、gamma射線探測(cè)等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測(cè)成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰。江西人工CeYAG晶體生產(chǎn)什么是...

關(guān)于新型閃爍晶體及其應(yīng)用的國(guó)際學(xué)術(shù)交流極其頻繁和活躍。例如，關(guān)于新閃爍晶體及其應(yīng)用的第1次國(guó)際會(huì)議“水晶2000”于1992年在法國(guó)夏蒙尼舉行，由“水晶透明協(xié)作”小組主辦。隨后，研究合作小組分別于1994年、1995年、1997年、1999年和2001年在美國(guó)，荷蘭，中國(guó)和俄羅斯舉行了兩年一次的新型閃爍材料學(xué)術(shù)研討會(huì)[39]。這些研討會(huì)極大地促進(jìn)了具有高光輸出和快速衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體的研究和發(fā)展。特別是鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)閃爍晶體，如Ce:YAP、Ce:LSO和Ce:LuAP，受到了極大的關(guān)注，被認(rèn)為是新一代高光輸出、快衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體材料。提拉法生長(zhǎng)Ce:YAG晶體?CeYAG晶體，屬于無(wú)機(jī)閃...

高能物理和核物理實(shí)驗(yàn)要求無(wú)機(jī)閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無(wú)機(jī)閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價(jià)格也是一個(gè)重要指標(biāo) 什么YAG晶體可以用于極端的探測(cè)環(huán)境中？此外，在較高濃度或溫度的情況下，閃爍晶體中的發(fā)光中心也可以通過(guò)濃度或熱猝滅產(chǎn)生較短的光衰減，但這往往伴隨著晶體光輸出的降低。閃爍晶體的品質(zhì)因數(shù)，Birks第1次將品質(zhì)因數(shù)(m)的概念引入無(wú)機(jī)閃爍晶體的表征中。品質(zhì)因數(shù)是指閃爍晶體的光輸出與光衰減的比值，國(guó)內(nèi)外對(duì)鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)閃爍體進(jìn)行了大量的研究和探索[40]-[50]，涉及的閃爍體包括氟化合物、溴化物、氧化物和硫化物等無(wú)機(jī)閃爍體，Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？口碑好...

CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能，采用溫梯法生長(zhǎng)了CeYAG晶體和真空燒結(jié)法制備了CeYAG透明陶瓷，并對(duì)晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能進(jìn)行了對(duì)比研究.CeYAG晶體和陶瓷都具有位于230，340和460nm波段的Ce3+離子的特征吸收帶和540nm附近的發(fā)射峰，但CeYAG晶體同時(shí)存在296和370nm的色心吸收，其發(fā)射峰位于398nm，而透明陶瓷中不存在.CeYAG晶體和陶瓷的X射線熒光中均存在520nm附近的Ce3+離子發(fā)射，但晶體中還存在由反格位缺陷引起的300nm的發(fā)射.CeYAG晶體和陶瓷的光產(chǎn)額分別為16800和9800photons/MeV，納秒燈激發(fā)下的熒光壽命分別為...

利用提拉法生長(zhǎng)出的品質(zhì)高的CeYAG閃爍晶體開(kāi)展了高分辨率X射線成像系統(tǒng)關(guān)鍵器件——閃爍體研制工作，成功制備了尺寸為Φ30mm，厚度為30-45μm的品質(zhì)高的閃爍晶體元件，并研制出基于超薄CeYAG閃爍晶體的高分辨X光探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)X光輻照條件下高分辨成像。CeYAG作為閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，并且它的發(fā)光峰(550nm)能很好的與光電二極管的靈敏波長(zhǎng)配合，適合于在用光電二極管作為光探測(cè)器和探測(cè)輕帶電粒子時(shí)使用。且不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，可以應(yīng)用于極端的探測(cè)環(huán)境中。在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱性取代Y3位。北京CeYAG晶體現(xiàn)貨直供光衰減常數(shù)是表征閃爍晶體光...

Ce:YAG無(wú)機(jī)閃爍晶體的性能表征有哪些？顯然，以NaI:Tl和BGO為表示的傳統(tǒng)無(wú)機(jī)閃爍晶體已經(jīng)不能滿足閃爍晶體在許多應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ω吖廨敵龅目焖偎p要求(前一節(jié)1.2.1.1描述的三個(gè)要求)。而且，隨著閃爍探測(cè)器技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無(wú)機(jī)閃爍晶體的局限性將日益突出。另一方面，市場(chǎng)對(duì)高光輸出快速衰減的新型無(wú)機(jī)閃爍晶體的需求將變得日益迫切。例如，為了提高PET探測(cè)器的時(shí)空分辨率，新一代PET探測(cè)器往往要求無(wú)機(jī)閃爍晶體具有更大的光輸出、更快的衰減常數(shù)(小于100ns)和更高的密度(大于7g/cm3) [41]。Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。湖北國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體性能隨著高能物理、核物理及相關(guān)科...

一種藍(lán)光半導(dǎo)體激光器激發(fā)CeYAG晶體的照明系統(tǒng)，包括藍(lán)光半導(dǎo)體激光器、光學(xué)耦合透鏡組、光纖、CeYAG晶體模塊、光學(xué)透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上。其中N個(gè)(N≥1)藍(lán)光半導(dǎo)體激光器經(jīng)過(guò)光學(xué)耦合透鏡組的準(zhǔn)直和聚焦，耦合進(jìn)光纖，多根光纖可以進(jìn)行捆綁合束，也可以進(jìn)行熔融拉錐合束，從光纖出來(lái)的藍(lán)光半導(dǎo)體激光激發(fā)具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊，產(chǎn)生490～700nm波段的熒光(即受激發(fā)熒光)，并通過(guò)對(duì)CeYAG晶體模塊的光學(xué)設(shè)計(jì)達(dá)到對(duì)透射的藍(lán)色激光和受激發(fā)熒光的勻化，光學(xué)透鏡組對(duì)CeYAG晶體模塊勻化后的光線進(jìn)行配光曲線的調(diào)節(jié)，從而產(chǎn)生用于照明領(lǐng)域的均勻白光。CeYAG閃爍晶體不潮解、...

從宏觀上看，直拉法可以生長(zhǎng)出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。然而，用提拉法很難獲得大尺寸、高質(zhì)量的Ce:YAG閃爍晶體。一方面，提拉法生長(zhǎng)的晶體尺寸直接受到所用銥坩堝尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)離子的半徑相差較大，且Ce離子在YAG晶體中的偏析系數(shù)很小(~ 0.1)，在提拉法生長(zhǎng)后期往往會(huì)發(fā)生成分過(guò)冷，嚴(yán)重影響Ce:YAG晶體的質(zhì)量。為了克服提拉法生長(zhǎng)的大尺寸、高質(zhì)量的碳：釔鋁石榴石閃爍晶體的缺點(diǎn)，我們第1次用溫度梯度法(TGT)成功地生長(zhǎng)了一種三英寸的碳：釔鋁石榴石高溫閃爍晶體超薄片CeYAG晶體訂做價(jià)格研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)...

CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)良的快衰變閃爍材料，具有高的光輸出（20000光子MeV），快的發(fā)光衰減（~70ns），優(yōu)異的熱機(jī)械性能，發(fā)光峰值波長(zhǎng)（540nm）與普通光電倍增管（PMT）的接收靈敏波長(zhǎng)很好地匹配和硅光電二極管（PD），良好的光脈沖區(qū)分了γ射線和α粒子，CeYAG適合于探測(cè)α粒子、電子和β射線等帶電粒子，特別是CeYAG單晶良好的力學(xué)性能，使制備厚度小于30um的薄膜成為可能。CeYAG閃爍探測(cè)器應(yīng)用于電子顯微鏡、β和X射線計(jì)數(shù)、電子和X射線成像屏等領(lǐng)域。如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動(dòng)，發(fā)射波長(zhǎng)為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。山東大尺寸CeYAG晶體廠家直供與...

采用提拉法生長(zhǎng)CeYAG單晶，通過(guò)X射線衍射和激發(fā)發(fā)射光譜對(duì)其晶相結(jié)構(gòu)和光譜特性進(jìn)行了表征，研究了CeYAG單晶封裝白光LED的較佳摻雜濃度.在455 nm藍(lán)光激發(fā)下，CeYAG單晶的發(fā)射光譜可由中心波長(zhǎng)526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u)的寬發(fā)射帶(500650 nm)組成激發(fā)光譜由343 nm (4f12F5/2Г7u→5d12EgГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d12EgГ8g)2個(gè)激發(fā)峰組成Stokes位移為2448cm-1，Huang-Rhys因子為6.12.研究結(jié)果表明，CeYAG單晶中Ce離子摻雜濃度與封裝的白光LED之間有對(duì)應(yīng)關(guān)系，在...

如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動(dòng)，發(fā)射波長(zhǎng)為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？當(dāng)無(wú)機(jī)閃爍體中電子(空穴)的能量小于電離閾值時(shí)（(Ce:YAG屬于無(wú)機(jī)閃爍體），電子(空穴)開(kāi)始與晶格相互作用，即所謂的電子-聲子弛豫或熱化。在熱化過(guò)程中，電子和空穴分別向無(wú)機(jī)閃爍晶體導(dǎo)帶的下部和價(jià)帶的上部移動(dòng)，終形成一定數(shù)量的熱化電子空穴對(duì)，能量約為禁帶寬度eg。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無(wú)機(jī)閃...

一種藍(lán)光半導(dǎo)體激光器激發(fā)CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng)，包括藍(lán)光半導(dǎo)體激光器，光學(xué)耦合透鏡組，光纖，CeYAG晶體模塊，光學(xué)透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(gè)(N≥1)藍(lán)光半導(dǎo)體激光器經(jīng)過(guò)光學(xué)耦合透鏡組的準(zhǔn)直和聚焦，耦合進(jìn)光纖，多根光纖可以進(jìn)行捆綁合束，也可以進(jìn)行熔融拉錐合束，從光纖出來(lái)的藍(lán)光半導(dǎo)體激光激發(fā)具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊，產(chǎn)生490～700nm波段的熒光(即受激發(fā)熒光)，并通過(guò)對(duì)CeYAG晶體模塊的光學(xué)設(shè)計(jì)達(dá)到對(duì)透射的藍(lán)色激光和受激發(fā)熒光的勻化，光學(xué)透鏡組對(duì)CeYAG晶體模塊勻化后的光線進(jìn)行配光曲線的調(diào)節(jié)，從而產(chǎn)生用于照明領(lǐng)域的均勻白光。提拉法生長(zhǎng)Ce:YAG...

閃爍晶體有其他的說(shuō)法，你知道嗎？不知道的話就和小編一起來(lái)看看吧，閃爍晶體又稱熒光晶體。由放射線激發(fā)產(chǎn)生高效發(fā)光的熒光晶體。當(dāng)其受到X射線、γ射線或其他荷電粒子輻照時(shí)，其中的價(jià)電子就會(huì)因受到激發(fā)而進(jìn)入激發(fā)態(tài)，即由價(jià)帶進(jìn)入導(dǎo)帶。當(dāng)電子由導(dǎo)帶自發(fā)躍遷返回價(jià)帶時(shí)，多余的能量即以熒光形式發(fā)射出來(lái)，從而產(chǎn)生熒光。由無(wú)機(jī)物質(zhì)用提拉法或坩堝下降法生長(zhǎng)制成。國(guó)際上發(fā)現(xiàn)、研究和開(kāi)發(fā)了為數(shù)較多的閃爍晶體。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。如今無(wú)機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制不斷得到改進(jìn)和發(fā)展。雙摻CeYAG晶體直銷(xiāo)根據(jù)經(jīng)典熒光理論，參數(shù)q也可以由公式(1.15) [14]計(jì)算。公式中，Wr和Wnr分別為輻射和非輻射...

發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻?qū)?huì)導(dǎo)致探測(cè)元件閃爍性能的差異，在一定程度上降低了閃爍探測(cè)器的整機(jī)性能。研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴關(guān)系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(shù)(快成分與慢成分)隨Ce離子的濃度的變化關(guān)系。從表1-12中可以看出隨著濃度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶體的光輸出增大（1000－1420phe/Mev），當(dāng)濃度繼續(xù)增加到1.08%時(shí)，其光輸出又減小為1270phe/Mev。 結(jié)果表明溫梯法生長(zhǎng)的Ce: YAG 晶體在高能射線和中子探測(cè)方面具有較大的應(yīng)用價(jià)值。在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D...

一種生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法技術(shù)，坩堝下降法生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學(xué)式為：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A為L(zhǎng)u、Tb、Pr、La、Gd中的一種；B為Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一種。晶體生長(zhǎng)爐溫范圍1900～2000℃，坩堝下降方向固液界面的溫度梯度為10～50℃/cm，坩堝下降速率為0.1～5mm/h，籽晶可采用等方向，坩堝直徑為30～120mm，高度為50～200mm。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)采用坩堝下降法具有操作簡(jiǎn)單，成本低，生長(zhǎng)的CeYAG晶體體積大、內(nèi)部缺陷少、摻雜濃度高等優(yōu)點(diǎn)。CeYAG...

高溫閃爍晶體今后的發(fā)展趨勢(shì)主要包括以下幾個(gè)方面： 1、研究高溫閃爍晶體中存在的各種點(diǎn)缺陷及其對(duì)閃爍性能的影響，真正實(shí)現(xiàn)無(wú)機(jī)閃爍晶體的分子優(yōu)化與分子設(shè)計(jì)。2、發(fā)展混合型高溫閃爍晶體將是今后發(fā)展的趨勢(shì)之一。例如，Ce:LuAP高溫閃爍晶體具有十分誘人閃爍性能，但是在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中容易生成石榴石相，很難獲得穩(wěn)定的LuAP相，從而限制了晶體的使用.1近，研究表明，與Ce:LuAP晶體相比，混合型晶體Lux(RE3+)1-xAP:Ce (RE3+ = Y3+ or Gd3+)可以降低晶體生長(zhǎng)難度以及生產(chǎn)成本，同時(shí)閃爍性能也比較理想。Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。青海進(jìn)口CeYAG晶體定制Ce:Y...