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從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。然而，用提拉法很難獲得大尺寸、高質(zhì)量的Ce:YAG閃爍晶體。一方面，提拉法生長的晶體尺寸直接受到所用銥坩堝尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)離子的半徑相差較大，且Ce離子在YAG晶體中的偏析系數(shù)很小(~ 0.1)，在提拉法生長后期往往會(huì)發(fā)生成分過冷，嚴(yán)重影響Ce:YAG晶體的質(zhì)量。為了克服提拉法生長的大尺寸、高質(zhì)量的碳：釔鋁石榴石閃爍晶體的缺點(diǎn)，我們第1次用溫度梯度法(TGT)成功地生長了一種三英寸的碳：釔鋁石榴石高溫閃爍晶體超薄片CeYAG晶體訂做價(jià)格研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)...

Ce:YAG晶體的發(fā)射峰的中心波長約為550nm嗎？無機(jī)閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機(jī)理之電子空穴對(duì)的產(chǎn)生。電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無機(jī)閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當(dāng)入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時(shí)，主要發(fā)生光電效應(yīng)，即高能射線與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級(jí)光電子。閃爍晶體可用于輻射探測和安全防護(hù)。上海人工CeYAG晶體品牌CeYA...

我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學(xué)式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長方向 ，高純 Ar 氣氛，具體生長方法見第二章所述。如圖 5-1，生長的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發(fā)熱體質(zhì)量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長出來的晶體經(jīng)過高溫空氣退火 24 小時(shí)后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經(jīng)空氣退火后加工，從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質(zhì)，中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分，經(jīng)再...

什么是閃爍晶體？關(guān)于閃爍晶體你對(duì)它了解多不多？和小編來看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界，是因?yàn)檠劬δ芙邮罩車矬w發(fā)出或反射的可見光，但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見的高能射線或粒子，甚至普通的傳感器也無法直接探測到，人們必須借助一類被稱為閃爍晶體的特殊材料，才能感知到它們的存在。閃爍晶體置于光電倍增管和準(zhǔn)直器之間，其作用是將熒光轉(zhuǎn)化為γ射線。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機(jī)閃爍晶體。甘肅品質(zhì)CeYAG晶體批發(fā)價(jià)CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于...

Ce:YAG晶體的發(fā)射峰的中心波長約為550nm嗎？無機(jī)閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機(jī)理之電子空穴對(duì)的產(chǎn)生。電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無機(jī)閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當(dāng)入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時(shí)，主要發(fā)生光電效應(yīng)，即高能射線與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級(jí)光電子。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射...

激子和類激子熒光機(jī)制。這種機(jī)制主要依賴于晶體中產(chǎn)生的自陷激子(STE)、電子缺陷激子或類激子激子以及閃爍體中產(chǎn)生閃爍熒光的電子或空穴[[21]。在一些鹵素結(jié)合的無機(jī)閃爍晶體中，通?？梢垣@得小于10ns的光衰減。例如，CdF2閃爍晶體的光衰減約為7ns。但由于激發(fā)能量必須與被激發(fā)的激子或類激子能量相同或相近，所以具有這種閃爍機(jī)制的無機(jī)閃爍晶體的光輸出一般很低，STEs熒光往往在室溫下被淬滅。盡管某些堿土氟化物晶體的ste在室溫下具有大的光輸出，但它們的光衰減接近毫秒。因此，具有這種發(fā)光機(jī)制的閃爍晶體只能用于特殊目的。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管進(jìn)行發(fā)射...

Ce:YAG閃爍晶體的主要應(yīng)用在哪里？高溫閃爍晶體今后的發(fā)展趨勢主要包括以下幾個(gè)方面：1、尋求優(yōu)化的高溫閃爍晶體生長方法以及工藝技術(shù)。目前，多數(shù)高溫閃爍晶體主要是通過提拉法生長的，探索改進(jìn)的提拉法或其它的工程化生長工藝技術(shù)對(duì)研究開發(fā)高溫閃爍晶體具有十分重要的意義。2、開展多摻雜以及探索新型發(fā)光離子的高溫閃爍晶體也會(huì)逐步受到人們的重視。隨著探測器件的小型化多功能化的迅猛發(fā)展，具有多種探測功能的復(fù)合閃爍探測單晶材料將會(huì)成為一個(gè)研究熱點(diǎn)。另外，探索其它發(fā)光中心離子的閃爍性能也將會(huì)逐步引起人們的關(guān)注，特別對(duì)能與現(xiàn)有的探測設(shè)備耦合匹配，容易摻雜等激發(fā)離子的研究。Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡...

CeYAG單晶復(fù)合紅色熒光粉的制備及其在白光LED上的應(yīng)用，采用提拉法生長了CeYAG單晶，并以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度的變化對(duì)其色坐標(biāo)，亮度，發(fā)光效率和色溫的影響.由于460nm藍(lán)光芯片激發(fā)的CeYAG單晶白光LED缺少紅光成分，采用流延法將紅色熒光粉CaAlSiN_3:Eu~(2+)涂覆在CeYAG單晶襯底上制備白光LED.制備的白光LED色度隨紅粉含量的變化由冷白光逐漸向暖白光區(qū)域移動(dòng)，色溫逐漸降低，顯色指數(shù)上升。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？河南白光LED用CeYAG晶體價(jià)格CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性...

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點(diǎn)是其發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間（約70ns，而CsI衰減時(shí)間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)?。s為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長難度急劇增加。CeYAG閃爍晶體具有快衰...

我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學(xué)式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長方向 ，高純 Ar 氣氛，具體生長方法見第二章所述。如圖 5-1，生長的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發(fā)熱體質(zhì)量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長出來的晶體經(jīng)過高溫空氣退火 24 小時(shí)后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經(jīng)空氣退火后加工，從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質(zhì)，中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分，經(jīng)再...

物質(zhì)的有效原子序數(shù)可由公式計(jì)算：式中，Wi為構(gòu)成晶體的原子I的重量百分比，Zi為構(gòu)成晶體的原子I的有效原子數(shù)。從公式中可以看出，大的有效原子序數(shù)往往與重密度不一致。此外，在許多場合下，經(jīng)常使用吸收系數(shù)()、輻射長度(X0)和摩爾半徑(RM)來代替晶體的有效原子序數(shù)或密度來表征無機(jī)閃爍晶體的性能。這些性能參數(shù)與晶體的密度()和有效原子序數(shù)(z)之間的關(guān)系如下[14][24]。，RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)(ne是晶體中的電子密度和吸收截面，a是原子量)當(dāng)I (t)=i0/e時(shí)，t=就是所謂的光衰減常數(shù)。閃爍晶體是核醫(yī)學(xué)影像設(shè)備比如X光、CT等檢查設(shè)備的關(guān)鍵部件。重慶國產(chǎn)C...

Ce：YAG晶體的硬度能達(dá)到多少？深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機(jī)閃爍晶體。無機(jī)閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對(duì)的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對(duì)發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心，其能量轉(zhuǎn)移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對(duì)。同時(shí)，電子-空穴對(duì)在與晶格相互作用時(shí)也會(huì)產(chǎn)生自陷，比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心，這個(gè)Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機(jī)制中起著重要作用。閃爍晶體是典型的光電轉(zhuǎn)換材料。山西新型CeYAG晶體規(guī)格鈰離子摻雜氧化物...

深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機(jī)閃爍晶體。無機(jī)閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對(duì)的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對(duì)發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心，其能量轉(zhuǎn)移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對(duì)。同時(shí)，電子-空穴對(duì)在與晶格相互作用時(shí)也會(huì)產(chǎn)生自陷，比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心，這個(gè)Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機(jī)制中起著重要作用。CeYAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。貴州雙折射CeYAG晶體廠家大功率LED照明的需求越來越大，但隨著藍(lán)光L...

高光輸出快速衰減閃爍晶體的基本理論，閃爍效率和光輸出，無機(jī)閃爍晶體的光輸出(LR)直接由閃爍晶體的閃爍效率()決定。因此，研究閃爍晶體的轉(zhuǎn)換效率在高光輸出閃爍晶體的研究中起著重要的作用。許多文獻(xiàn)[13]、[14]、[17]、[51]和[56]報(bào)道了閃爍材料閃爍效率的機(jī)理，并建立了許多理論模型。一般來說，根據(jù)閃爍體的閃爍機(jī)理(如1.1.1節(jié)所述)，閃爍的總量子效率()可以表示為發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)換效率()、能量轉(zhuǎn)移效率(S)和熒光量子效率(Q)的乘積。Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快。河北雙折射CeYAG晶體制造鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性...

通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強(qiáng)度從零瞬開始增加，并達(dá)到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當(dāng)用一階動(dòng)力學(xué)處理時(shí))，晶體生長的適宜溫度場主要通過選擇和調(diào)整石墨加熱器、鉬坩堝和鉬反射保溫屏的形狀和相對(duì)位置來獲得。所用鉬坩堝的尺寸為78毫米h70毫米，鉬坩堝錐形下部的籽晶槽中填充有111方向的純釔鋁石榴石籽晶。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。結(jié)晶完成后，晶體在爐內(nèi)原位退火，待爐內(nèi)溫度降至室溫后取出晶體。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出，但晶體下部經(jīng)常與坩堝粘結(jié)，導(dǎo)致出坩堝取晶體時(shí)晶體下部邊緣開裂。整個(gè)晶體內(nèi)部質(zhì)量完好無損CeYAG閃爍晶體具...

一般來說，m值越大意味著檢波器的信噪比越好。當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，可以得出：無機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無機(jī)閃爍晶體的光輸出。如今無機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制不斷...

從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。然而，用提拉法很難獲得大尺寸、高質(zhì)量的Ce:YAG閃爍晶體。一方面，提拉法生長的晶體尺寸直接受到所用銥坩堝尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)離子的半徑相差較大，且Ce離子在YAG晶體中的偏析系數(shù)很小(~ 0.1)，在提拉法生長后期往往會(huì)發(fā)生成分過冷，嚴(yán)重影響Ce:YAG晶體的質(zhì)量。為了克服提拉法生長的大尺寸、高質(zhì)量的碳：釔鋁石榴石閃爍晶體的缺點(diǎn)，我們第1次用溫度梯度法(TGT)成功地生長了一種三英寸的碳：釔鋁石榴石高溫閃爍晶體超薄片CeYAG晶體訂做價(jià)格研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)...

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一種藍(lán)光半導(dǎo)體激光器激發(fā)CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng)，包括藍(lán)光半導(dǎo)體激光器，光學(xué)耦合透鏡組，光纖，CeYAG晶體模塊，光學(xué)透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(gè)(N≥1)藍(lán)光半導(dǎo)體激光器經(jīng)過光學(xué)耦合透鏡組的準(zhǔn)直和聚焦，耦合進(jìn)光纖，多根光纖可以進(jìn)行捆綁合束，也可以進(jìn)行熔融拉錐合束，從光纖出來的藍(lán)光半導(dǎo)體激光激發(fā)具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊，產(chǎn)生490～700nm波段的熒光(即受激發(fā)熒光)，并通過對(duì)CeYAG晶體模塊的光學(xué)設(shè)計(jì)達(dá)到對(duì)透射的藍(lán)色激光和受激發(fā)熒光的勻化，光學(xué)透鏡組對(duì)CeYAG晶體模塊勻化后的光線進(jìn)行配光曲線的調(diào)節(jié)，從而產(chǎn)生用于照明領(lǐng)域的均勻白光。Ce:YAG屬于無機(jī)閃...

高能物理和核物理實(shí)驗(yàn)要求無機(jī)閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無機(jī)閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價(jià)格也是一個(gè)重要指標(biāo)，Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？有效原子序數(shù)和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(shù)(Zeff)和密度直接或間接決定了輻射與物質(zhì)的相互作用機(jī)制和輻射的阻擋能力。在X射線或低能射線探測領(lǐng)域，為了增加射線的光電效應(yīng)截面，往往需要閃爍晶體具有較大的有效原子序數(shù)Zeff，而在高能射線應(yīng)用領(lǐng)域，則需要有較高的密度來提高晶體的截止能量。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？湖北大尺寸CeYAG晶體現(xiàn)貨供應(yīng)Ce:YAG 晶體在徑向不同位置的紅外吸收譜圖嗎？在幾乎所有的閃...

白光LED用CeYAG單晶光學(xué)性能及封裝工藝的研究，采用提拉法生長了白光LED用CeYAG單晶，通過吸收光譜、激發(fā)發(fā)射光譜和變溫光譜對(duì)其光學(xué)性能和熱穩(wěn)定性進(jìn)行了表征，并研究了晶片用于封裝白光LED光源中各因素對(duì)其光電性能的影響。CeYAG晶片能被466 nm波長的藍(lán)光有效激發(fā)，產(chǎn)生500~700 nm范圍內(nèi)的寬發(fā)射帶。Ce3+的4f→5d軌道的躍遷吸收對(duì)應(yīng)于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五個(gè)吸收峰，據(jù)此量化分裂的5d能級(jí)能量，依次為21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。溫度升高，Ce3+的2F7/2能量升高導(dǎo)致了發(fā)光強(qiáng)度的降低，可降低幅...

文獻(xiàn)已經(jīng)系統(tǒng)地報(bào)道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能，現(xiàn)總結(jié)如下：相對(duì)光輸出約為NaI:Tl的38-50%；光衰減，對(duì)于γ-射線激發(fā)，快成分衰減時(shí)間約為26.7±0.12ns，強(qiáng)度占89±2%，慢成分衰減常數(shù)為140±10ns，對(duì)于α－粒子激發(fā)快成分衰減常數(shù)為24.8±0.12ns，強(qiáng)度占85±2%，慢成分衰減常數(shù)為100±5ns；中等密度（5.35g/cm3）和中等有效原子序數(shù)（Zeff=39）等。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應(yīng)小，光衰減快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應(yīng)用。CeYAG閃爍晶體的高分辨X光探測器，實(shí)現(xiàn)...

與其它常用閃爍晶體相比，Ce:YAP晶體還具有下列閃爍特征：光輸出的溫度特性好。Ce:YAP晶體光輸出隨溫度變化特性，在25~200oC 區(qū)間內(nèi)，晶體光產(chǎn)額隨溫度增加基本保持不變。與其它晶體如NaI:Tl、BGO和CsI等相比，Ce:YAP的這種對(duì)溫度依賴小的特性可以使其在高溫環(huán)境下使用。 研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴關(guān)系。YAG晶體的礦物學(xué)名稱為釔鋁石榴石，分子式為Y3Al5O12, 屬于立方晶系。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發(fā)射熒光，使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測等領(lǐng)域。閃爍晶體是在高能射線的前提下形成的。吉林國產(chǎn)CeYAG晶體批...

CeYAG單晶與陶瓷的發(fā)光性能，制備了不同Ce~(3+)摻雜濃度(摩爾分?jǐn)?shù))的釔鋁石榴石(YAG)單晶和陶瓷，并對(duì)激光激發(fā)CeYAG單晶和陶瓷的光通量、光電轉(zhuǎn)換效率、顯色指數(shù)及色溫進(jìn)行了研究。在電流為2.6A的激光激發(fā)下，Ce~(3+)摻雜濃度為0.3%的陶瓷的光通量較高，為617.2lm;Ce~(3+)摻雜濃度為0.5%的單晶的顯色指數(shù)較高，為62，色溫為5841K。在功率為2.61W、材料中心功率密度達(dá)10.8W·mm-2的激光激發(fā)下，CeYAG單晶和陶瓷的光轉(zhuǎn)換均未達(dá)到飽和，對(duì)應(yīng)的光-光轉(zhuǎn)換效率均約為240lm·W-1。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在高功率密度激光激發(fā)下，陶瓷和單晶均適用于產(chǎn)生高亮度白...

深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機(jī)閃爍晶體。無機(jī)閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對(duì)的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對(duì)發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心，其能量轉(zhuǎn)移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對(duì)。同時(shí)，電子-空穴對(duì)在與晶格相互作用時(shí)也會(huì)產(chǎn)生自陷，比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心，這個(gè)Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機(jī)制中起著重要作用。CeYAG晶體發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。遼寧雙折射CeYAG晶體批發(fā)價(jià)...

以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)，CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度及驅(qū)動(dòng)電壓的變化對(duì)其發(fā)射光譜，色坐標(biāo)，亮度，光視效能和色溫的影響. 研究結(jié)果表明，在基于CeYAG單晶的白光LED中，發(fā)射光的色坐標(biāo)以及藍(lán)光與黃綠光之間的相對(duì)強(qiáng)度可通過對(duì)CeYAG單晶片厚度的改變進(jìn)行調(diào)整.在恒定電壓驅(qū)動(dòng)下，白光LED樣品的亮度，光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加.當(dāng)CeYAG單晶厚度為0.6mm時(shí)，可獲得較純的白發(fā)射光，并且 其色坐標(biāo)具有較高的可靠性和穩(wěn)定性，基本不受驅(qū)動(dòng)電壓變化的影響.研究結(jié)果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。釔鋁石榴石晶體由于...

你對(duì)CeYAG晶體了解多少呢？和小編一起來看看吧，CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，除了高能射線探測成像應(yīng)用外，在高能物理與核物理實(shí)驗(yàn)、安檢、醫(yī)療等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。CeYAG晶體是立方結(jié)構(gòu)，并且很容易制造出透明的對(duì) 稱性很好的該晶體，非常適合用于白光LED的制造。CeYAG單晶制備工藝復(fù)雜，難以制備大尺寸，高摻雜濃度等缺點(diǎn)，限制了其應(yīng)用。由于YAG具有立方相晶體結(jié)構(gòu)，具有光學(xué)均勻性，無雙折射效應(yīng)等特征。再是晶體狀態(tài)，這表明光纖拉制過程中芯棒與套管之間存在擴(kuò)散現(xiàn)象.光纖在314nm光泵浦的情況下，產(chǎn)生約67nm(FWHM)光譜寬度的熒光輻射。CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨(dú)特的優(yōu)勢也備受人們的關(guān)注.為了填補(bǔ)我國在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白，本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對(duì)象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發(fā)展趨勢，重點(diǎn)開展了提拉法與溫梯法生長Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出。廣西白光LED用CeYAG晶體直供CeYAG晶體色心和缺陷的伽馬射線輻照研...

CeYAG晶體色心和缺陷的伽馬射線輻照研究，利用伽瑪射線研究了Ce3+:Y3AlO12晶體的輻照色心缺陷，比較了采用提拉法和溫梯法生長的Ce3+Y0Al5O12晶體中產(chǎn)生的不同色心缺陷，并利用吸收光譜，激發(fā)發(fā)射光譜和退火等方法分析了晶體中235nm和370nm色心吸收帶的形成原因，指出晶體中的235nm吸收帶由F+色心引起.進(jìn)一步分析了YAG晶體的輻照，證實(shí)了370nm色心的來源，表明370nm吸收帶與F-類色心相關(guān)。一直到1992年，Ce:YAG晶體才被提出用作閃爍材料而引起人們的興趣。接著，Moszynski和Ludziejewski等人分別于1994年和1997年對(duì)Ce:YAG晶體的閃爍...

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點(diǎn)是其發(fā)光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間（約70ns，而CsI衰減時(shí)間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)?。s為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長難度急劇增加。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系...