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釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料,例如,Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、**醫(yī)療、以及科研等領(lǐng)域。特別是近二十年來,隨著LD泵浦固體激光器的迅猛發(fā)展,國(guó)際上對(duì)Yb:YAG激光晶體又掀起研究高潮,出現(xiàn)了大量的文獻(xiàn)報(bào)道。早期為了發(fā)展可調(diào)諧激光晶體,人們研究了Ce:YAG晶體的光學(xué)特性,由于存在嚴(yán)重的激發(fā)態(tài)吸收,使得Ce:YAG的研究停滯不前[。盡管1967年,Blasse已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Ce:YAG熒光粉[98]具有優(yōu)良的閃爍性能,但是對(duì)其單晶的研究并沒有受到足夠的重視。在Ce:YAG晶體中,Ce3離子以D2對(duì)稱性取代Y3位。浙江雙折射CeYAG晶體直供
Ce:YAG晶體的硬度能達(dá)到多少?深剖Ce;YAG晶體,隸屬于無機(jī)閃爍晶體。無機(jī)閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對(duì)的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對(duì)發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心,其能量轉(zhuǎn)移效率高;相反,能量傳遞效率低。這種情況下,電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲,形成各種F-H色心對(duì)。同時(shí),電子-空穴對(duì)在與晶格相互作用時(shí)也會(huì)產(chǎn)生自陷,比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心,這個(gè)Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機(jī)制中起著重要作用。河南新型CeYAG晶體元件在5KV之內(nèi)以及超過100KV的更高加速電壓下,CeYAG晶體具有更好的響應(yīng)。
我們采用溫梯法生長(zhǎng)了Ce:YAG 晶體,原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末,按照化學(xué)式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長(zhǎng)方向 <111>,高純 Ar 氣氛,具體生長(zhǎng)方法見第二章所述。如圖 5-1,生長(zhǎng)的晶體尺寸為Φ110×80mm,呈黃黑色,主要是由發(fā)熱體質(zhì)量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋,外形絕大部分保持完整。生長(zhǎng)出來的晶體經(jīng)過高溫空氣退火 24 小時(shí)后,黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品,樣品經(jīng)空氣退火后加工,從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質(zhì),中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分,經(jīng)再次空氣退火可完全消除。由應(yīng)力儀下觀察的結(jié)果來看,晶體中無明顯應(yīng)力,也沒有因小面生長(zhǎng)現(xiàn)象而產(chǎn)生的**,說明晶體生長(zhǎng)過程中固液界面較平。
根據(jù)經(jīng)典熒光理論,參數(shù)q也可以由公式(1.15) [14]計(jì)算。公式中,Wr和Wnr分別為輻射和非輻射躍遷概率;c是猝滅常數(shù),Eq是猝滅能,kb是為玻爾茲曼常數(shù),t是完全溫度。分析表明,光輸出主要與晶體的帶隙、基體的組成和結(jié)構(gòu)、能量傳輸效率和溫度有關(guān)。當(dāng)帶隙變?yōu)榱銜r(shí),閃爍晶體將獲得比較大光輸出。但一般情況下,當(dāng)Eg小于2eV時(shí),無輻射躍遷的概率會(huì)增大,從而Q變小,光輸出變小。結(jié)果表明,摻鈰離子閃爍晶體的光輸出差異主要是由S 的差異引起的。CeYAG閃爍晶體是將高能轉(zhuǎn)換為可見光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料。
在顯示正?;虍惓9δ芊矫?,PET具有其他成像方法無法替代的優(yōu)勢(shì)。在發(fā)達(dá)國(guó)家,正電子發(fā)射斷層掃描已經(jīng)成為一種很廣使用的臨床診斷方法。例如,自1998年以來,美國(guó)食品和藥物管理局(FDA)和衛(wèi)生保健金融管理局(HCFA)已同意為11種正電子發(fā)射斷層掃描成像診斷付費(fèi),包括心臟、大腦、心肌、中瘤、腫溜證、阿爾茨海默病等的診斷,使正電子發(fā)射斷層掃描技術(shù)成為人類主要疾病臨床診斷的重要方法? 哪里可以定制Ce:YAG?通常,在閃爍晶體中,閃爍光的強(qiáng)度從零瞬開始增加,并達(dá)到比較大值I0(t=0),然后閃爍光將指數(shù)衰減(當(dāng)用一階動(dòng)力學(xué)處理時(shí)) 。CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能,采用溫梯法制備。河南新型CeYAG晶體元件
CeYAG晶體發(fā)光中心波長(zhǎng)為550nm,可以與硅光二極管等探測(cè)設(shè)備有效耦合。浙江雙折射CeYAG晶體直供
電子元器件自主可控是指在研發(fā)、生產(chǎn)和保證等環(huán)節(jié),主要依靠國(guó)內(nèi)科研生產(chǎn)力量,在預(yù)期和操控范圍內(nèi),滿足信息系統(tǒng)建設(shè)和信息化發(fā)展需要的能力。電子元器件關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用,對(duì)電子產(chǎn)品和信息系統(tǒng)的功能性能影響至關(guān)重要,涉及到工藝、合物半導(dǎo)體、微納系統(tǒng)芯片集成、器件驗(yàn)證、可靠性等。當(dāng)前國(guó)內(nèi)Ce:YAG,Ce:YAP,Tm:YAP,Yb:YAG行業(yè)發(fā)展迅速,我國(guó) 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展已走在世界前列,但在整體產(chǎn)業(yè)鏈布局方面,我國(guó)企業(yè)主要處于產(chǎn)業(yè)鏈的中下游。在產(chǎn)業(yè)鏈上游,尤其是Ce:YAG,Ce:YAP,Tm:YAP,Yb:YAG和器件等重點(diǎn)環(huán)節(jié),技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國(guó)外。目前汽車行業(yè)、醫(yī)治、航空、通信等領(lǐng)域的無一不刺激著電子元器件。就拿近期的熱門話題“5G”來說,新的領(lǐng)域需要新的技術(shù)填充?!?G”所需要的元器件開發(fā)有限責(zé)任公司(自然)要求相信也是會(huì)更高,制造工藝更難。利用物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能等技術(shù)推動(dòng)加工產(chǎn)品智能化升級(jí)。信息消費(fèi)5G先行,完善信息服務(wù)基礎(chǔ)建設(shè):信息消費(fèi)是居民、相關(guān)部門對(duì)信息產(chǎn)品和服務(wù)的使用,包含產(chǎn)品和服務(wù)兩大類,產(chǎn)品包括手機(jī)、電腦、平板、智能電視和VR/AR等。浙江雙折射CeYAG晶體直供
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