Ce:YAG晶體的發(fā)射峰的中心波長約為550nm嗎?無機閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機理之電子空穴對的產(chǎn)生。電子-空穴對的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā),電子-電子和電子-聲子的弛豫,以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知,高能射線不能直接電離和激發(fā)無機閃爍晶體中的原子。相反,它們通過光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對效應(yīng)產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當(dāng)入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時,主要發(fā)生光電效應(yīng),即高能射線與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級光電子。閃爍晶體可用于輻射探測和安全防護(hù)。上海人工CeYAG晶體品牌
CeYAG晶體最大直徑多少?閃爍過程的三個步驟(a . 電子空穴對產(chǎn)生;電子空穴被傳送到發(fā)光中心;c .從發(fā)光中心輻射的熒光)到閃爍的總效率。在以上三個參數(shù)中,很難建立能量傳遞的理論模型,因此很難計算出S [51][56]??梢钥隙ǖ氖?,無機閃爍晶體中的各種缺陷會俘獲電子空穴對,使S值 大降低。與參數(shù)s相比,參數(shù)和q可以從理論上計算出來。根據(jù)羅賓斯[19]和阿雷米普奇[51]提出的模型。公式中,Ei為電離能;是產(chǎn)生實際產(chǎn)生一個電子空穴對所需的能量;k為能量損失分?jǐn)?shù),與高頻介電常數(shù)(),靜電常數(shù)()和光學(xué)縱模聲子能量()有關(guān)。Lf是電子(或空穴)損失的能量分?jǐn)?shù)。上海人工CeYAG晶體品牌Ce:YAG晶體光產(chǎn)額是多少?
CeYAG晶體的優(yōu)勢:發(fā)射波長與硅光二極管的靈敏探測波長匹配,衰減快,沒有余暉,不潮解、耐高溫、化學(xué)性能穩(wěn)定,可以應(yīng)用于極端的探測環(huán)境。CeYAG作為閃爍晶體,具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖,并且它的發(fā)光峰(550nm)能很好的與硅光二極管的靈敏探測波長匹配,耦合效率高,適合于在用光電二極管作為光探測器和探測輕帶電粒子時使用。另外,CeYAG晶體還用作陰極射線管的熒光體,并可用于白光LED作為熒光轉(zhuǎn)換材料。希望以上的一些介紹能夠幫助到你。
隨著核物理和高能物理的發(fā)展,出現(xiàn)了一個必須解決的問題,那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個問題,世界上正在建造能量不斷增加的大型對撞機和加速器。這些裝置上用來測量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針稱為電磁量熱儀,閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例如,美國斯坦福線性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進(jìn)行Babar和BELLE實驗、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進(jìn)行CMS實驗等。表1-3列出了近年來世界上重要高能物理實驗中使用的無機閃爍晶體[27][28]。在5KV之內(nèi)以及超過100KV的更高加速電壓下,CeYAG晶體具有更好的響應(yīng)。
文獻(xiàn)已經(jīng)系統(tǒng)地報道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能,現(xiàn)總結(jié)如下:相對光輸出約為NaI:Tl的38-50%;光衰減,對于γ-射線激發(fā),快成分衰減時間約為26.7±0.12ns,強度占89±2%,慢成分衰減常數(shù)為140±10ns,對于α-粒子激發(fā)快成分衰減常數(shù)為24.8±0.12ns,強度占85±2%,慢成分衰減常數(shù)為100±5ns;中等密度(5.35g/cm3)和中等有效原子序數(shù)(Zeff=39)等。另外,與CsI:Tl閃爍晶體相比,Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應(yīng)小,光衰減快,不潮解等,因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應(yīng)用。CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域。黑龍江生長CeYAG晶體定制
在行李安檢、集裝箱檢查、環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域,閃爍晶體都發(fā)揮著不可替代的作用。上海人工CeYAG晶體品牌
一般來說,m值越大意味著檢波器的信噪比越好。當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時,晶體中電子空穴對Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān)),可以得出:無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(,Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48,000 ph/mev)。將其他無機閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對值(%NaI(Tl))稱為“相對光輸出”。相對光輸出通常用于表征無機閃爍晶體的光輸出。上海人工CeYAG晶體品牌
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