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湖北國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體企業(yè)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-06-20

什么是閃爍晶體?關(guān)于閃爍晶體你對(duì)它了解多不多?和小編來(lái)看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界,是因?yàn)檠劬δ芙邮罩車矬w發(fā)出或反射的可見(jiàn)光,但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見(jiàn)的高能射線或粒子,甚至普通的傳感器也無(wú)法直接探測(cè)到,人們必須借助一類被稱為閃爍晶體的特殊材料,才能感知到它們的存在。閃爍晶體置于光電倍增管和準(zhǔn)直器之間,其作用是將熒光轉(zhuǎn)化為γ射線。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭eYAG晶體發(fā)光中心波長(zhǎng)為550nm,可以與硅光二極管等探測(cè)設(shè)備有效耦合。湖北國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體企業(yè)

CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰,這是Ce3+的特征吸收峰。目前商用白光LED中使用的藍(lán)光芯片的發(fā)射波長(zhǎng)為460nm。中心波長(zhǎng)460nm的CeYAG單晶的寬吸收帶表明,它能有效地吸收藍(lán)晶片發(fā)出的藍(lán)光,將藍(lán)晶片發(fā)出的藍(lán)光和CeYAG晶片發(fā)出的黃光疊加成白光。此外,CeYAG單晶具有良好的熱穩(wěn)定性,這對(duì)大功率白光LED器件的制造尤為重要。隨著CeYAG晶片厚度的增加,藍(lán)晶片和CeYAG晶片封裝的白光LED器件的光效率逐漸提高,色溫和顯色指數(shù)逐漸降低,隨著晶片厚度的增加,Ce3+的含量相對(duì)增加。吸收的藍(lán)光越多,發(fā)出的黃光越多,導(dǎo)致晶圓的發(fā)光從藍(lán)色變成白色變成黃色。湖北國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體企業(yè)通常,在閃爍晶體中,閃爍光的強(qiáng)度從零瞬開(kāi)始增加,并達(dá)到比較大值I0(t=0)。

以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED),研究了CeYAG單晶厚度及驅(qū)動(dòng)電壓的變化對(duì)其發(fā)射光譜、色坐標(biāo)、亮度、光視效能和色溫的影響。研究結(jié)果表明,在基于CeYAG單晶的白光LED中,發(fā)射光的色坐標(biāo)以及藍(lán)光與黃綠光之間的相對(duì)強(qiáng)度可通過(guò)對(duì)CeYAG單晶片厚度的改變進(jìn)行調(diào)整。在恒定電壓驅(qū)動(dòng)下,白光LED樣品的亮度、光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加。當(dāng)CeYAG單晶厚度為0.6 mm時(shí),可獲得較純的白發(fā)射光,并且其色坐標(biāo)具有較高的可靠性和穩(wěn)定性,基本不受驅(qū)動(dòng)電壓變化的影響。研究結(jié)果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。

電子-空穴對(duì)的數(shù)量直接決定了無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。假設(shè)產(chǎn)生一對(duì)電子-空穴對(duì)所需的平均能量為eh,光子的能量E全部被閃爍晶體吸收,那么無(wú)機(jī)閃爍晶體形成的電子-空穴對(duì)的數(shù)目Neh可以由下式表示Neh=Er/ξeh=Er/βEg 當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí),晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān)),可以得出:無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(,Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。CeYAG晶體能與硅光二極管有效耦合,耐高溫不潮解,可在極端條件下應(yīng)用。

物質(zhì)的有效原子序數(shù)可由公式計(jì)算:式中,Wi為構(gòu)成晶體的原子I的重量百分比,Zi為構(gòu)成晶體的原子I的有效原子數(shù)。從公式中可以看出,大的有效原子序數(shù)往往與重密度不一致。此外,在許多場(chǎng)合下,經(jīng)常使用吸收系數(shù)()、輻射長(zhǎng)度(X0)和摩爾半徑(RM)來(lái)代替晶體的有效原子序數(shù)或密度來(lái)表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的性能。這些性能參數(shù)與晶體的密度()和有效原子序數(shù)(z)之間的關(guān)系如下[14][24]。,RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)(ne是晶體中的電子密度和吸收截面,a是原子量)當(dāng)I (t)=i0/e時(shí),t=就是所謂的光衰減常數(shù)。閃爍晶體是在高能射線的前提下形成的。湖北國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體企業(yè)

無(wú)機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半個(gè)世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。湖北國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體企業(yè)

在顯示正?;虍惓9δ芊矫?,PET具有其他成像方法無(wú)法替代的優(yōu)勢(shì)。在發(fā)達(dá)國(guó)家,正電子發(fā)射斷層掃描已經(jīng)成為一種很廣使用的臨床診斷方法。例如,自1998年以來(lái),美國(guó)食品和藥物管理局(FDA)和衛(wèi)生保健金融管理局(HCFA)已同意為11種正電子發(fā)射斷層掃描成像診斷付費(fèi),包括心臟、大腦、心肌、中瘤、腫溜證、阿爾茨海默病等的診斷,使正電子發(fā)射斷層掃描技術(shù)成為人類主要疾病臨床診斷的重要方法? 哪里可以定制Ce:YAG?通常,在閃爍晶體中,閃爍光的強(qiáng)度從零瞬開(kāi)始增加,并達(dá)到比較大值I0(t=0),然后閃爍光將指數(shù)衰減(當(dāng)用一階動(dòng)力學(xué)處理時(shí)) 。湖北國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體企業(yè)

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