CeYAG單晶復(fù)合紅色熒光粉的制備及其在白光LED上的應(yīng)用，采用提拉法生長(zhǎng)了CeYAG單晶，并以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度的變化對(duì)其色坐標(biāo)，亮度，發(fā)光效率和色溫的影響.由于460nm藍(lán)光芯片激發(fā)的CeYAG單晶白光LED缺少紅光成分，采用流延法將紅色熒光粉CaAlSiN_3:Eu~(2+)涂覆在CeYAG單晶襯底上制備白光LED.制備的白光LED色度隨紅粉含量的變化由冷白光逐漸向暖白光區(qū)域移動(dòng)，色溫逐漸降低，顯色指數(shù)上升。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？河南白光LED用CeYAG晶體價(jià)格

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點(diǎn)是其發(fā)光中心波長(zhǎng)為550nm，可以與硅光二極管等探測(cè)設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間（約70ns，而CsI衰減時(shí)間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，主要應(yīng)用在輕粒子探測(cè)、α粒子探測(cè)、gamma射線(xiàn)探測(cè)等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測(cè)成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)?。s為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長(zhǎng)難度急劇增加。河北大尺寸CeYAG晶體批發(fā)報(bào)價(jià)CeYAG作為閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖。

白光LED用CeYAG單晶光學(xué)性能及封裝工藝的研究，采用提拉法生長(zhǎng)了白光LED用CeYAG單晶，通過(guò)吸收光譜、激發(fā)發(fā)射光譜和變溫光譜對(duì)其光學(xué)性能和熱穩(wěn)定性進(jìn)行了表征，并研究了晶片用于封裝白光LED光源中各因素對(duì)其光電性能的影響。CeYAG晶片能被466 nm波長(zhǎng)的藍(lán)光有效激發(fā)，產(chǎn)生500~700 nm范圍內(nèi)的寬發(fā)射帶。Ce3+的4f→5d軌道的躍遷吸收對(duì)應(yīng)于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五個(gè)吸收峰，據(jù)此量化分裂的5d能級(jí)能量，依次為21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。溫度升高，Ce3+的2F7/2能量升高導(dǎo)致了發(fā)光強(qiáng)度的降低，可降低幅度(13.28%)不大。

深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無(wú)機(jī)閃爍晶體。無(wú)機(jī)閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過(guò)程包括從熱化電子-空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對(duì)的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對(duì)發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心，其能量轉(zhuǎn)移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對(duì)。同時(shí)，電子-空穴對(duì)在與晶格相互作用時(shí)也會(huì)產(chǎn)生自陷，比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心，這個(gè)Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機(jī)制中起著重要作用。無(wú)機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半個(gè)世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。

電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過(guò)程。眾所周知，高能射線(xiàn)不能直接電離和激發(fā)無(wú)機(jī)閃爍晶體中的原子。相反，它們通過(guò)光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當(dāng)入射射線(xiàn)具有中等能量(幾百KeV左右)時(shí)，主要發(fā)生光電效應(yīng)，即高能射線(xiàn)與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級(jí)光電子。閃爍晶體可用于輻射探測(cè)和安全防護(hù)。廣西國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體直銷(xiāo)

CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫。河南白光LED用CeYAG晶體價(jià)格

當(dāng)您外出旅行攜帶行李通過(guò)安檢時(shí)，當(dāng)患者就診做CT造影時(shí)，您或許不知道閃爍晶體正在為人們的安全和健康作出貢獻(xiàn)。事實(shí)上，閃爍晶體作為高級(jí)射線(xiàn)探測(cè)裝備關(guān)鍵部件的關(guān)鍵材料。隨著高重頻輻射成像技術(shù)的發(fā)展和時(shí)間飛行技術(shù)在核醫(yī)學(xué)成像領(lǐng)域的應(yīng)用，超快閃爍晶體的重要性愈加凸顯，已經(jīng)成為閃爍晶體研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)方向。閃爍晶體是單晶態(tài)的閃爍體材料，是應(yīng)用較廣的一類(lèi)閃爍體材料，在高能物理、核物理、天體物理、安全檢查、醫(yī)學(xué)成像、工業(yè)探傷、環(huán)境監(jiān)控以及資源、能源勘探等諸多與國(guó)計(jì)民生息息相關(guān)領(lǐng)域，具有非常廣的應(yīng)用。例如，在地鐵站和機(jī)場(chǎng)等場(chǎng)所使用的行包安檢機(jī)，就是利用閃爍晶體探測(cè)穿透行包的X射線(xiàn)，從而實(shí)現(xiàn)不開(kāi)箱查驗(yàn)管制刀具等違禁物品。河南白光LED用CeYAG晶體價(jià)格

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