高光輸出快速衰減閃爍晶體的基本理論，閃爍效率和光輸出，無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出(LR)直接由閃爍晶體的閃爍效率()決定。因此，研究閃爍晶體的轉(zhuǎn)換效率在高光輸出閃爍晶體的研究中起著重要的作用。許多文獻(xiàn)[13]、[14]、[17]、[51]和[56]報(bào)道了閃爍材料閃爍效率的機(jī)理，并建立了許多理論模型。一般來(lái)說(shuō)，根據(jù)閃爍體的閃爍機(jī)理(如1.1.1節(jié)所述)，閃爍的總量子效率()可以表示為發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)換效率()、能量轉(zhuǎn)移效率(S)和熒光量子效率(Q)的乘積。Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快。河北雙折射CeYAG晶體制造

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無(wú)機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無(wú)機(jī)閃爍晶體。河北雙折射CeYAG晶體制造閃爍晶體可用于輻射探測(cè)和安全防護(hù)。

CeYAG單晶復(fù)合紅色熒光粉的制備及其在白光LED上的應(yīng)用，采用提拉法生長(zhǎng)了CeYAG單晶，并以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度的變化對(duì)其色坐標(biāo)，亮度，發(fā)光效率和色溫的影響.由于460nm藍(lán)光芯片激發(fā)的CeYAG單晶白光LED缺少紅光成分，采用流延法將紅色熒光粉CaAlSiN_3:Eu~(2+)涂覆在CeYAG單晶襯底上制備白光LED.制備的白光LED色度隨紅粉含量的變化由冷白光逐漸向暖白光區(qū)域移動(dòng)，色溫逐漸降低，顯色指數(shù)上升。

發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻?qū)?huì)導(dǎo)致探測(cè)元件閃爍性能的差異，在一定程度上降低了閃爍探測(cè)器的整機(jī)性能。研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴關(guān)系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(shù)(快成分與慢成分)隨Ce離子的濃度的變化關(guān)系。從表1-12中可以看出隨著濃度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶體的光輸出增大（1000－1420phe/Mev），當(dāng)濃度繼續(xù)增加到1.08%時(shí)，其光輸出又減小為1270phe/Mev。 結(jié)果表明溫梯法生長(zhǎng)的Ce: YAG 晶體在高能射線和中子探測(cè)方面具有較大的應(yīng)用價(jià)值。如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動(dòng)，發(fā)射波長(zhǎng)為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。

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CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫。河北雙折射CeYAG晶體制造

為進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進(jìn)新型Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG的技術(shù)進(jìn)步與應(yīng)用水平提高，在 5G 商用爆發(fā)前夕，2019 中國(guó) 5G Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG重點(diǎn)展示關(guān)鍵元器件及設(shè)備，旨在助力Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG行業(yè)把握發(fā)展機(jī)遇，實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展。電子元器件自主可控是指在研發(fā)、生產(chǎn)和保證等環(huán)節(jié)，主要依靠國(guó)內(nèi)科研生產(chǎn)力量，在預(yù)期和操控范圍內(nèi)，滿足信息系統(tǒng)建設(shè)和信息化發(fā)展需要的能力。電子元器件關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用，對(duì)電子產(chǎn)品和信息系統(tǒng)的功能性能影響至關(guān)重要，涉及到工藝、合物半導(dǎo)體、微納系統(tǒng)芯片集成、器件驗(yàn)證、可靠性等。根據(jù)近幾年的數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)已然成為世界極大的電子元器件市場(chǎng)，每年的進(jìn)口額高達(dá)2300多億美元，超過(guò)石油進(jìn)口金額。但是根本的痛點(diǎn)仍然沒(méi)有得到解決——眾多的有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)，資歷不深缺少金錢(qián)，缺乏人才，渠道和供應(yīng)鏈也是缺少，而其中困惱還是忠實(shí)用戶的數(shù)量。當(dāng)前國(guó)內(nèi)Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG行業(yè)發(fā)展迅速，我國(guó) 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展已走在世界前列，但在整體產(chǎn)業(yè)鏈布局方面，我國(guó)企業(yè)主要處于產(chǎn)業(yè)鏈的中下游。在產(chǎn)業(yè)鏈上游，尤其是Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG和器件等重點(diǎn)環(huán)節(jié)，技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國(guó)外。河北雙折射CeYAG晶體制造

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