目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨特的優(yōu)勢也備受人們的關(guān)注.為了填補我國在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白，本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發(fā)展趨勢，重點開展了提拉法與溫梯法生長Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出。廣西白光LED用CeYAG晶體直供
CeYAG晶體色心和缺陷的伽馬射線輻照研究，利用伽瑪射線研究了Ce3+:Y3AlO12晶體的輻照色心缺陷，比較了采用提拉法和溫梯法生長的Ce3+Y0Al5O12晶體中產(chǎn)生的不同色心缺陷，并利用吸收光譜，激發(fā)發(fā)射光譜和退火等方法分析了晶體中235nm和370nm色心吸收帶的形成原因，指出晶體中的235nm吸收帶由F+色心引起.進一步分析了YAG晶體的輻照，證實了370nm色心的來源，表明370nm吸收帶與F-類色心相關(guān)。一直到1992年，Ce:YAG晶體才被提出用作閃爍材料而引起人們的興趣。接著，Moszynski和Ludziejewski等人分別于1994年和1997年對Ce:YAG晶體的閃爍性能進行了較為系統(tǒng)的研究，并指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)良的閃爍性能。 廣西白光LED用CeYAG晶體直供Ce:YAG晶體的發(fā)射峰的中心波長約為550nm嗎？
高能物理和核物理實驗要求無機閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無機閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價格也是一個重要指標(biāo) 什么YAG晶體可以用于極端的探測環(huán)境中？此外，在較高濃度或溫度的情況下，閃爍晶體中的發(fā)光中心也可以通過濃度或熱猝滅產(chǎn)生較短的光衰減，但這往往伴隨著晶體光輸出的降低。閃爍晶體的品質(zhì)因數(shù)，Birks第1次將品質(zhì)因數(shù)(m)的概念引入無機閃爍晶體的表征中。品質(zhì)因數(shù)是指閃爍晶體的光輸出與光衰減的比值，國內(nèi)外對鈰離子摻雜的無機閃爍體進行了大量的研究和探索[40]-[50]，涉及的閃爍體包括氟化合物、溴化物、氧化物和硫化物等無機閃爍體，Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？口碑好的CeYAG晶體服務(wù)電話，有Ce:YAG晶體的光致熒光譜嗎？
CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能，采用溫梯法生長了CeYAG晶體和真空燒結(jié)法制備了CeYAG透明陶瓷，并對晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能進行了對比研究.CeYAG晶體和陶瓷都具有位于230，340和460nm波段的Ce3+離子的特征吸收帶和540nm附近的發(fā)射峰，但CeYAG晶體同時存在296和370nm的色心吸收，其發(fā)射峰位于398nm，而透明陶瓷中不存在.CeYAG晶體和陶瓷的X射線熒光中均存在520nm附近的Ce3+離子發(fā)射，但晶體中還存在由反格位缺陷引起的300nm的發(fā)射.CeYAG晶體和陶瓷的光產(chǎn)額分別為16800和9800photons/MeV，納秒燈激發(fā)下的熒光壽命分別為61.9和62.97ns.CeYAG晶體與陶瓷相比，具有高的光產(chǎn)額和快的熒光衰減特性。在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。
從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。然而，用提拉法很難獲得大尺寸、高質(zhì)量的Ce:YAG閃爍晶體。一方面，提拉法生長的晶體尺寸直接受到所用銥坩堝尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)離子的半徑相差較大，且Ce離子在YAG晶體中的偏析系數(shù)很小(~ 0.1)，在提拉法生長后期往往會發(fā)生成分過冷，嚴(yán)重影響Ce:YAG晶體的質(zhì)量。為了克服提拉法生長的大尺寸、高質(zhì)量的碳：釔鋁石榴石閃爍晶體的缺點，我們第1次用溫度梯度法(TGT)成功地生長了一種三英寸的碳：釔鋁石榴石高溫閃爍晶體超薄片CeYAG晶體訂做價格研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強的依賴關(guān)系。閃爍晶體是核醫(yī)學(xué)影像設(shè)備比如X光、CT等檢查設(shè)備的關(guān)鍵部件。安徽大尺寸CeYAG晶體定制
無機閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣，可用在核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)。廣西白光LED用CeYAG晶體直供
關(guān)于新型閃爍晶體及其應(yīng)用的國際學(xué)術(shù)交流極其頻繁和活躍。例如，關(guān)于新閃爍晶體及其應(yīng)用的第1次國際會議“水晶2000”于1992年在法國夏蒙尼舉行，由“水晶透明協(xié)作”小組主辦。隨后，研究合作小組分別于1994年、1995年、1997年、1999年和2001年在美國，荷蘭，中國和俄羅斯舉行了兩年一次的新型閃爍材料學(xué)術(shù)研討會[39]。這些研討會極大地促進了具有高光輸出和快速衰減的無機閃爍晶體的研究和發(fā)展。特別是鈰離子摻雜的無機閃爍晶體，如Ce:YAP、Ce:LSO和Ce:LuAP，受到了極大的關(guān)注，被認為是新一代高光輸出、快衰減的無機閃爍晶體材料。提拉法生長Ce:YAG晶體?廣西白光LED用CeYAG晶體直供
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