CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)良的快衰變閃爍材料，具有高的光輸出（20000光子MeV），快的發(fā)光衰減（~70ns），優(yōu)異的熱機(jī)械性能，發(fā)光峰值波長(zhǎng)（540nm）與普通光電倍增管（PMT）的接收靈敏波長(zhǎng)很好地匹配和硅光電二極管（PD），良好的光脈沖區(qū)分了γ射線(xiàn)和α粒子，CeYAG適合于探測(cè)α粒子、電子和β射線(xiàn)等帶電粒子，特別是CeYAG單晶良好的力學(xué)性能，使制備厚度小于30um的薄膜成為可能。CeYAG閃爍探測(cè)器應(yīng)用于電子顯微鏡、β和X射線(xiàn)計(jì)數(shù)、電子和X射線(xiàn)成像屏等領(lǐng)域。如果高能射線(xiàn)入射，其熒光光譜向紅色移動(dòng)，發(fā)射波長(zhǎng)為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。山東大尺寸CeYAG晶體廠家直供

與其它常用閃爍晶體相比，Ce:YAP晶體還具有下列閃爍特征：光輸出的溫度特性好。Ce:YAP晶體光輸出隨溫度變化特性，在25~200oC 區(qū)間內(nèi)，晶體光產(chǎn)額隨溫度增加基本保持不變。與其它晶體如NaI:Tl、BGO和CsI等相比，Ce:YAP的這種對(duì)溫度依賴(lài)小的特性可以使其在高溫環(huán)境下使用。 研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴(lài)關(guān)系。YAG晶體的礦物學(xué)名稱(chēng)為釔鋁石榴石，分子式為Y3Al5O12, 屬于立方晶系。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發(fā)射熒光，使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線(xiàn)α粒子的探測(cè)等領(lǐng)域。福建國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體廠家新一代閃爍晶體在核醫(yī)學(xué)影像診斷、安全檢查、地質(zhì)勘探、無(wú)損檢測(cè)等各種射線(xiàn)的探測(cè)領(lǐng)域有著很多應(yīng)用。

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無(wú)機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無(wú)機(jī)閃爍晶體山東專(zhuān)業(yè)加工CeYAG晶體用溫梯法成功生長(zhǎng)了直徑為 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 閃爍晶體，晶體具有良好的外形和光學(xué)性質(zhì)。

隨著核物理和高能物理的發(fā)展，出現(xiàn)了一個(gè)必須解決的問(wèn)題，那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個(gè)問(wèn)題，世界上正在建造能量不斷增加的大型對(duì)撞機(jī)和加速器。這些裝置上用來(lái)測(cè)量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針?lè)Q為電磁量熱儀，閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例如，美國(guó)斯坦福線(xiàn)性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進(jìn)行Babar和BELLE實(shí)驗(yàn)、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進(jìn)行CMS實(shí)驗(yàn)等。表1-3列出了近年來(lái)世界上重要高能物理實(shí)驗(yàn)中使用的無(wú)機(jī)閃爍晶體[27][28]。表1-3近年來(lái)設(shè)計(jì)的晶體量熱儀中使用的無(wú)機(jī)閃爍晶體。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？

Ce:YAG無(wú)機(jī)閃爍晶體的性能表征有哪些？顯然，以NaI:Tl和BGO為表示的傳統(tǒng)無(wú)機(jī)閃爍晶體已經(jīng)不能滿(mǎn)足閃爍晶體在許多應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ω吖廨敵龅目焖偎p要求(前一節(jié)1.2.1.1描述的三個(gè)要求)。而且，隨著閃爍探測(cè)器技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無(wú)機(jī)閃爍晶體的局限性將日益突出。另一方面，市場(chǎng)對(duì)高光輸出快速衰減的新型無(wú)機(jī)閃爍晶體的需求將變得日益迫切。例如，為了提高PET探測(cè)器的時(shí)空分辨率，新一代PET探測(cè)器往往要求無(wú)機(jī)閃爍晶體具有更大的光輸出、更快的衰減常數(shù)(小于100ns)和更高的密度(大于7g/cm3) [41]。無(wú)機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半個(gè)世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。北京CeYAG晶體銷(xiāo)售商

CeYAG閃爍晶體還可以應(yīng)用于電子探測(cè)成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。山東大尺寸CeYAG晶體廠家直供

當(dāng)光線(xiàn)與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，可以得出：無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱(chēng)為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。山東大尺寸CeYAG晶體廠家直供

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