CeYAG閃爍晶體還具有較好的光脈沖區(qū)分γ射線和α粒子的能力，能發(fā)射與硅光二極管有效耦合的550nm 熒光，以及具有YAG基質(zhì)優(yōu)良的物理化學等特征。因此，CeYAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測器可以應用于帶電粒子探測等核物理的實驗中。另外，CeYAG單晶片還可以用作掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測方面有著重要的應用。據(jù)報道現(xiàn)有人研究用CeYAG單晶代替CeYAG熒光粉作高亮白光LED熒光材料。希望以上的一些介紹能夠幫助到你。用CeYAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可應用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。陜西專業(yè)CeYAG晶體定制

電子-空穴對的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無機閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應、康普頓效應和電子對效應產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時，主要發(fā)生光電效應，即高能射線與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級光電子。陜西專業(yè)CeYAG晶體定制新一代閃爍晶體在核醫(yī)學影像診斷、安全檢查、地質(zhì)勘探、無損檢測等各種射線的探測領域有著很多應用。

采用提拉法生長CeYAG單晶，通過X射線衍射和激發(fā)發(fā)射光譜對其晶相結(jié)構(gòu)和光譜特性進行了表征，研究了CeYAG單晶封裝白光LED的較佳摻雜濃度.在455 nm藍光激發(fā)下，CeYAG單晶的發(fā)射光譜可由中心波長526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u)的寬發(fā)射帶(500650 nm)組成激發(fā)光譜由343 nm (4f12F5/2Г7u→5d12EgГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d12EgГ8g)2個激發(fā)峰組成Stokes位移為2448cm-1，Huang-Rhys因子為6.12.研究結(jié)果表明，CeYAG單晶中Ce離子摻雜濃度與封裝的白光LED之間有對應關(guān)系，在650nm紅粉調(diào)節(jié)下Ce離子較佳摻雜濃度范圍為0.0340.066。

隨著高能物理、核物理及相關(guān)科學技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無機閃爍晶體的缺點日益突出。尋找新的高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體具有重要的科學意義和巨大的市場價值。20世紀80年代末和90年代初，國際上掀起了對高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體的研究熱潮。其中，1990年成立的隸屬于歐洲核中心(CERN)的“水晶透明協(xié)作”研究小組，是由來自十幾個國家的材料科學家、固體物理學家和探測器**組成的跨學科研究小組[39]。其主要目標是研究和開發(fā)新的無機閃爍晶體，以滿足日益增長的大型強子對撞機(LHC)和其他高能物理實驗對閃爍探測器的需求。 CeYAG閃爍晶體是將高能轉(zhuǎn)換為可見光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料。

CeYAG晶體，屬于無機閃爍體。無機閃爍晶體研究的真正前奏始于半個世紀前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。經(jīng)過半個多世紀的發(fā)展，無機閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體，如BGO、銫：Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等，而且極大地拓展了閃爍晶體在高能物理和核物理、醫(yī)療、安檢、工業(yè)等領域的應用[2]-[12]；此外，無機閃爍晶體[13]-[23]、[41]、[51]、[56]-[58]的閃爍機制不斷得到改進和發(fā)展，為改進現(xiàn)有閃爍體和尋找性能更好的新型無機閃爍晶體提供了堅實的理論基礎。CeYAG閃爍晶體熱力學性能穩(wěn)定。陜西專業(yè)CeYAG晶體定制

經(jīng)過半個多世紀的發(fā)展，無機閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體。陜西專業(yè)CeYAG晶體定制

高溫閃爍晶體今后的發(fā)展趨勢主要包括以下幾個方面： 1、研究高溫閃爍晶體中存在的各種點缺陷及其對閃爍性能的影響，真正實現(xiàn)無機閃爍晶體的分子優(yōu)化與分子設計。2、發(fā)展混合型高溫閃爍晶體將是今后發(fā)展的趨勢之一。例如，Ce:LuAP高溫閃爍晶體具有十分誘人閃爍性能，但是在晶體生長過程中容易生成石榴石相，很難獲得穩(wěn)定的LuAP相，從而限制了晶體的使用.1近，研究表明，與Ce:LuAP晶體相比，混合型晶體Lux(RE3+)1-xAP:Ce (RE3+ = Y3+ or Gd3+)可以降低晶體生長難度以及生產(chǎn)成本，同時閃爍性能也比較理想。陜西專業(yè)CeYAG晶體定制

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