CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能，采用溫梯法生長了CeYAG晶體和真空燒結(jié)法制備了CeYAG透明陶瓷，并對晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能進行了對比研究.CeYAG晶體和陶瓷都具有位于230，340和460nm波段的Ce3+離子的特征吸收帶和540nm附近的發(fā)射峰，但CeYAG晶體同時存在296和370nm的色心吸收，其發(fā)射峰位于398nm，而透明陶瓷中不存在.CeYAG晶體和陶瓷的X射線熒光中均存在520nm附近的Ce3+離子發(fā)射，但晶體中還存在由反格位缺陷引起的300nm的發(fā)射.CeYAG晶體和陶瓷的光產(chǎn)額分別為16800和9800photons/MeV，納秒燈激發(fā)下的熒光壽命分別為61.9和62.97ns.CeYAG晶體與陶瓷相比，具有高的光產(chǎn)額和快的熒光衰減特性。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。廣西雙折射CeYAG晶體企業(yè)

在顯示正常或異常功能方面，PET具有其他成像方法無法替代的優(yōu)勢。在發(fā)達國家，正電子發(fā)射斷層掃描已經(jīng)成為一種很廣使用的臨床診斷方法。例如，自1998年以來，美國食品和藥物管理局(FDA)和衛(wèi)生保健金融管理局(HCFA)已同意為11種正電子發(fā)射斷層掃描成像診斷付費，包括心臟、大腦、心肌、中瘤、腫溜證、阿爾茨海默病等的診斷，使正電子發(fā)射斷層掃描技術(shù)成為人類主要疾病臨床診斷的重要方法？ 哪里可以定制Ce：YAG？通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強度從零瞬開始增加，并達到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當用一階動力學(xué)處理時) 。廣西雙折射CeYAG晶體企業(yè)新一代閃爍晶體在核醫(yī)學(xué)影像診斷、安全檢查、地質(zhì)勘探、無損檢測等各種射線的探測領(lǐng)域有著很多應(yīng)用。

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級分裂為5個子能級，比較低5d子能級離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點。在可見光范圍內(nèi)可以觀察到4個特征吸收峰，峰值波長分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對應(yīng)比較低5d子能級至2F5/2基態(tài)能級。如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動，發(fā)射波長為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。

文獻已經(jīng)系統(tǒng)地報道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能，現(xiàn)總結(jié)如下：相對光輸出約為NaI:Tl的38-50%；光衰減，對于γ-射線激發(fā)，快成分衰減時間約為26.7±0.12ns，強度占89±2%，慢成分衰減常數(shù)為140±10ns，對于α－粒子激發(fā)快成分衰減常數(shù)為24.8±0.12ns，強度占85±2%，慢成分衰減常數(shù)為100±5ns；中等密度（5.35g/cm3）和中等有效原子序數(shù)（Zeff=39）等。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應(yīng)小，光衰減快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應(yīng)用。當光線與閃爍晶體相互作用時，晶體中電子空穴對Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。

CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)良的快衰變閃爍材料，具有高的光輸出（20000光子MeV），快的發(fā)光衰減（~70ns），優(yōu)異的熱機械性能，發(fā)光峰值波長（540nm）與普通光電倍增管（PMT）的接收靈敏波長很好地匹配和硅光電二極管（PD），良好的光脈沖區(qū)分了γ射線和α粒子，CeYAG適合于探測α粒子、電子和β射線等帶電粒子，特別是CeYAG單晶良好的力學(xué)性能，使制備厚度小于30um的薄膜成為可能。CeYAG閃爍探測器應(yīng)用于電子顯微鏡、β和X射線計數(shù)、電子和X射線成像屏等領(lǐng)域。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？廣西雙折射CeYAG晶體企業(yè)

CeYAG晶體在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。廣西雙折射CeYAG晶體企業(yè)

白光LED用新型YAG單晶熒光材料的制備和光譜性能研究，采用提拉法生長Eu，CeYAG晶體及Gd，CeYAG晶體，并通過吸收光譜，激發(fā)，發(fā)射光譜及電光性能等對晶體材料的光譜特性進行表征.結(jié)果表明，Eu或Gd共摻雜的CeYAG單晶熒光材料均可以被波長460nm左右的藍光芯片有效激發(fā)，產(chǎn)生一個范圍為480~650 nm的寬峰發(fā)射。Eu3或Gd3共摻雜會對Ce3離子的發(fā)光產(chǎn)生影響Eu3離子的摻雜，會對Ce3離子的發(fā)光產(chǎn)生淬滅效應(yīng)。Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？由于Ce離子分凝系數(shù)小，通常在提拉法生長Ce:YAG的后期往往會產(chǎn)生組分過冷而嚴重影響了Ce:YAG晶體的質(zhì)量。廣西雙折射CeYAG晶體企業(yè)

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