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RF)微波和毫米波應(yīng)用，設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應(yīng)用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信，以及醫(yī)學(xué)及科學(xué)成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務(wù)電子。憑借近30年的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新實(shí)踐，Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號(hào)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域有著深厚的積淀，從器件級(jí)到完整子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和裝配，覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.（ADI）收購(gòu)合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱，所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒(méi)用用過(guò)Hittite的WiFiPA，倒是用過(guò)其他頻段GainBlock和PA，查找其官方網(wǎng)站，似乎也只有一款P...

因此在寬帶應(yīng)用中的使用并不。新興GaN技術(shù)的工作電壓為28V至50V，優(yōu)勢(shì)在于更高功率密度及更高截止頻率(CutoffFrequency，輸出訊號(hào)功率超出或低于傳導(dǎo)頻率時(shí)輸出訊號(hào)功率的頻率)，擁有低損耗、高熱傳導(dǎo)基板，開(kāi)啟了一系列全新的可能應(yīng)用，尤其在5G多輸入輸出(MassiveMIMO)應(yīng)用中，可實(shí)現(xiàn)高整合性解決方案。典型的GaN射頻器件的加工工藝，主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長(zhǎng)-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場(chǎng)板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。GaN材料已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN是極穩(wěn)定的化合物，具有強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是高...

通過(guò)微處理器發(fā)出的第五控制信號(hào)和第六控制信號(hào)，控制電壓源檔位的切換，可切換第三mos管的柵極電壓，從而調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)放大電路的放大倍數(shù)。通過(guò)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)放大電路的放大倍數(shù)使射頻功率放大器電路處于不同的增益模式中。第二電壓信號(hào)vcc用于給第二mos管和第三mos管的漏級(jí)供電，其中，通過(guò)微處理器控制vcc的大小。在一些實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙os管和第三mos管的溝道寬度為2mm時(shí)，微控制器控制vcc為，控制電流源為12ma，控制電壓源為，使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式；微控制器控制vcc為，控制電流源為2ma，控制電壓源為，使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式。顯然，可以設(shè)置更多的電壓源的檔位和電流...

比如橫豎屏切換、相關(guān)游戲、磁力計(jì)姿態(tài)校準(zhǔn))、振動(dòng)識(shí)別相關(guān)功能(比如計(jì)步器、敲擊)等；至于終端還可配置的陀螺儀、氣壓計(jì)、濕度計(jì)、溫度計(jì)、紅外線傳感器等其他傳感器，在此不再贅述。音頻電路406、揚(yáng)聲器，傳聲器可提供用戶與終端之間的音頻接口。音頻電路406可將接收到的音頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換后的電信號(hào)，傳輸?shù)綋P(yáng)聲器，由揚(yáng)聲器轉(zhuǎn)換為聲音信號(hào)輸出；另一方面，傳聲器將收集的聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，由音頻電路406接收后轉(zhuǎn)換為音頻數(shù)據(jù)，再將音頻數(shù)據(jù)輸出處理器408處理后，經(jīng)rf電路401以發(fā)送給比如另一終端，或者將音頻數(shù)據(jù)輸出至存儲(chǔ)器402以便進(jìn)一步處理。音頻電路406還可能包括耳塞插孔，以提供外設(shè)耳機(jī)與終端的通...

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及但不限于射頻前端電路，尤其涉及一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。背景技術(shù)：射頻前端系統(tǒng)中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求發(fā)射功率可調(diào)，當(dāng)pa之前射頻收發(fā)器的輸出動(dòng)態(tài)范圍有限時(shí)，就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)。在廣域低功耗通信的應(yīng)用場(chǎng)景中，對(duì)射頻功率放大器電路的增益可調(diào)要求變得更突出，其動(dòng)態(tài)范圍要達(dá)到35～40db，并出現(xiàn)負(fù)增益的需求模式。相關(guān)技術(shù)中通常通過(guò)反饋電路提供的負(fù)反饋來(lái)對(duì)增益進(jìn)行調(diào)節(jié)，但是反饋電路只能增加或減少增益，而不能實(shí)現(xiàn)負(fù)增益，無(wú)法滿足射頻功率放大器電路的負(fù)增益需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種射頻功率放大器電...

其中：串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關(guān)閉狀態(tài)的寄生電容，減少對(duì)后級(jí)驅(qū)動(dòng)放大電路的輸入匹配電路的影響。在負(fù)增益模式下，sw1處在導(dǎo)通狀態(tài)，電阻r主要承擔(dān)對(duì)射頻輸入功率分流后的衰減，sw1主要負(fù)責(zé)射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導(dǎo)通。若系統(tǒng)要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身導(dǎo)通時(shí)寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開(kāi)關(guān)可以用各種半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)，如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二極管等，其中，pin表示：在p和n半導(dǎo)體...

實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式；其中，偏置電路與驅(qū)動(dòng)放大電路連接，第二偏置電路與功率放大電路連接。其中，如圖7所示，偏置電路1020包括：第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、電流源ib、電壓源vg、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第二電容c2、第七電容c7、第十二電容c12、第十三電容c13。第二mos管的漏極電流偏置電路由電流源、第六mos管、第六電阻、第七電阻和第十二電容按照?qǐng)D7所示連接而成。第六電阻、第七電阻和第十二電容組成的t型網(wǎng)絡(luò)，可以起到隔離輸入信號(hào)的作用。第二mos管的寬長(zhǎng)比w/l是第六mos管的寬長(zhǎng)比的c(c遠(yuǎn)大于1)倍，...

vgs是指柵源電壓，vth是指閾值電壓。開(kāi)關(guān)關(guān)斷的寄生電容：coff＝fom/ron。其中fom為半導(dǎo)體工藝商提供的開(kāi)關(guān)ron與coff乘積，單位為fs(飛秒)。另，w/l較大，發(fā)生esd時(shí)有利于能提供直接的低阻抗電流泄放通道。用兩個(gè)sw疊加，相對(duì)單sw，能在esd大電流下保護(hù)sw的mos管不被損壞。當(dāng)可控衰減電路的sw使用了疊管設(shè)計(jì)，兩個(gè)開(kāi)關(guān)sw1和sw2的控制邏輯是一樣的：(1)非負(fù)增益模式下，sw1和sw2同時(shí)關(guān)斷；(2)負(fù)增益模式下，sw1和sw2同時(shí)打開(kāi)。本申請(qǐng)實(shí)施例中的sw1和sw2在應(yīng)用中可以采用絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，也可以...

1)中降低增益的設(shè)計(jì)方案一般包括輸入匹配電路101、驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102、反饋電路103、級(jí)間匹配電路104、功率放大級(jí)電路105和輸出匹配電路106。其中，輸入匹配電路101由l2、c1和r3串聯(lián)組成；驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路102由mosfett2和t3疊加構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，t3的柵極通過(guò)c2射頻接地；反饋電路103由r4和c4串聯(lián)，跨接在t2柵極和t3漏極之間組成；級(jí)間匹配電路104由l3、c7和c8組成；功率放大級(jí)電路105由mosfett4和t5疊加構(gòu)成共源共柵結(jié)構(gòu)，t5的柵極通過(guò)c6射頻接地。輸出匹配電路106由l4、l5、c10和c11組成。注意t2和t4組成電流偏置電路(電流鏡形...

具體地，第二pmos管mp01的源極通過(guò)電阻r13接電源電壓vdd。第二nmos管mn18的柵極與第二pmos管mp01的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極連接，第三nmos管mn19的源極接地，第三pmos管mp02的源極接電源電壓，第三nmos管mn19的柵極與漏極連接，第三pmos管mp02的柵極和漏極連接。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極的公共端記為連接點(diǎn)a，第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極的公共端記為第二連接點(diǎn)b，連接點(diǎn)a與第二連接點(diǎn)b連接,第二連接點(diǎn)b通過(guò)電...

LX5535+LX5530出現(xiàn)在AtherosAP96高功率版本參考設(shè)計(jì)中，F(xiàn)EM多次出現(xiàn)在無(wú)線網(wǎng)卡參考設(shè)計(jì)中。LX5518則是近年應(yīng)用較多的一款高功率PA，與后文即將出現(xiàn)的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸張地講，MicrosemiLX5518與SkyworksSE2576占據(jù)了。LX5518的強(qiáng)悍性能如下圖所示。RFaxisRFaxis是一家相對(duì)較新的射頻半導(dǎo)體公司，成立于2008年1月，總部設(shè)于美國(guó)加州，專業(yè)從事射頻半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)。憑借其獨(dú)有的技術(shù)，RFaxis公司專為數(shù)十億美元的Bluetooth、WLAN、、ZigBee、AMR/AMI和無(wú)線音頻/視頻市場(chǎng)設(shè)計(jì)的...

nmos管mn11的漏極連接電容c11，nmos管mn12的漏極連接電容c12。nmos管mn11的漏極和nmos管mn12的漏極為第二主體電路中激勵(lì)放大器的輸出端。變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過(guò)電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵(lì)放大器中的共源放大器提供偏置電壓；激勵(lì)放大器柵放大器的柵極通過(guò)電阻接第二偏置電壓。如圖3所示，變壓器t0副邊的中端通過(guò)電阻r01接偏置電壓vbcs_da，第二變壓器t03副邊的中端通過(guò)電阻r06接偏置電壓vbcs_da，偏置電壓vbcs_da用于為nmos管mn01、nmos管nm02、nmos管mn09、nmos管mn10提供偏置電壓。nm...

因?yàn)檫@些特性，GaAs器件被應(yīng)用在無(wú)線通信、衛(wèi)星通訊、微波通信、雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域，能夠在更高的頻率下工作，高達(dá)Ku波段。與LDMOS相比，擊穿電壓較低。通常由12V電源供電，由于電源電壓較低，使得器件阻抗較低，因此使得寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)變得比較困難。GaAsMESFET是電磁兼容微波功率放大器設(shè)計(jì)的常用選擇，在80MHz到6GHz的頻率范圍內(nèi)的放大器中被采用。GaAs贗晶高電子遷移率晶體管（GaAspHEMT）GaAspHEMT是對(duì)高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進(jìn)結(jié)構(gòu)，也稱為贗調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（PMODFET），具有更高的電子面密度（約高2倍）；同時(shí)，這里的電子遷移率...

將從2019年開(kāi)始為GaN器件帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實(shí)現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術(shù)的關(guān)鍵因素之一。GaNHEMT（高電子遷移率場(chǎng)效晶體管）已經(jīng)成為未來(lái)宏基站功率放大器的候選技術(shù)。由于LDMOS無(wú)法再支持更高的頻率，GaAs也不再是高功率應(yīng)用的優(yōu)方案，預(yù)計(jì)未來(lái)大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件。5G網(wǎng)絡(luò)采用的頻段更高，穿透力與覆蓋范圍將比4G更差，因此小基站（smallcell）將在5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中扮演很重要的角色。不...

將射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與預(yù)設(shè)的配置狀態(tài)電阻值作比較，可以得知此時(shí)射頻功率放大器是否已完成配置。104、所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開(kāi)啟所述射頻功率放大器。例如，射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值，此時(shí)射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值不相同，則表示此射頻功率放大器還沒(méi)有開(kāi)啟，移動(dòng)終端開(kāi)啟此射頻功率放大器。其中，射頻功率放大器的開(kāi)啟與關(guān)閉由處理器控制。105、所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。例如，射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值，此時(shí)...

輸出則是方波信號(hào)，產(chǎn)生的諧波較大，屬于非線性功率放大器，適合放大恒定包絡(luò)的信號(hào)，輸入信號(hào)通常是脈沖串類的信號(hào)。C類放大器的優(yōu)點(diǎn)與A類放大器相比，功率效率提高。與A類放大器相比，可以低價(jià)獲得射頻功率。風(fēng)冷即可，他們使用的冷卻器比A類更輕。C類放大器的缺點(diǎn)脈沖射頻信號(hào)放大。窄帶放大器。通過(guò)以上介紹可以看出，作為射頻微波功率放大器采用的半導(dǎo)體材料，有許多種類，每種都有其各自的特點(diǎn)和適用的功率和頻率范圍，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，使得更高頻率和更高功率的功放的實(shí)現(xiàn)成為可能并且越來(lái)越容易實(shí)現(xiàn)。作為EMC領(lǐng)域的常用的射頻微波功率放大器的幾個(gè)類別，每種也都有其各自的優(yōu)缺點(diǎn)和適用的場(chǎng)合。在實(shí)際的EMC...

因?yàn)樵O(shè)計(jì)的可控衰減電路中電感的品質(zhì)因數(shù)q較低，因此頻選特性不明顯，頻率響應(yīng)帶寬較寬，帶來(lái)的射頻信號(hào)的插入損耗相對(duì)較小。負(fù)增益模式下的回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。假設(shè)fh為上限頻率，fl為下限頻率，fo為中心頻率；且有：fh＝900mhz，fl＝600mhz，fo＝800mhz，回波損耗大于15db，頻率響應(yīng)的帶寬可達(dá)到300mhz以上，相對(duì)帶寬可達(dá)到(fh-fl)/fo＝(900-600)/800＝％。下面再提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結(jié)構(gòu)，如圖5b所示，在該結(jié)構(gòu)中的可控衰減電路的電阻r1可以變?yōu)殚_(kāi)關(guān)sw2，增強(qiáng)了對(duì)射頻輸入端口rfin的esd保護(hù)能力。本申請(qǐng)實(shí)施例...

射頻前端集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種高線性射頻功率放大器。背景技術(shù)：射頻功率放大器的主要參數(shù)是線性和效率。線性是表示射頻功率放大器能否真實(shí)地放大信號(hào)的參數(shù)。諸如lte和，要求射頻前端模塊具有極高的線性度，射頻功率放大器作為一個(gè)發(fā)射系統(tǒng)中的重要組成部分，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的線性度起著至關(guān)重要的作用。目前采用cmos器件的射頻功率放大器適用于和其他通信部分電路做片上集成，但是難以嚴(yán)格地滿足線性度需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：為了解決相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器的線性度難以滿足需求的問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N高線性射頻功率放大器。技術(shù)方案如下：一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種高線性射頻功率放大器，包括功率放大器、激勵(lì)放大...

將從2019年開(kāi)始為GaN器件帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS（橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實(shí)現(xiàn)多頻帶載波聚合等重要新技術(shù)的關(guān)鍵因素之一。GaNHEMT（高電子遷移率場(chǎng)效晶體管）已經(jīng)成為未來(lái)宏基站功率放大器的候選技術(shù)。由于LDMOS無(wú)法再支持更高的頻率，GaAs也不再是高功率應(yīng)用的優(yōu)方案，預(yù)計(jì)未來(lái)大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡(luò)單元應(yīng)用都將采用GaN器件。5G網(wǎng)絡(luò)采用的頻段更高，穿透力與覆蓋范圍將比4G更差，因此小基站（smallcell）將在5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中扮演很重要的角色。不...

5G時(shí)代，智能手機(jī)將采用2發(fā)射4接收方案，未來(lái)有望演進(jìn)為8接收方案。功率放大器（PA）是一部手機(jī)關(guān)鍵的器件之一，它直接決定了手機(jī)無(wú)線通信的距離、信號(hào)質(zhì)量，甚至待機(jī)時(shí)間，是整個(gè)射頻系統(tǒng)中除基帶外重要的部分。5G將帶動(dòng)智能移動(dòng)終端、基站端及IOT設(shè)備射頻PA穩(wěn)健增長(zhǎng)。功率放大器市場(chǎng)增長(zhǎng)相對(duì)穩(wěn)健，復(fù)合年增長(zhǎng)率為7%，將從2017年的50億美元增長(zhǎng)到2023年的70億美元。LTE功率放大器市場(chǎng)的增長(zhǎng)，尤其是高頻和超高頻，將彌補(bǔ)2G/3G市場(chǎng)的萎縮。15G智能移動(dòng)終端，射頻PA的大機(jī)遇5G推動(dòng)手機(jī)射頻PA量?jī)r(jià)齊升無(wú)論是在基站端還是設(shè)備終端，5G給供應(yīng)商帶來(lái)的挑戰(zhàn)都首先體現(xiàn)在射頻方面，因?yàn)檫@是設(shè)備“上”網(wǎng)...

需要滿足：r20+r30＝r0，x20+x30＝x0，在zin和z30已知的情況下，可以計(jì)算得到r20和x20，進(jìn)一步的，在第二電阻和開(kāi)關(guān)的參數(shù)已知的情況下，可以計(jì)算得到電感的參數(shù)值。因?yàn)榧尤胼斎肫ヅ潆娐泛蟮牡刃ё杩箊20+z30與輸入阻抗zin能實(shí)現(xiàn)較好的匹配，因此，輸入端的回波損耗可滿足要求。其中，因?yàn)殡姼屑捎诠杌酒?，所以，電感的品質(zhì)因數(shù)一般不大于5。因?yàn)殡姼械钠焚|(zhì)因數(shù)小，因此在非負(fù)增益模式下，可控衰減電路的頻選特性不明顯，頻率響應(yīng)帶寬較寬。在負(fù)增益模式下，回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。在一個(gè)可能的示例中，驅(qū)動(dòng)放大電路102包括：第二電容c2、第二mos管t2和第三mo...

令rj為射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio為處理器引腳的電壓值，vdd為電源電壓，r0為計(jì)算電阻的電阻值。計(jì)算電阻r0的電阻值已知，本申請(qǐng)對(duì)于計(jì)算電阻r0的電阻值的設(shè)置不作限定，計(jì)算電阻r0用于計(jì)算射頻功率放大模塊的電阻值。圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的射頻功率放大器檢測(cè)電路的連接示意圖。請(qǐng)參閱圖2，以四個(gè)射頻功率放大器并聯(lián)為例，計(jì)算電阻201的一端與電源電壓vdd相連，計(jì)算電阻201的另一端與射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的一端相連，射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的另一端與接地端相連，計(jì)算電...

PartNumberFrequencyGainOIP3P1dBSKY85004-1129SE2623L-RTBD—TBDSE2622LSKY65900-11TBD34SKY65174-2135——SKY65162-70LFSKY6513126—28SE2623L33—32SE2609L28—28SE2605L33—32SE2604L32—30SE2598L28—SE2597L28—SE2576L33—32SE2574L28—25SE2574BL-R27—25SE2568U27—252725SE2568L27—252725SE2565T31—30SE2528L33—34SE2527L33...

使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式?？梢?jiàn)，通過(guò)微控制器可控制第二mos管和第四mos管的漏級(jí)電流、第三mos管和第五mos管的門(mén)級(jí)電壓，進(jìn)而可調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)放大電路和功率放大電路的放大倍數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)射頻功率放大器電路的增益的線性調(diào)節(jié)。根據(jù)上述實(shí)施例可知，若需要使射頻功率放大器電路為非負(fù)增益模式，需要微控制器控制開(kāi)關(guān)關(guān)斷，控制第二開(kāi)關(guān)關(guān)斷，控制偏置電路使第二mos管的漏級(jí)電流和第三mos管的柵級(jí)電壓均變大，控制第二偏置電路使第四mos管的漏級(jí)電流和第五mos管的柵級(jí)電壓均變大。其中，第二開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)，反饋電路的放大系數(shù)af較大，有助于輸入信號(hào)的放大，偏置電路和第二偏置電路中漏極電流、門(mén)極電壓、...

并對(duì)漏級(jí)供電電壓vcc進(jìn)行控制，從而使偏置電路中漏級(jí)電流、柵級(jí)電壓變大，使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：在信號(hào)的輸入端設(shè)計(jì)可變衰減電路，在實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路負(fù)增益的同時(shí)，對(duì)非負(fù)增益模式下該電路性能的影響很小，并且加強(qiáng)了對(duì)輸入端口的靜電保護(hù)，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，占用芯片面積小，能有效的降低硬件成本。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種增益控制方法，應(yīng)用于上述實(shí)施例中的的射頻功率放大器電路，包括：終端中的微控制器通過(guò)通信模組接收到控制信息后，確定射頻功率放大器電路的工作模式，并通過(guò)發(fā)送模式控制信號(hào)控制射頻功率放大器電路進(jìn)入工作模式；可控衰減電路，根據(jù)終端中...

本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設(shè)備。背景技術(shù)：在無(wú)線通信中，用戶設(shè)備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動(dòng)通信(lte)中，用戶設(shè)備需要支持40多個(gè)工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier，pa)的性能會(huì)隨著工作頻率變化，難以實(shí)現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb，663mhz～915mhz)，中頻段(mb，1710mhz～2025mhz)，高頻段(hb，2300mhz～2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個(gè)pa，每個(gè)功率放大器支持一個(gè)頻段，需要三個(gè)寬帶pa。尤其是lb的相對(duì)頻率帶寬，p...

需要滿足：r20+r30＝r0，x20+x30＝x0，在zin和z30已知的情況下，可以計(jì)算得到r20和x20，進(jìn)一步的，在第二電阻和開(kāi)關(guān)的參數(shù)已知的情況下，可以計(jì)算得到電感的參數(shù)值。因?yàn)榧尤胼斎肫ヅ潆娐泛蟮牡刃ё杩箊20+z30與輸入阻抗zin能實(shí)現(xiàn)較好的匹配，因此，輸入端的回波損耗可滿足要求。其中，因?yàn)殡姼屑捎诠杌酒?，所以，電感的品質(zhì)因數(shù)一般不大于5。因?yàn)殡姼械钠焚|(zhì)因數(shù)小，因此在非負(fù)增益模式下，可控衰減電路的頻選特性不明顯，頻率響應(yīng)帶寬較寬。在負(fù)增益模式下，回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。在一個(gè)可能的示例中，驅(qū)動(dòng)放大電路102包括：第二電容c2、第二mos管t2和第三mo...

令rj為射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio為處理器引腳的電壓值，vdd為電源電壓，r0為計(jì)算電阻的電阻值。計(jì)算電阻r0的電阻值已知，本申請(qǐng)對(duì)于計(jì)算電阻r0的電阻值的設(shè)置不作限定，計(jì)算電阻r0用于計(jì)算射頻功率放大模塊的電阻值。圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的射頻功率放大器檢測(cè)電路的連接示意圖。請(qǐng)參閱圖2，以四個(gè)射頻功率放大器并聯(lián)為例，計(jì)算電阻201的一端與電源電壓vdd相連，計(jì)算電阻201的另一端與射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的一端相連，射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的另一端與接地端相連，計(jì)算電...

gr為基站的接收機(jī)天線增益，單位為分貝；rs為接收機(jī)靈敏度，是在可接受的信噪比(signaltonoiseratio，snr)情況下，系統(tǒng)能探測(cè)到的小的射頻信號(hào)。rs的計(jì)算可以參見(jiàn)公式(3)：rs＝-174dbm/hz+nf+10logb+snrmin(3)；其中，-174dbm/hz為熱噪聲底限；nf為全部接收機(jī)噪聲，單位為分貝；b為接收機(jī)整體帶寬，snrmin則為小信噪比。一般來(lái)說(shuō)，射頻功率放大器電路存在高功率模式(非負(fù)增益)，率模式(非負(fù)增益)和低功率模式(負(fù)增益)這三種模式。由于射頻收發(fā)器的線性功率輸出范圍為-35dbm～0dbm，因此，若超出這一范圍，信號(hào)將產(chǎn)生非線性。當(dāng)射頻...

AB類放大器可以確保其諧波/失真性能足夠滿足EMC領(lǐng)域的需求，也就是它的線性度能滿足商業(yè)電磁兼容測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB類放大器為了線性度與B類放大器相比了一點(diǎn)效率，但相比A類放大器則具有高效率（理論上可達(dá)60%到65%）。AB類放大器的優(yōu)點(diǎn)：與A類放大器相比，功率效率提高。AB類放大器的設(shè)計(jì)可以使用比A類更少的器件，對(duì)于相同的功率等級(jí)和頻率范圍，體積更小，價(jià)格更便宜。使用風(fēng)冷，比A類放大器的冷卻器要輕。AB類放大器的缺點(diǎn)：產(chǎn)生的諧波需要注意具體產(chǎn)品給出的指標(biāo)，尤其是二次諧波，AB類放大器可以通過(guò)仔細(xì)調(diào)整偏置的設(shè)置和采用推挽拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)將諧波明...