并對漏級供電電壓vcc進行控制,從而使偏置電路中漏級電流、柵級電壓變大,使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實施例提供的技術方案具有以下優(yōu)點:在信號的輸入端設計可變衰減電路,在實現(xiàn)射頻功率放大器電路負增益的同時,對非負增益模式下該電路性能的影響很小,并且加強了對輸入端口的靜電保護,電路結構簡單,占用芯片面積小,能有效的降低硬件成本。本發(fā)明實施例還提供了一種增益控制方法,應用于上述實施例中的的射頻功率放大器電路,包括:終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后,確定射頻功率放大器電路的工作模式,并通過發(fā)送模式控制信號控制射頻功率放大器電路進入工作模式;可控衰減電路,根據(jù)終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號,實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換;輸入匹配電路,使可控衰減電路和驅(qū)動放大電路之間阻抗匹配;驅(qū)動放大電路,放大輸入匹配電路輸出的信號;反饋電路,調(diào)節(jié)射頻功率放大器電路的增益;級間匹配電路,使驅(qū)動放大電路和功率放大電路之間阻抗匹配;功率放大電路,放大級間匹配電路輸出的信號;輸出匹配電路,使射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。其**率放大器按照工作狀態(tài)分為線性放大和非線性放大兩種非線性放大器 效率比較高而線性放大器的效率比較低。陜西L波段射頻功率放大器哪家好
使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。若需要使射頻功率放大器電路為負增益模式,需要微控制器控制開關導通,控制第二開關導通,控制偏置電路使第二mos管的漏級電流、第三mos管的柵級電壓以及漏級供電電壓vcc均變小,控制第二偏置電路使第四mos管的漏級電流、第五mos管的柵級電壓以及漏級供電電壓vcc均變小。其中,第二開關導通時,反饋電路的放大系數(shù)af較小,對輸入信號的放大作用不明顯,偏置電路和第二偏置電路中漏極電流和門極電壓較小,對輸入信號的放大作用也不明顯,可以認為未對輸入信號進行放大,即增益為0db,此時,若再控制開關導通,則可控衰減電路工作,對輸入信號進行衰減,通過這樣的控制,可以實現(xiàn)輸入信號的衰減。此外,還可以通過對偏置電路和第二偏置電路的調(diào)節(jié),來實現(xiàn)不同程度的衰減,使負增益連續(xù)可調(diào),在一些實施例中,衰減后射頻功率放大器電路的整體增益可以為-5db、-7db、-10db等。當射頻功率放大器電路的輸出功率(較小)確定后,微處理器可以進一步得到其輸入功率和負增益值,微處理器對輸入功率進行調(diào)節(jié),控制電壓信號vgg,使開關導通,控制第二開關導通,通過控制偏置電路和第二偏置電路中的內(nèi)部電流源和內(nèi)部電壓源。廣西低頻射頻功率放大器定制功率放大器的放大原理主要是將電源的直流功率轉化成交流信號功率輸出。
具體地,第二pmos管mp01的源極通過電阻r13接電源電壓vdd。第二nmos管mn18的柵極與第二pmos管mp01的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極連接,第三nmos管mn19的源極接地,第三pmos管mp02的源極接電源電壓,第三nmos管mn19的柵極與漏極連接,第三pmos管mp02的柵極和漏極連接。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極的公共端記為連接點a,第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極的公共端記為第二連接點b,連接點a與第二連接點b連接,第二連接點b通過電阻r15接自適應動態(tài)偏置電路的輸出端vbcs_pa,輸出端vbcs_pa用于為功率放大器源放大器的柵極提供偏置電壓。第四nmos管mn20的漏極與第四pmos管mp03的漏極連接后與pmos管mp04的柵極連接,第四nmos管mn20的源極接地,第四pmos管mp03的源極接電源電壓vdd,第四nmos管mn20的柵極和第四pmos管mp03的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。pmos管mp04的漏極通過電阻r17接自適應動態(tài)偏置電路的第二輸出端vbcg_pa,第二輸出端vbcg_pa用于為功率放大器柵放大器的柵極提供偏置電壓。圖3示出了本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖。
本申請涉及射頻處理技術領域,具體涉及一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。背景技術:通話是移動終端的為基本的功能之一,射頻功率放大器(rfpa)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分,其重要性不言而喻。在發(fā)射機的前級電路中,調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小,需要經(jīng)過一系列的放大(緩沖級、中間放大級、末級功率放大級)獲得足夠的射頻功率以后,才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率,必須采用射頻功率放大器。在調(diào)制器產(chǎn)生射頻信號后,射頻已調(diào)信號就由射頻放大器將它放大到足夠功率,經(jīng)匹配網(wǎng)絡,再由天線發(fā)射出去。由于現(xiàn)有技術中的所支持的射頻頻段眾多,每個頻段所使用的射頻功率放大器配置可能有所差異,雖然由移動終端的軟件寫入了相關的配置指令,由于指令發(fā)出總是存在先后關系,在現(xiàn)有技術中往往需要在配置頻段時在所有射頻功率放大器啟動指令發(fā)出后再延遲一個時間(例如)認為已經(jīng)配置完成,再進行下一步操作。例如,在第,此時需要向4個依次射頻功率放大器發(fā)出啟動指令,然后等待,開始下一步操作,但其實這個,很可能在。因此,現(xiàn)有技術存在缺陷,有待改進與發(fā)展。技術實現(xiàn)要素:本申請實施例提供一種移動終端射頻功率放大器檢測方**率放大器線性化技術一一功率回退、前饋、反饋、預失真,出于射頻 預失真結構簡單、易于集成和實現(xiàn)等優(yōu)點。
控制信號vgg通過電阻與開關連接,同時通過備用電阻與備用開關連接。備用電阻的參數(shù)與電阻的參數(shù)相同,二者都是作為上拉電阻給開關供電。備用開關的參數(shù)與開關的參數(shù)相同,開關和備用開關的寄生電阻皆為單開關的寄生電阻值ron的一半,因此雙開關的整體寄生電阻值與單開關的寄生電阻值相同。開關和備用開關的控制邏輯相同:非負增益模式下,開關和備用開關同時關斷;負增益模式下,開關和備用開關同時打開,不需要考慮電阻r1和備用電阻rn。其中,開關和備用開關均為n型mos管,其具體的類型可以是絕緣體上硅mos管,也可以是平面結構mos管。可見,在本申請實施例中,因為使用了疊管設計,將開關和備用開關疊加,使得mos管的耐壓能力和靜電釋放能力提升,相對于單mos管,能在大電流下更好的保護開關和備用開關,使其不被損壞。在一個可能的示例中,輸入匹配電路101包括第三電阻r3、電容c1和第二電感l(wèi)2,第二電感的端連接第二電阻的第二端,第二電感的第二端連接電容的端,電容的第二端連接第三電阻的端。在圖9中,假設輸入端的輸入阻抗zin=r0-jx0,可控衰減電路的等效阻抗為z20=r20+jx20,輸入匹配電路的等效阻抗為z30=r30+jx30,為了實現(xiàn)z20和zin的共軛匹配。輸入/輸出駐波表示放大器輸入端阻抗和輸出端阻抗與系統(tǒng)要求阻抗(50Q)的 匹配程度。廣西EMC射頻功率放大器技術
功放中使用電感器一般有直線電感、折線電感、單環(huán)電感和螺旋電感等。在射頻/微波 IC中一般用方形螺旋電感。陜西L波段射頻功率放大器哪家好
本申請實施例涉及但不限于射頻前端電路,尤其涉及一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。背景技術:射頻前端系統(tǒng)中的功率放大器(poweramplifier,pa)一般要求發(fā)射功率可調(diào),當pa之前射頻收發(fā)器的輸出動態(tài)范圍有限時,就要求功率放大器增益高低可調(diào)節(jié)。在廣域低功耗通信的應用場景中,對射頻功率放大器電路的增益可調(diào)要求變得更突出,其動態(tài)范圍要達到35~40db,并出現(xiàn)負增益的需求模式。相關技術中通常通過反饋電路提供的負反饋來對增益進行調(diào)節(jié),但是反饋電路只能增加或減少增益,而不能實現(xiàn)負增益,無法滿足射頻功率放大器電路的負增益需求。技術實現(xiàn)要素:有鑒于此,本申請實施例提供一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。本申請實施例的技術方案是這樣實現(xiàn)的:本申請實施例提供一種射頻功率放大器電路,應用于終端,包括:依次連接的可控衰減電路、輸入匹配電路、驅(qū)動放大電路、級間匹配電路、功率放大電路和輸出匹配電路,與所述驅(qū)動放大電路跨接的反饋電路;所述可控衰減電路,用于根據(jù)所述終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號,實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換;所述輸入匹配電路。陜西L波段射頻功率放大器哪家好
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