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北京低頻射頻功率放大器價(jià)格多少

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-01-13

    因?yàn)樵O(shè)計(jì)的可控衰減電路中電感的品質(zhì)因數(shù)q較低,因此頻選特性不明顯,頻率響應(yīng)帶寬較寬,帶來的射頻信號(hào)的插入損耗相對(duì)較小。負(fù)增益模式下的回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。假設(shè)fh為上限頻率,fl為下限頻率,fo為中心頻率;且有:fh=900mhz,fl=600mhz,fo=800mhz,回波損耗大于15db,頻率響應(yīng)的帶寬可達(dá)到300mhz以上,相對(duì)帶寬可達(dá)到(fh-fl)/fo=(900-600)/800=%。下面再提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結(jié)構(gòu),如圖5b所示,在該結(jié)構(gòu)中的可控衰減電路的電阻r1可以變?yōu)殚_關(guān)sw2,增強(qiáng)了對(duì)射頻輸入端口rfin的esd保護(hù)能力。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案的有益效果在于:通過在信號(hào)的輸入端設(shè)計(jì)可控衰減電路,在實(shí)現(xiàn)功率放大器增益負(fù)增益的同時(shí),對(duì)高增益模式性能的影響很小,并且加強(qiáng)了對(duì)rfin端口的esd保護(hù)。該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔,對(duì)芯片面積占用小,能降低硬件成本。在本申請(qǐng)實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路中,反饋電路中可以用于切換的電阻有多種,例如當(dāng)射頻功率放大器電路需要實(shí)現(xiàn)三檔增益模式:高增益30db左右,低增益15db左右,負(fù)增益-10db左右。此時(shí),反饋電路如圖6所示,c51、c52、c53和c54是1pf~2pf范圍的電容。電阻r53大于r51大于r52。輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它 的增益平坦度并不一定滿足技術(shù)指標(biāo)的要求。北京低頻射頻功率放大器價(jià)格多少

    是為了便于描述本申請(qǐng)和簡(jiǎn)化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。此外,術(shù)語“”、“第二”、“第三”用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。在本申請(qǐng)的描述中,需要說明的是,除非另有明確的規(guī)定和限定,術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或一體地連接;可以是機(jī)械連接,也可以是電氣連接;可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,還可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通,可以是無線連接,也可以是有線連接。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以具體情況理解上述術(shù)語在本申請(qǐng)中的具體含義。此外,下面所描述的本申請(qǐng)不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成就可以相互結(jié)合。請(qǐng)參考圖1,其示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖。該高線性射頻功率放大器包括功率放大器、激勵(lì)放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)和自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路。自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級(jí)調(diào)節(jié)功率放大器的輸出柵極偏置電壓。功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)和激勵(lì)放大器連接射頻輸入端rfin。遼寧大功率射頻功率放大器價(jià)格多少根據(jù)晶體管的增益斜率和放大器增益要求,確定待綜合匹配網(wǎng)絡(luò)的衰減斜 率、波紋、帶寬,并導(dǎo)出其衰減函數(shù)。

    下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施方式,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器中自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的電路原理圖;圖3是本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖;圖4是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路提供的偏置電壓與輸出功率的曲線示意圖;圖5是現(xiàn)有的射頻高功率放大器與本申請(qǐng)實(shí)施例提供的高線性射頻放大器的imd3曲線圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合附圖,對(duì)本申請(qǐng)中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本申請(qǐng)的一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。在本申請(qǐng)的描述中,需要說明的是,術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系。

    第六電容的第二端連接第二開關(guān)的端,第二開關(guān)的第二端連接第五電阻的端,第五電阻的第二端連接第五電容的端,第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端;其中,第二開關(guān),用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài),以降低反饋深度,實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式;還用于響應(yīng)第八控制信號(hào)使自身處于導(dǎo)通狀態(tài),以增加反饋深度,實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式。需要說明的是,假設(shè)射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時(shí)的放大系數(shù)為a,反饋電路的反饋系數(shù)為f,則加入反饋電路后射頻功率放大器電路100的放大系數(shù)af=a/(1+af),隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低,反饋系數(shù)f變大,反饋深度增加,放大系數(shù)af變小,有利于射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式。其中,第四電阻的阻值大于第五電阻的阻值。第二開關(guān)響應(yīng)微處理器發(fā)出的第七控制信號(hào)使自身處于關(guān)斷狀態(tài),以降低反饋深度,從而使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式;第二開關(guān)響應(yīng)微處理器發(fā)出的第八控制信號(hào)使自身處于導(dǎo)通狀態(tài),以增加反饋深度,從而使射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)負(fù)增益模式。在一些實(shí)施例中,反饋電路還可如圖6所示。匹配電路是放大器設(shè)計(jì)中關(guān)鍵一環(huán),可以說放大設(shè)計(jì)主要是匹配設(shè)計(jì)。

    射頻前端集成電路領(lǐng)域,具體涉及一種高線性射頻功率放大器。背景技術(shù):射頻功率放大器的主要參數(shù)是線性和效率。線性是表示射頻功率放大器能否真實(shí)地放大信號(hào)的參數(shù)。諸如lte和,要求射頻前端模塊具有極高的線性度,射頻功率放大器作為一個(gè)發(fā)射系統(tǒng)中的重要組成部分,對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的線性度起著至關(guān)重要的作用。目前采用cmos器件的射頻功率放大器適用于和其他通信部分電路做片上集成,但是難以嚴(yán)格地滿足線性度需求。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:為了解決相關(guān)技術(shù)中射頻功率放大器的線性度難以滿足需求的問題,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N高線性射頻功率放大器。技術(shù)方案如下:一方面,本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種高線性射頻功率放大器,包括功率放大器、激勵(lì)放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)和自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路,自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路用于根據(jù)輸入功率等級(jí)調(diào)節(jié)功率放大器的柵極偏置電壓;功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)和激勵(lì)放大器連接射頻輸入端,功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接射頻輸出端;自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸入端連接射頻輸入端,自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路的輸出端連接功率放大器中的共源共柵放大器;其中,自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置電路至少由若干個(gè)nmos、若干個(gè)pmos管、若干個(gè)電容和電阻組成。可選的。甲類工作狀態(tài):功放大器在信號(hào)周期內(nèi)始終存在工作電流,即導(dǎo)通角0為360度。河北使用射頻功率放大器服務(wù)電話

寬帶功率放大器應(yīng)用GaN基器件符合高功率輸出、高效率、高線性度、高工作頻 率的固態(tài)微波功率放大器的要求。北京低頻射頻功率放大器價(jià)格多少

    需要滿足:r20+r30=r0,x20+x30=x0,在zin和z30已知的情況下,可以計(jì)算得到r20和x20,進(jìn)一步的,在第二電阻和開關(guān)的參數(shù)已知的情況下,可以計(jì)算得到電感的參數(shù)值。因?yàn)榧尤胼斎肫ヅ潆娐泛蟮牡刃ё杩箊20+z30與輸入阻抗zin能實(shí)現(xiàn)較好的匹配,因此,輸入端的回波損耗可滿足要求。其中,因?yàn)殡姼屑捎诠杌酒?,所以,電感的品質(zhì)因數(shù)一般不大于5。因?yàn)殡姼械钠焚|(zhì)因數(shù)小,因此在非負(fù)增益模式下,可控衰減電路的頻選特性不明顯,頻率響應(yīng)帶寬較寬。在負(fù)增益模式下,回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。在一個(gè)可能的示例中,驅(qū)動(dòng)放大電路102包括:第二電容c2、第二mos管t2和第三mos管t3,其中:第二mos管的柵級(jí)與第三電阻的第二端連接,第二mos管的漏級(jí)與第三mos管的源級(jí)連接,第二mos管的源級(jí)接地,第二電容的端連接第三mos管的柵級(jí),第二電容的第二端接地。其中,第二mos管t2和第三mos管t3的器件尺寸一樣。在一個(gè)可能的示例中,反饋電路103包括:第三電容c3、第四電容c4、第五電容c5、第六電容c6、第四電阻r4、第五電阻r5和開關(guān)k1,其中:第四電容的端和第六電容的端連接第三mos管的漏級(jí),第四電容的第二端連接第四電阻的端,第四電阻的第二段連接第三電容的端。北京低頻射頻功率放大器價(jià)格多少

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