LX5535+LX5530出現(xiàn)在A(yíng)therosAP96高功率版本參考設(shè)計(jì)中，F(xiàn)EM多次出現(xiàn)在無(wú)線(xiàn)網(wǎng)卡參考設(shè)計(jì)中。LX5518則是近年應(yīng)用較多的一款高功率PA，與后文即將出現(xiàn)的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸張地講，MicrosemiLX5518與SkyworksSE2576占據(jù)了。LX5518的強(qiáng)悍性能如下圖所示。RFaxisRFaxis是一家相對(duì)較新的射頻半導(dǎo)體公司，成立于2008年1月，總部設(shè)于美國(guó)加州，專(zhuān)業(yè)從事射頻半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)。憑借其獨(dú)有的技術(shù)，RFaxis公司專(zhuān)為數(shù)十億美元的Bluetooth、WLAN、、ZigBee、AMR/AMI和無(wú)線(xiàn)音頻/視頻市場(chǎng)設(shè)計(jì)的下一代無(wú)線(xiàn)解決方案。利用純CMOS并結(jié)合其自身的創(chuàng)新方法和技術(shù)，RFaxis開(kāi)發(fā)出全球射頻前端集成電路(RFeIC)。相信讀者一定了解，CMOSPA的巨大優(yōu)勢(shì)就是成本低，在如今WiFi設(shè)備價(jià)格如此敏感的環(huán)境下，這是RFaxis開(kāi)拓市場(chǎng)的利器。從RFaxis的官方上可以看到已經(jīng)有多款WiFiPA，但缺少匯總數(shù)據(jù)，用戶(hù)很難快速選型。本文*給出RFaxis主推的RFX240的性能。RFICRFIC的全稱(chēng)是RFIntegratedCorp.，中文名稱(chēng)是朗弗科技股份有限公司，這家公司顯得十分低調(diào)，在其官網(wǎng)上甚至找不到任何有關(guān)公司的介紹，筆者也是醉了。功率放大器因此要盡量采用典型可 靠的電路、合理分配增益、減少放大器的級(jí)數(shù)，以降低故障概率。浙江自動(dòng)化射頻功率放大器服務(wù)電話(huà)

    將射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與預(yù)設(shè)的配置狀態(tài)電阻值作比較，可以得知此時(shí)射頻功率放大器是否已完成配置。104、所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開(kāi)啟所述射頻功率放大器。例如，射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值，此時(shí)射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值不相同，則表示此射頻功率放大器還沒(méi)有開(kāi)啟，移動(dòng)終端開(kāi)啟此射頻功率放大器。其中，射頻功率放大器的開(kāi)啟與關(guān)閉由處理器控制。105、所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。例如，射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即此時(shí)射頻功率放大器的電阻值，此時(shí)射頻功率放大器的電阻值與配置狀態(tài)的電阻值相同，則表示射頻功率放大器配置完成。為了更好地實(shí)施以上方法，本申請(qǐng)實(shí)施例還可以提供一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)裝置，該裝置具體可以集成在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中，該網(wǎng)絡(luò)設(shè)備可以是移動(dòng)終端等設(shè)備。例如，如圖3所示，該裝置可以包括預(yù)設(shè)單元301、計(jì)算單元302、比較單元303，如下：(1)預(yù)設(shè)單元301預(yù)設(shè)單元301，用于預(yù)設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。例如。海南U段射頻功率放大器經(jīng)驗(yàn)豐富射頻功率放大器包括A類(lèi)、AB類(lèi)、B類(lèi)和c類(lèi)等，開(kāi)關(guān)放大 器包括D類(lèi)、E類(lèi)和F類(lèi)等。

    計(jì)算所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開(kāi)啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。本方案在當(dāng)移動(dòng)終端切換射頻頻段啟動(dòng)射頻功率放大器時(shí)，能夠通過(guò)對(duì)射頻功率放大器的狀態(tài)檢測(cè)，快速設(shè)置各個(gè)射頻功率放大器從而提升射頻的頻段切換的速度。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)方法的流程示意圖；圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種射頻功率放大器檢測(cè)電路的連接示意圖；圖3是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種移動(dòng)終端射頻功率放大器檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的移動(dòng)終端的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。

    微處理器通過(guò)控制vgg＝，使得開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，此時(shí)，一部分射頻傳導(dǎo)功率進(jìn)入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導(dǎo)功率進(jìn)入可控衰減電路之后的電路，輸入信號(hào)衰減，射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式。當(dāng)開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)，電感用于匹配寄生電容，以減少對(duì)后級(jí)電路的影響，開(kāi)關(guān)可等效為寄生電容coff，不需要考慮電阻，可控衰減電路等效為圖8(a)；當(dāng)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，開(kāi)關(guān)等效為寄生電阻ron，也不需要考慮電阻，可控衰減電路等效為圖8(b)，因?yàn)榈诙娮韬图纳娮鑢on都很小，因此流入可控衰減電路的電流較大，該電路路消耗的功率較多，對(duì)輸入信號(hào)的衰減作用也較強(qiáng)。其中，為了實(shí)現(xiàn)大程度的衰減，在非負(fù)增益模式下，應(yīng)使可控衰減電路的電阻盡可能的小，可在可控衰減電路去掉第二電阻r2，通過(guò)寄生電阻ron來(lái)衰減輸入信號(hào)。若可控衰減電路中沒(méi)有第二電阻，當(dāng)射頻功率放大器電路的負(fù)增益大小確定時(shí)，開(kāi)關(guān)的寄生電阻的大小也可確定。當(dāng)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，開(kāi)關(guān)工作在線(xiàn)性區(qū)，寄生電阻ron的大小滿(mǎn)足公式：ron＝1/(μ×cox×(w/l)×(vgs-vth))，其中，μ是電子遷移率，cox是單位面積的柵氧化層電容，w/l是開(kāi)關(guān)t1的有效溝道長(zhǎng)度的寬長(zhǎng)比，vgs是柵源電壓，vth是閾值電壓。射頻功率放大器器件放大管基本上由氮化鎵，砷化鎵，LDMOS管電路運(yùn)用。

    圖1：某型號(hào)60WGaAsFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)這款晶體管放大器可以提供EMC領(lǐng)域的基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-3和IEC61000-4-6所強(qiáng)調(diào)的很好的線(xiàn)性度，如圖2所示。圖2：某晶體管的輸入輸出線(xiàn)性度這個(gè)晶體管可以在工作頻率范圍內(nèi)提供所需的功率，它的輸出功率與頻率的關(guān)系如圖3所示。圖3：某晶體管的輸出功率與頻率的關(guān)系3.射頻微波功率晶體管采用的半導(dǎo)體材料的類(lèi)型在用于EMC領(lǐng)域的功率放大器中會(huì)用到不同種類(lèi)的晶體管，下面對(duì)典型的晶體管及其工作特性進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹，由于不同種類(lèi)的半導(dǎo)體材料具有不同的特性，功率放大器的設(shè)計(jì)者需要根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇和設(shè)計(jì)。在射頻微波功率放大器中采用的半導(dǎo)體材料主要包括以下幾種。雙極結(jié)型晶體管（BJT）雙極性結(jié)型晶體管（bipolarjunctiontransistor,BJT）就是我們通常說(shuō)的三極管，是一種具有三個(gè)端子的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成，晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。這種晶體管的工作，同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng)，因此它被稱(chēng)為雙極性的，所以也稱(chēng)雙極性載流子晶體管。常見(jiàn)的有鍺晶體管和硅晶體管，可采用電流控制，在一定范圍內(nèi)，雙極性晶體管具有近似線(xiàn)性的特征。輸入／輸出駐波表示放大器輸入端阻抗和輸出端阻抗與系統(tǒng)要求阻抗(50Q)的 匹配程度。湖南短波射頻功率放大器技術(shù)

寬帶功率放大器應(yīng)用GaN基器件符合高功率輸出、高效率、高線(xiàn)性度、高工作頻 率的固態(tài)微波功率放大器的要求。浙江自動(dòng)化射頻功率放大器服務(wù)電話(huà)

    第三子濾波電路的端可以與輔次級(jí)線(xiàn)圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實(shí)施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級(jí)線(xiàn)圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實(shí)施中，第三子濾波電路還可以包括第三電感l(wèi)3，第三電感l(wèi)3可以串聯(lián)在第三電容c3的第二端與地之間。參照?qǐng)D3，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖2相比較而言，圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l(wèi)3。通過(guò)增加第三電感l(wèi)3，可以進(jìn)一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實(shí)施中，輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發(fā)明實(shí)施例中，第四子濾波電路的端可以與主次級(jí)線(xiàn)圈121的第二端耦接，第四子濾波電路的第二端可以與射頻功率放大器的輸出端output耦接。第四子濾波電路可以為lc匹配濾波電路，lc匹配濾波電路可以為兩階匹配濾波電路，也可以為多階匹配濾波電路。當(dāng)lc匹配濾波電路為兩階匹配濾波電路時(shí)，其可以包括一個(gè)串聯(lián)電感以及一個(gè)到地電容；當(dāng)lc匹配濾波電路為多階匹配濾波電路時(shí)，其可以包括兩個(gè)串聯(lián)電感或更多串聯(lián)電感和一個(gè)到地電容或更多個(gè)到地電容。浙江自動(dòng)化射頻功率放大器服務(wù)電話(huà)

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