實現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負增益模式；其中，偏置電路與驅(qū)動放大電路連接，第二偏置電路與功率放大電路連接。其中，如圖7所示，偏置電路1020包括：第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、電流源ib、電壓源vg、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第二電容c2、第七電容c7、第十二電容c12、第十三電容c13。第二mos管的漏極電流偏置電路由電流源、第六mos管、第六電阻、第七電阻和第十二電容按照圖7所示連接而成。第六電阻、第七電阻和第十二電容組成的t型網(wǎng)絡(luò)，可以起到隔離輸入信號的作用。第二mos管的寬長比w/l是第六mos管的寬長比的c(c遠大于1)倍，因此第二mos管的漏極偏置電流近似為電流源的c倍，實現(xiàn)了電流放大。電流源存在多個可調(diào)節(jié)檔位，通過微處理器發(fā)出的第三控制信號和第四控制信號，控制電流源檔位的切換，可切換第二mos管的漏極電流，從而調(diào)節(jié)驅(qū)動放大電路的放大倍數(shù)。第三mos管t3的柵極電壓偏置電路由電壓源vg、第八電阻r8、第九電阻r9和第十三電容c13按照圖7所示連接而成。第八電阻、第九電阻和第十三電容組成的t型網(wǎng)絡(luò)，可起到隔離第三mos管柵極的射頻電壓擺幅的作用。電壓源存在多個可調(diào)節(jié)檔位。根據(jù)晶體管的增益斜率和放大器增益要求，確定待綜合匹配網(wǎng)絡(luò)的衰減斜 率、波紋、帶寬，并導(dǎo)出其衰減函數(shù)。天津短波射頻功率放大器檢測技術(shù)

    當(dāng)射頻功率放大器電路處于非負增益模式時，可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，需要減少對射頻功率傳導(dǎo)的影響，在應(yīng)用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當(dāng)射頻功率放大器電路處于負增益模式時，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，一部分射頻傳導(dǎo)能量進入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導(dǎo)能量進入功率放大器進行放大(在加強了負反饋的電路基礎(chǔ)上，再放大衰減后的射頻信號)。本申請實施例中的可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時，整個電路的衰減程度可達到-10db左右。可以理解為，比原來從rfin端進入電路的輸入信號，已經(jīng)衰減了10db。從整體電路的增益特性看，若原來的已經(jīng)加強負反饋的放大器的增益是0db，那么現(xiàn)在功率放大器的增益就是-10db了。整個電路的負增益由三部分完成：(1)fet的偏置電路向降壓降流切換；(2)射頻功率放大器電路驅(qū)動級的反饋電路向反饋增強切換；(3)輸入匹配中可控衰減電路的接地開關(guān)打開。其中(1)(2)同時滿足時，從設(shè)計看整體電路增益低實現(xiàn)0db左右。再加入措施(3)，電路可再多衰減10db左右。即滿足負增益放大。圖2a中的可控衰減電路的結(jié)構(gòu)如圖3所示，可控衰減電路包括：串聯(lián)電感l(wèi)和并聯(lián)到地的電阻r和開關(guān)sw1。河北線性射頻功率放大器值得推薦在所有微波發(fā)射系統(tǒng)中，都需要功率放大器將信號放大到足夠的功 率電平，以實現(xiàn)信號的發(fā)射。

被公認為是很合適的通信用半導(dǎo)體材料。在手機無線通信應(yīng)用中，目前射頻功率放大器絕大部分采用GaAs材料。在GSM通信中，國內(nèi)的紫光展銳和漢天下等芯片設(shè)計企業(yè)曾憑借RFCMOS制程的高集成度和低成本的優(yōu)勢，打破了采用國際廠商采用傳統(tǒng)的GaAs制程完全主導(dǎo)射頻功放的格局。但是到了4G時代，由于Si材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等缺點，RFCMOS已經(jīng)不能滿足要求，手機射頻功放重新回到GaAs制程完全主導(dǎo)的時代。與射頻功放器件依賴于GaAs材料不同，90%的射頻開關(guān)已經(jīng)從傳統(tǒng)的GaAs工藝轉(zhuǎn)向了SOI（Silicononinsulator）工藝，射頻收發(fā)機大多數(shù)也已采用RFCMOS制程，從而滿足不斷提高的集成度需求。5G時代，GaN材料適用于基站端。在宏基站應(yīng)用中，GaN材料憑借高頻、高輸出功率的優(yōu)勢，正在逐漸取代SiLDMOS；在微基站中，未來一段時間內(nèi)仍然以GaAsPA件為主，因其目前具備經(jīng)市場驗證的可靠性和高性價比的優(yōu)勢，但隨著器件成本的降低和技術(shù)的提高，GaNPA有望在微基站應(yīng)用在分得一杯羹；在移動終端中，因高成本和高供電電壓，GaNPA短期內(nèi)也無法撼動GaAsPA的統(tǒng)治地位。全球GaAs射頻器件被國際巨頭壟斷。全球GaAs射頻器件市場以IDM模式為主。

    第三變壓器t02、第四變壓器t04和電容c16構(gòu)成一個匹配網(wǎng)絡(luò)。第三變壓器t02的原邊連接有電容c07，第四變壓器t04的原邊連接有電容c14。第三變壓器t02的副邊連接射頻輸出端rfout，第四變壓器t04的副邊接地。每個主體電路中的激勵放大器包括2個共源共柵放大器。如圖3所示，主體電路的激勵放大器中，nmos管mn01和nmos管mn03構(gòu)成一個共源共柵放大器，nmos管mn02和nmos管mn04構(gòu)成一個共源共柵放大器；第二主體電路的激勵放大器中，nmos管mn09和nmos管mn11構(gòu)成一個共源共柵放大器，nmos管mn10和nmos管mn12構(gòu)成一個共源共柵放大器。在主體電路中，激勵放大器源放大器的柵極與變壓器的副邊連接，激勵放大器柵放大器的漏極通過電容與功率放大器的輸入端連接。如圖3所示，nmos管mn01的柵極和nmos管mn02的柵極分別與變壓器t01的副邊連接，nmos管mn03的漏極連接電容c04，nmos管mn04的漏極連接電容c05。nmos管mn03的漏極和nmos管mn04的漏極為主體電路中激勵放大器的輸出端。在第二主體電路中，激勵放大器中源放大器的柵極與第二變壓器的副邊連接，激勵放大器柵放大器的漏極通過電容與功率放大器的輸入端連接。如圖3所示，nmos管mn09的柵極和nmos管mn10的柵極分別與變壓器t01的副邊連接。輸出匹配電路確定后功率放大器的輸出功率及效率也基本確定了但它 的增益平坦度并不一定滿足技術(shù)指標(biāo)的要求。

    計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。本方案在當(dāng)移動終端切換射頻頻段啟動射頻功率放大器時，能夠通過對射頻功率放大器的狀態(tài)檢測，快速設(shè)置各個射頻功率放大器從而提升射頻的頻段切換的速度。附圖說明為了更清楚地說明本申請實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施例，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請實施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測方法的流程示意圖；圖2為本申請實施例提供的一種射頻功率放大器檢測電路的連接示意圖；圖3是本申請實施例提供的一種移動終端射頻功率放大器檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本申請實施例提供的移動終端的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面將結(jié)合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。發(fā)射機的前級電路中調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小，必須必采用高增益大功率射頻功率放大器。陜西射頻功率放大器設(shè)備

射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。天津短波射頻功率放大器檢測技術(shù)

    需要滿足：r20+r30＝r0，x20+x30＝x0，在zin和z30已知的情況下，可以計算得到r20和x20，進一步的，在第二電阻和開關(guān)的參數(shù)已知的情況下，可以計算得到電感的參數(shù)值。因為加入輸入匹配電路后的等效阻抗z20+z30與輸入阻抗zin能實現(xiàn)較好的匹配，因此，輸入端的回波損耗可滿足要求。其中，因為電感集成于硅基芯片上，所以，電感的品質(zhì)因數(shù)一般不大于5。因為電感的品質(zhì)因數(shù)小，因此在非負增益模式下，可控衰減電路的頻選特性不明顯，頻率響應(yīng)帶寬較寬。在負增益模式下，回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。在一個可能的示例中，驅(qū)動放大電路102包括：第二電容c2、第二mos管t2和第三mos管t3，其中：第二mos管的柵級與第三電阻的第二端連接，第二mos管的漏級與第三mos管的源級連接，第二mos管的源級接地，第二電容的端連接第三mos管的柵級，第二電容的第二端接地。其中，第二mos管t2和第三mos管t3的器件尺寸一樣。在一個可能的示例中，反饋電路103包括：第三電容c3、第四電容c4、第五電容c5、第六電容c6、第四電阻r4、第五電阻r5和開關(guān)k1，其中：第四電容的端和第六電容的端連接第三mos管的漏級，第四電容的第二端連接第四電阻的端，第四電阻的第二段連接第三電容的端。天津短波射頻功率放大器檢測技術(shù)

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