電源管理芯片的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域：消費(fèi)電子領(lǐng)域：智能手機(jī)：電源管理芯片負(fù)責(zé)管理電池充電、電量監(jiān)測(cè)、不同部件的電壓轉(zhuǎn)換（如將電池電壓轉(zhuǎn)換為處理器、屏幕等所需電壓），并且在快速充電技術(shù)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，實(shí)現(xiàn)安全高效的充電。筆記本電腦和平板電腦：確保設(shè)備在不同工作模式下穩(wěn)定供電，包括待機(jī)、工作、高性能運(yùn)算等模式下的電源分配和管理，以及電池的合理充放電管理?？纱┐髟O(shè)備：由于可穿戴設(shè)備對(duì)體積和功耗要求極為苛刻，電源管理芯片需要實(shí)現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換和低功耗待機(jī)等功能，以延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航和電池壽命。DS6036B 2~6串30~100W方案：支持 2~6節(jié)電池串聯(lián)，支持 30~100W 功率選擇。XB6706U0電源管理IC拓微電子

CN5815是一款固定頻率電流模式PWM控制器，用于升壓型高亮度LED驅(qū)動(dòng)。CN5815輸入電壓范圍為4.5V到32V，驅(qū)動(dòng)外部N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，LED電流通過(guò)外部電流檢測(cè)電阻設(shè)置。 CN5815內(nèi)部集成有基準(zhǔn)電壓源單元，誤差放大器，330KHz振蕩器，斜坡補(bǔ)償發(fā)生器，電流模式PWM控制單元，電感過(guò)流保護(hù)電路，LED亮度調(diào)整單元，芯片關(guān)斷單元，軟啟動(dòng)電路和柵極驅(qū)動(dòng)電路等模塊。 CN5815采用電流模式PWM控制，改善了瞬態(tài)響應(yīng)特性，簡(jiǎn)化了頻率補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。內(nèi)置的軟啟動(dòng)電路有效降低了上電時(shí)的浪涌電流。 其它功能包括芯片關(guān)斷功能，過(guò)壓保護(hù)，LED亮度調(diào)整，內(nèi)置5V電壓調(diào)制器和斜坡補(bǔ)償?shù)取?CN5815采用10管腳SSOP封裝。XB6706U0電源管理IC拓微電子LDO 輸出，通過(guò)10μF 電容連接至參考地。

“二芯合一”方案及單芯片正極保護(hù)方案雖然在方案面積及成本上給用戶帶來(lái)了一定的優(yōu)勢(shì)，但優(yōu)勢(shì)仍不明顯。這些方案同時(shí)又帶來(lái)了一些弊端，因此在與成熟的傳統(tǒng)方案競(jìng)爭(zhēng)客戶的過(guò)程中，還是只能以降低毛利空間來(lái)打價(jià)格戰(zhàn)。由于這些方案的真正原始成本并沒有明顯的優(yōu)勢(shì)，所以隨著傳統(tǒng)方案的控制IC及開關(guān)管芯片的降價(jià)，這些“二芯合一”的方案或正極保護(hù)方案并沒有能夠撼動(dòng)傳統(tǒng)方案的市場(chǎng)統(tǒng)治地位。 BP5301 BP6501；近年來(lái)市面上出現(xiàn)了眾多新創(chuàng)的開關(guān)管芯片廠商，為了降低成本，封裝時(shí)原本打金線改成打銅線，開關(guān)管也不帶ESD保護(hù)。這些產(chǎn)品雖然在性能上與品牌開關(guān)管相比有一定的差異，但因?yàn)槌杀緝?yōu)勢(shì)很快搶占了二級(jí)市場(chǎng)，也為傳統(tǒng)方案在與“二芯合一”及正極保護(hù)方案在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中的勝出作出了巨大貢獻(xiàn)。

低壓差線性穩(wěn)壓器原理上與一般的線性直流穩(wěn)壓器基本相同，區(qū)別在于低壓差穩(wěn)壓器輸出端的功率由NPN晶體管共集極架構(gòu)改為PNP集電極開路架構(gòu)(以使用雙極性晶體管以言)。這種架構(gòu)下，功率晶體管的控制極只要利用對(duì)地的電壓差就能讓晶體管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，因此輸入端只需高出輸出端多于功率晶體管的飽和電壓，穩(wěn)壓器就能運(yùn)作，穩(wěn)定輸出電壓。 這類設(shè)計(jì)在保持穩(wěn)定性方設(shè)計(jì)難度較高，因?yàn)檩敵黾?jí)的阻抗較大，較易不穩(wěn)定或起振。 低壓差穩(wěn)壓器所使用的功率晶體管可以是雙極性晶體管或場(chǎng)效晶體管。 雙極性晶體管因?yàn)榛鶚O電流的關(guān)系，會(huì)耗用額外的電流，增加功耗，在相對(duì)高輸出電壓、低輸出電流、低輸出輸入電壓差的情況下尤其明顯。 場(chǎng)效晶體管沒有雙極性晶體管的功耗問(wèn)題，但其所需導(dǎo)通的閘極電壓限制了其在低輸出電低的應(yīng)用，而且場(chǎng)效晶體管管的成本較高。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，這兩方面的問(wèn)題都得以改善。高PSRR-LDO完全沒凸波40V耐壓LDO。

保護(hù)芯片正常工作：保護(hù)芯片上MOS管剛開始可能處于關(guān)斷狀態(tài)，磷酸鐵鋰電池接上保護(hù)芯片后，必須先觸發(fā)MOS管，P+與P-端才有輸出電壓，觸發(fā)常用方法——用一導(dǎo)線把B-與P-短接。 3、保護(hù)芯片過(guò)充保護(hù)：在P+與P-上接上一高于電池電壓的電源，電源的正極接B+、電源的負(fù)極接B-，接好電源后，電池開始充電，電流方向如圖所示的I1的流向電流從電源正極出發(fā)，流經(jīng)電池、D1、MOS2到電源負(fù)極，IC通過(guò)電容來(lái)取樣電池電壓的值，當(dāng)電池電壓達(dá)到4.25v時(shí)，IC發(fā)出指令，使引腳CO為低電平，這時(shí)電流從電源正極出發(fā)，流經(jīng)電池、D1、到達(dá)MOS2時(shí)由于MOS2的柵極與CO相連也為低電平，MOS2關(guān)斷，整個(gè)回路被關(guān)斷，電路起到保護(hù)作用。 4、保護(hù)芯片過(guò)放保護(hù)：在P+與P-上接上一合適的負(fù)載后，電池開始放電其電流方向如I2，電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極，（這時(shí)MOS2被D2短路）；當(dāng)電池放電到2.5v時(shí)IC采樣并發(fā)出指令，讓MOS1截止，回路斷開，電池被保護(hù)了。溫度超出預(yù)設(shè)的保護(hù)門限時(shí)，降低放電功率。5128A3s

集成了 2 路高效 DC-DC 電壓變換器和 CV/CC 補(bǔ)償電路。XB6706U0電源管理IC拓微電子

復(fù)合鋰電池保護(hù)IC 二合一 產(chǎn)品型號(hào)：復(fù)合鋰電池保護(hù)IC 復(fù)合鋰電池保護(hù)IC 二合一 目前鋰電池的應(yīng)用，從手機(jī)、MP3、MP4、GPS、玩具等便攜式設(shè)備到需要持續(xù)保存數(shù)據(jù)的煤氣表，其市場(chǎng)容量已經(jīng)達(dá)到每月幾億只。為了防止鋰電池在過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等異常狀態(tài)影響電池壽命，通常要通過(guò)鋰電池保護(hù)裝置來(lái)防止異常狀態(tài)對(duì)電池的損壞。鋰電池保護(hù)裝置的電路原理如圖1所示，主要是由電池保護(hù)控制IC和外接放電開關(guān)M1以及充電開關(guān)M2來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)P+/P-端連接充電器，給電池正常充電時(shí)，M1、M2均處于導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng)控制IC檢測(cè)到充電異常時(shí)，將M2關(guān)斷終止充電。當(dāng)P+/P-端連接負(fù)載，電池正常放電時(shí)，M1、M2均導(dǎo)通；當(dāng)控制IC檢測(cè)到放電異常時(shí)，將M1關(guān)斷終止放電。XB6706U0電源管理IC拓微電子