XBM5574級(jí)聯(lián)功能/集成均衡/NTC/Sense保護(hù)芯片  、4串鋰電池保護(hù)芯片介紹,XBM5574級(jí)聯(lián)功能/集成均衡/NTC/Sense保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：4串鋰電池的保護(hù)芯片電路的過電流保護(hù)閾值由開關(guān)MOS管決定，如果覺得該閾值較小，可以將多個(gè)開關(guān)MOS管進(jìn)行并聯(lián)操作，以增大過流電流，將兩節(jié)鋰電池保護(hù)芯片電路和兩節(jié)鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能3~4串集成均衡/NTC/Sense XBM5244.江門XBM5770 賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯(lián)兩個(gè)同型號(hào)的鋰電保護(hù)可以直接并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內(nèi)阻，提高效率，但布板清注意：①兩個(gè)芯片盡量對(duì)稱，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內(nèi)阻和加強(qiáng)散熱。③，每片鋰電保護(hù)IC都需要一個(gè)。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個(gè)芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長些，也無需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。②，走線經(jīng)過電阻后，先經(jīng)過電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個(gè)電容環(huán)路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預(yù)留一個(gè)C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 天津6096J9r賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保高精度智能型磷酸鐵鋰離子電池充電管理芯片，具有功能全、集成度高，外部電路簡單，調(diào)節(jié)方便。

XBM7101集成均衡NTC/Sense保護(hù)芯片、10串鋰電池保護(hù)芯片介紹,功能基本保護(hù)功能：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：10串鋰電池的保護(hù)芯片電路的過電流保護(hù)閾值由開關(guān)MOS管決定，如果覺得該閾值較小，可以將多個(gè)開關(guān)MOS管進(jìn)行并聯(lián)操作，以增大過流電流，將兩節(jié)鋰電池保護(hù)芯片電路和兩節(jié)鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能

    多節(jié)鋰電保護(hù)產(chǎn)品二級(jí)保護(hù)二級(jí)保護(hù)是指使用PTC、MHP、等被動(dòng)組件來保護(hù)電池。鋰電池保護(hù)板分為一級(jí)保護(hù)和二級(jí)保護(hù)。一級(jí)保護(hù)通常指的是主動(dòng)組件保護(hù)，包括保護(hù)IC和MOSFET，它能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)電池的電壓和充放電電流，并在必要時(shí)MOSFET的導(dǎo)通或關(guān)斷，以防止電池過充、過放、過載及短路。而二級(jí)保護(hù)則是指使用PTC、MHP、絲等被動(dòng)組件來進(jìn)一步增強(qiáng)電池的安全性。這些組件通常是溫度敏感的，能夠在電池溫度異常升高時(shí)呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，阻止電流流動(dòng)，從而避免可能的危險(xiǎn)情況當(dāng)電池溫度異常升高時(shí)，PTC或MHP會(huì)呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，阻礙電池的充放電，從而防止鋰電池的起火。這種保護(hù)方式被稱為二級(jí)保護(hù)，它是一種被動(dòng)組件保護(hù)，通常作為一級(jí)保護(hù)電路（IC/Mosfet）的補(bǔ)充。 高耐壓理電保護(hù)產(chǎn)品、具有低功耗、高過流精度、小封裝、無管壓降等特點(diǎn)、支持4.2V~4.5V電芯平臺(tái)；

    多節(jié)鋰電池二級(jí)保護(hù)IC是為可充電電池組提供額外保護(hù)的芯片，主要通過檢測(cè)電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過充電保護(hù)和過放保護(hù)等功能，多一級(jí)保護(hù)，應(yīng)用領(lǐng)域多節(jié)鋰電池二級(jí)保護(hù)IC廣泛應(yīng)用于需要多節(jié)鋰電池供電的設(shè)備中，如電動(dòng)工具、電子產(chǎn)品等，以電池的安全使用和延長電池壽命。選擇建議如果有現(xiàn)成的保護(hù)IC需求，可直接在世強(qiáng)進(jìn)行搜索，然后在搜索結(jié)果中根據(jù)自身具體需求進(jìn)行篩選。過充保護(hù)電壓檢測(cè)與：多節(jié)鋰電池串聯(lián)后總電壓升高，要精細(xì)檢測(cè)每節(jié)電池電壓。當(dāng)某節(jié)或多節(jié)電池電壓超過規(guī)定閾值（如單節(jié)鋰離子電池過充閾值通常在-，不同電池可能有差異），IC及時(shí)發(fā)出信號(hào)，MOS開關(guān)關(guān)斷充電回路。例如在帶有保護(hù)電路的電池中，當(dāng)IC檢測(cè)到單節(jié)電池電壓達(dá)到（不同IC該值不同）時(shí)，其“CO”腳由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷?，使?duì)應(yīng)的MOS管由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，切斷充電回路3。延時(shí)設(shè)置：在IC檢測(cè)到過充電壓至發(fā)出關(guān)斷信號(hào)之間設(shè)置延時(shí)，通常設(shè)為1秒左右，避免因干擾造成誤判斷3。過放保護(hù)電壓監(jiān)測(cè)：實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每節(jié)電池電壓，當(dāng)某節(jié)電池電壓降至規(guī)定的過放電壓（如單節(jié)電池降至-）時(shí)，ICMOS開關(guān)關(guān)斷放電回路。比如IC檢測(cè)到單節(jié)電池電壓低于（不同IC該值不同）時(shí)。 在輸入端的NTC熱敏電阻，是靠充電器的輸入電流來加熱，降低電阻。汕頭XBM2138賽芯代理

移動(dòng)電源soc芯片 DS5136B 22.5W-27W 單串移動(dòng)電源.江門XBM5770 賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

    小家電、電動(dòng)工具充電的快充管理DS3056是一款面向小家電/電動(dòng)工具充電的快充管理SOC，集成了同步開關(guān)電壓變換器、快充協(xié)議控制器、電池充放電管理、電池電量計(jì)，I2C通信等功能模塊，支持2-6串電芯，比較大100W充電功率，支持CC-CV切換，支持主流快充協(xié)議，并提供輸入過壓/欠壓、電池過充、過溫、過流等完備的保護(hù)功能?？山M成小家電和電動(dòng)工具的快充充電方案。集成了過壓/欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、過溫保護(hù)、電池過充保護(hù)的功能。過壓/欠壓保護(hù)：電池充電過程中，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸入電壓，并和預(yù)設(shè)的閾值電壓比較。如果電壓高于過壓閾值或低于欠壓閾值，且維持時(shí)間達(dá)到一定長度時(shí)，芯片關(guān)閉充電通路。過流保護(hù)：充電過程中，利用內(nèi)部的高精度實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)流經(jīng)采樣電阻的電流。當(dāng)電流大于預(yù)設(shè)的過流閾值時(shí)，觸發(fā)過流保護(hù)，芯片自動(dòng)關(guān)閉充電通路。過溫保護(hù)：電池充放電過程中，利用連接在TS管腳上的NTC，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電池溫度。當(dāng)溫度超出預(yù)設(shè)的保護(hù)門限時(shí)，首先降低功率。，則自動(dòng)關(guān)閉充電通路。電池過充保護(hù)：充電過程中，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電池電壓。當(dāng)電池電壓達(dá)到充電截止電壓時(shí)。 江門XBM5770 賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保