公司成立于2023年，總部設(shè)立在深圳，同時(shí)在成都設(shè)有研發(fā)中心。**研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)自國(guó)內(nèi)外前列半導(dǎo)體公司，擁有多位海歸大廠技術(shù)骨干，都擁有著10年以上的芯片開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，擁有強(qiáng)大的研發(fā)創(chuàng)新能力。創(chuàng)立之初便推出了多款移動(dòng)電源SOC，幫助客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品升級(jí)，受到客戶的高度認(rèn)可。移動(dòng)電源SOC具有高集成、多協(xié)議雙向快充，集成了同步開(kāi)關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計(jì)算模塊、顯示模塊、協(xié)議模塊，并提供輸入/輸出的過(guò)壓/欠壓，電池過(guò)充/過(guò)放、NTC過(guò)溫、放電過(guò)流、輸出短路保護(hù)等保護(hù)功能，支持1-6節(jié)電池。線性穩(wěn)壓器使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或 FET，減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輸出電壓。佛山DS2730賽芯廠家

    多節(jié)鋰電保護(hù)產(chǎn)品二級(jí)保護(hù)解析二級(jí)保護(hù)的定義和作用在鋰電池應(yīng)用中，由于過(guò)充電、過(guò)放電以及過(guò)充電過(guò)放電電流等情況會(huì)導(dǎo)致電池內(nèi)部發(fā)生化學(xué)副反應(yīng)，嚴(yán)重影響電池性能與使用壽命，甚至引發(fā)安全問(wèn)題，因此需要對(duì)電池進(jìn)行保護(hù)。一級(jí)保護(hù)通常由IC和MOSFET在充電和放電周期期間為電池組提供，而二級(jí)保護(hù)則是在一級(jí)保護(hù)的基礎(chǔ)上，確保完整的用戶安全，為裝置在正常操作范圍之外的情況下提供保護(hù)14。二級(jí)保護(hù)的具體體現(xiàn)電壓異常保護(hù)過(guò)充電保護(hù)：當(dāng)電池充電時(shí)，若任意一節(jié)電池達(dá)到充滿狀態(tài)，二級(jí)保護(hù)會(huì)發(fā)揮作用。設(shè)計(jì)的8串15A放電鋰電保護(hù)板中，任意一節(jié)電池充滿，相應(yīng)的OC口會(huì)變?yōu)榈碗娖剑箤?duì)應(yīng)的管子截止，進(jìn)而讓OC變?yōu)榈碗娖?，結(jié)束充電周期。 珠海XBM4551賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保3~4串集成均衡/NTC/Sense XBM5244.

    3或4串電池組的二級(jí)保護(hù)芯片主要描述XBM4X30系列產(chǎn)品內(nèi)置高精度的電壓檢測(cè)電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級(jí)保護(hù)芯片，通過(guò)檢測(cè)電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過(guò)充電保護(hù)和過(guò)放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測(cè)功能：過(guò)充電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)50mV），精度±25mV；過(guò)充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV；過(guò)放電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)100mV），精度±80mV；過(guò)放電電壓0V-（步進(jìn)100mV），精度±100mV1。保護(hù)延時(shí)內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)延時(shí)1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開(kāi)路漏級(jí)輸出、P溝道開(kāi)路漏級(jí)輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動(dòng)態(tài)輸出H、動(dòng)態(tài)輸出。

    二級(jí)保護(hù)電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)二級(jí)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn)主要包括以下幾個(gè)方面：1.電路組成和工作原理二級(jí)保護(hù)電路通常包括***級(jí)靜電保護(hù)電路和第二級(jí)靜電保護(hù)電路。***級(jí)靜電保護(hù)電路連接于輸入管腳和接地端之間，而第二級(jí)靜電保護(hù)電路則包括電阻和MOS晶體管，其中MOS晶體管的源極和漏極均與輸出管腳相連，其柵極與接地端相連，襯體端也與接地端相連。這樣的設(shè)計(jì)可以在減少占用芯片面積的同時(shí)，維持相同的靜電保護(hù)效果3。2.保護(hù)電路的選擇和應(yīng)用在設(shè)計(jì)保護(hù)電路時(shí)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)元件。例如，瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）是一種常用的電子元件，用于保護(hù)電路免受過(guò)電壓的影響。在電力系統(tǒng)、通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)硬件和其他敏感電子設(shè)備中，TVS是不可或缺的保護(hù)元件1。3.電路的穩(wěn)定性和可靠性在設(shè)計(jì)二級(jí)保護(hù)電路時(shí)，還需要考慮電路的穩(wěn)定性和可靠性。例如，在激光二極管保護(hù)電路的設(shè)計(jì)中，需要重點(diǎn)分析電流、瞬態(tài)電壓處理等關(guān)鍵因素。 2串 內(nèi)置均衡MOS,帶船運(yùn)/SenseXBM325X.

    降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730數(shù)據(jù)手冊(cè)—降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730集成了過(guò)壓/欠壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、短路保護(hù)功能。?過(guò)壓/欠壓保護(hù)：放電過(guò)程中，DS2730實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸入/輸出電壓，并和預(yù)設(shè)的閾值電壓比較。如果電壓高于過(guò)壓閾值或低于欠壓閾值，且維持時(shí)間達(dá)到一定長(zhǎng)度時(shí)，芯片關(guān)閉放電通路。?過(guò)流保護(hù)：放電過(guò)程中，利用內(nèi)部的高精度ADCADC，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)流經(jīng)采樣電阻的電流。當(dāng)電流大于預(yù)設(shè)的過(guò)流閾值時(shí)，首先降低輸出功率；如果降低功率后仍然持續(xù)過(guò)流，則觸發(fā)過(guò)流保護(hù)，芯片自動(dòng)關(guān)閉放電通路。?過(guò)溫保護(hù)：放電過(guò)程中，利用連接在TS管腳上的NTCNTC，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片自身的溫度或應(yīng)用方案中關(guān)鍵元件的溫度（例如，MOS管）。當(dāng)溫度超出預(yù)設(shè)的保護(hù)門(mén)限時(shí)，降低放電功率。?短路保護(hù)：放電過(guò)程中，實(shí)時(shí)檢測(cè)VBUS的電壓和放電電流。發(fā)生VBUSBUS輸出短路時(shí)，自動(dòng)關(guān)閉放電通路。 移動(dòng)電源SOC DS6036 30W-100W 2串-6串移動(dòng)電源.珠海XBM4551賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

可用模擬和PWM信號(hào)調(diào)光的高壓線性LED驅(qū)動(dòng)集成電路。佛山DS2730賽芯廠家

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯(lián)兩個(gè)同型號(hào)的鋰電保護(hù)可以直接并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內(nèi)阻，提高效率，但布板清注意：①兩個(gè)芯片盡量對(duì)稱(chēng)，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內(nèi)阻和加強(qiáng)散熱。③，每片鋰電保護(hù)IC都需要一個(gè)。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個(gè)芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長(zhǎng)些，也無(wú)需多粗，但需要繞開(kāi)干擾源-VDD采樣線里面沒(méi)有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤(pán)略大一些，避免虛焊。②，走線經(jīng)過(guò)電阻后，先經(jīng)過(guò)電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個(gè)電容環(huán)路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預(yù)留一個(gè)C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 佛山DS2730賽芯廠家