國(guó)外生長(zhǎng)的YAP單晶已達(dá)到50毫米，長(zhǎng)約150毫米，重約1380克。隨著生長(zhǎng)技術(shù)的提高，中科院上海光學(xué)力學(xué)研究所已經(jīng)能夠生長(zhǎng)出直徑為50 mm的大單晶，但形狀控制和質(zhì)量有待進(jìn)一步提高。比較了不同價(jià)離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體閃爍性能的影響。結(jié)果表明，二價(jià)離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，而四價(jià)離子摻雜有助于提高Ce:Yap晶體的部分閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基體中Mn離子和Ce離子之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過(guò)程，Ce和Mn: YAP的衰變時(shí)間明顯短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分分別為10.8ns和34.6 ns。YAP晶體生長(zhǎng)氣氛：由于采用中頻加熱方式，主要保溫材料為高熔點(diǎn)絕熱氧化物(氧化鋯、氧化鋁等)。湖北新型CeYAP晶體生產(chǎn)廠(chǎng)家

YAP晶體的生長(zhǎng)過(guò)程：(1)籽晶：的選擇籽晶的走向和質(zhì)量直接影響直拉晶體的質(zhì)量。對(duì)于YAP單晶，由于其嚴(yán)重的各向異性，B軸的熱膨脹系數(shù)遠(yuǎn)大于A(yíng)軸和C軸(A:4.2 10-6 oc-1，B:11.7 10-6 oc-1，C:5.1 10-6 oc-1)，在生長(zhǎng)過(guò)程中容易產(chǎn)生結(jié)構(gòu)應(yīng)力和相應(yīng)的熱應(yīng)力。這些熱應(yīng)力也為了減少這種影響，我們選擇了《100〉中的YAP 籽晶，〈010〉中的〈001〉中的〈101〉中的〈籽晶尺寸為8 50mm(2)熱場(chǎng)的選擇：由于YAP晶體熱膨脹系數(shù)和熱導(dǎo)率的軸向差異，除了選擇合適的籽晶外，選擇合適的溫度場(chǎng)環(huán)境更為重要。由于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的YAP晶體的孿晶習(xí)性很容易揭示，為了克服孿晶的形成，需要在固液界面和整個(gè)生長(zhǎng)室中形成合適的溫度梯度。新型CeYAP晶體過(guò)渡金屬離子污染造成Ce: YAP吸收帶紅移可能性不大。

YAP晶體的生長(zhǎng)過(guò)程：生長(zhǎng)氣氛：由于采用中頻加熱方式，主要保溫材料為高熔點(diǎn)絕熱氧化物(氧化鋯、氧化鋁等)。)，雖然爐內(nèi)充滿(mǎn)高純氬氣體，但整個(gè)直拉法體系仍保持弱氧化，使Ce4離子含量增加。研究表明，Ce4離子對(duì)Ce3離子發(fā)光有猝滅作用。因此，在生長(zhǎng)過(guò)程中，我們通常在惰性氣氛中生長(zhǎng)，并試圖在弱還原氣氛中生長(zhǎng)，其中惰性氣氛是高純氬氣體，弱還原氣氛是高純氬和高純氫的混合氣體(2-10%氫氣)。 不同氣氛生長(zhǎng)Ce: YAP晶體Ce3+ 濃度有什么不同？

在康普頓閃光過(guò)程中，電子與X射線(xiàn)或其他高能射線(xiàn)發(fā)生彈性散射，使得高能射線(xiàn)的波長(zhǎng)變長(zhǎng)，這是吸收輻射能的主要途徑之一。在康普頓效應(yīng)中，單個(gè)光子與單個(gè)自由電子或束縛電子碰撞。在碰撞中，光子將部分能量和動(dòng)量傳遞給電子，導(dǎo)致電子反沖。電子-正電子對(duì)是指輻射能直接轉(zhuǎn)化為物質(zhì)的過(guò)程，也是高能粒子通過(guò)物質(zhì)時(shí)無(wú)機(jī)閃爍晶體吸收高能射線(xiàn)的主要途徑之一。要產(chǎn)生正負(fù)電子對(duì)，光子的總能量必須大于1.02MeV。當(dāng)物體受到高能電磁輻射時(shí)，其作用主要取決于入射光子的能量和閃爍體上離子吸收的原子數(shù)量。一般0.1MeV以下的光子能量主要是光電效應(yīng)，0.1 ~ 10mv主要是康普頓閃光，10mv以上主要是正負(fù)電子對(duì)效應(yīng)。CeYAP是一種有吸引力的閃爍體。

剛出爐的Ce:YAP單晶由于內(nèi)部熱應(yīng)力較大，在加工過(guò)程中容易開(kāi)裂，提拉法生長(zhǎng)的晶體明顯，同時(shí)由于鈰離子的價(jià)態(tài)(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高溫閃爍晶體中只有三價(jià)鈰離子(Ce3)作為發(fā)光中心，因此不同的退火工藝條件對(duì)高溫閃爍晶體的閃爍性能有重要影響。對(duì)于空氣退火，退火溫度為1000 ~ 1600，恒溫時(shí)間為20 ~ 30小時(shí)，1200以下升溫/降溫速率為50 ~ 100，1200時(shí)升溫/降溫速率為30 ~ 50。使用的設(shè)備是硅碳或硅鉬棒馬弗爐流動(dòng)氫退火，退火溫度1200-1600，恒溫時(shí)間20-36小時(shí)，1200以下升溫/降溫速率50-100/小時(shí)，1200升溫/降溫速率30-50/小時(shí)。Ce 3的光致發(fā)光強(qiáng)度呈單指數(shù)形式衰減，室溫下其衰減常數(shù)約為16-18n。新型CeYAP晶體

開(kāi)中頻電源升溫至原料全部熔化，在此過(guò)程中打開(kāi)晶轉(zhuǎn)，以使?fàn)t內(nèi)溫度分布均勻。湖北新型CeYAP晶體生產(chǎn)廠(chǎng)家

在40k，由在X-ray激發(fā)的純CsI晶體的能量效率為30%；然而，它的發(fā)光效率在室溫下非常低，這就是為什么純CsI晶體難以用于閃爍過(guò)程的原因。堿土金屬氟化物，如氟化鈣、氟化鍶等。在室溫下，激子發(fā)光仍然保持高產(chǎn)率。在這種情況下，我們可以討論Vk中心在上述反應(yīng)中亞穩(wěn)態(tài)的作用。因此，離子晶體表現(xiàn)出一種非常有趣的性質(zhì)，即純晶體或沒(méi)有發(fā)光中心的晶體可以產(chǎn)生有效的發(fā)光。這是因?yàn)樵谳椪者^(guò)程中，晶體中會(huì)產(chǎn)生大量的Vk發(fā)光中心。在維克激子發(fā)光后，VK中心消失了，水晶恢復(fù)了原來(lái)的屬性。湖北新型CeYAP晶體生產(chǎn)廠(chǎng)家

上海藍(lán)晶光電科技有限公司是一家光電專(zhuān)業(yè)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務(wù)、技術(shù)咨詢(xún)，銷(xiāo)售光電設(shè)備及配件、計(jì)算機(jī)軟硬件及配件（除計(jì)算機(jī)系統(tǒng)安全用品）、金屬材料、化工原料及產(chǎn)品（除危險(xiǎn)、監(jiān)控、易制毒化學(xué)品、民用物品）。珠寶玉器、五金交電、商務(wù)信息咨詢(xún)的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠(chéng)實(shí)可信的企業(yè)。上海藍(lán)晶作為光電專(zhuān)業(yè)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務(wù)、技術(shù)咨詢(xún)，銷(xiāo)售光電設(shè)備及配件、計(jì)算機(jī)軟硬件及配件（除計(jì)算機(jī)系統(tǒng)安全用品）、金屬材料、化工原料及產(chǎn)品（除危險(xiǎn)、監(jiān)控、易制毒化學(xué)品、民用物品）。珠寶玉器、五金交電、商務(wù)信息咨詢(xún)的企業(yè)之一，為客戶(hù)提供良好的Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG。上海藍(lán)晶繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路，既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長(zhǎng)，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。上海藍(lán)晶始終關(guān)注自身，在風(fēng)云變化的時(shí)代，對(duì)自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專(zhuān)注與執(zhí)著使上海藍(lán)晶在行業(yè)的從容而自信。