關(guān)于新型閃爍晶體及其應(yīng)用的國(guó)際學(xué)術(shù)交流極其頻繁和活躍。例如，關(guān)于新閃爍晶體及其應(yīng)用的第1次國(guó)際會(huì)議“水晶2000”于1992年在法國(guó)夏蒙尼舉行，由“水晶透明協(xié)作”小組主辦。隨后，研究合作小組分別于1994年、1995年、1997年、1999年和2001年在美國(guó)，荷蘭，中國(guó)和俄羅斯舉行了兩年一次的新型閃爍材料學(xué)術(shù)研討會(huì)[39]。這些研討會(huì)極大地促進(jìn)了具有高光輸出和快速衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體的研究和發(fā)展。特別是鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)閃爍晶體，如Ce:YAP、Ce:LSO和Ce:LuAP，受到了極大的關(guān)注，被認(rèn)為是新一代高光輸出、快衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體材料。提拉法生長(zhǎng)Ce:YAG晶體?閃爍晶體是典型的光電轉(zhuǎn)換材料。四川專業(yè)CeYAG晶體報(bào)價(jià)

CeYAG單晶與陶瓷的發(fā)光性能，制備了不同Ce~(3+)摻雜濃度(摩爾分?jǐn)?shù))的釔鋁石榴石(YAG)單晶和陶瓷，并對(duì)激光激發(fā)CeYAG單晶和陶瓷的光通量、光電轉(zhuǎn)換效率、顯色指數(shù)及色溫進(jìn)行了研究。在電流為2.6A的激光激發(fā)下，Ce~(3+)摻雜濃度為0.3%的陶瓷的光通量較高，為617.2lm;Ce~(3+)摻雜濃度為0.5%的單晶的顯色指數(shù)較高，為62，色溫為5841K。在功率為2.61W、材料中心功率密度達(dá)10.8W·mm-2的激光激發(fā)下，CeYAG單晶和陶瓷的光轉(zhuǎn)換均未達(dá)到飽和，對(duì)應(yīng)的光-光轉(zhuǎn)換效率均約為240lm·W-1。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在高功率密度激光激發(fā)下，陶瓷和單晶均適用于產(chǎn)生高亮度白光。四川專業(yè)CeYAG晶體報(bào)價(jià)CeYAG閃爍晶體還可以應(yīng)用于電子探測(cè)成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。

Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。此外，Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。

光衰減常數(shù)是表征閃爍晶體光衰減的物理量，是表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的重要物理量。幾乎所有的閃爍計(jì)數(shù)應(yīng)用都要求無(wú)機(jī)閃爍晶體具有快速的光衰減常數(shù)。根據(jù)熒光理論，電偶極子躍遷幾率(Wr)的倒數(shù)為光衰減時(shí)間，其中c是光速，me是電子的質(zhì)量，e是電子的電荷，f是振子強(qiáng)度，n是材料的折射率，是躍遷的光波長(zhǎng)。從上面的公式可以推斷出發(fā)射短波長(zhǎng)閃爍光的晶體具有很小的光衰減常數(shù)。此外，雜質(zhì)或熱猝滅可以縮短晶體的光衰減，但這也會(huì)降低晶體的光輸出。無(wú)機(jī)閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉(zhuǎn)化為紫外光或可見(jiàn)光的晶體能量轉(zhuǎn)換器。

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無(wú)機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無(wú)機(jī)閃爍晶體山東專業(yè)加工CeYAG晶體用溫梯法成功生長(zhǎng)了直徑為 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 閃爍晶體，晶體具有良好的外形和光學(xué)性質(zhì)。無(wú)機(jī)閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣，可用在核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)。四川專業(yè)CeYAG晶體報(bào)價(jià)

Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。四川專業(yè)CeYAG晶體報(bào)價(jià)

CeYAG晶體最大直徑多少？閃爍過(guò)程的三個(gè)步驟(a . 電子空穴對(duì)產(chǎn)生；電子空穴被傳送到發(fā)光中心；c .從發(fā)光中心輻射的熒光)到閃爍的總效率。在以上三個(gè)參數(shù)中，很難建立能量傳遞的理論模型，因此很難計(jì)算出S [51][56]?？梢钥隙ǖ氖?，無(wú)機(jī)閃爍晶體中的各種缺陷會(huì)俘獲電子空穴對(duì)，使S值 大降低。與參數(shù)s相比，參數(shù)和q可以從理論上計(jì)算出來(lái)。根據(jù)羅賓斯[19]和阿雷米普奇[51]提出的模型。公式中，Ei為電離能；是產(chǎn)生實(shí)際產(chǎn)生一個(gè)電子空穴對(duì)所需的能量；k為能量損失分?jǐn)?shù)，與高頻介電常數(shù)()，靜電常數(shù)()和光學(xué)縱模聲子能量()有關(guān)。Lf是電子(或空穴)損失的能量分?jǐn)?shù)。四川專業(yè)CeYAG晶體報(bào)價(jià)

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