YbYAG晶體或摻鐿釔鋁石榴石晶體更適合激光二極管泵浦激光系統(tǒng)，YbYAG晶體或摻鐿釔鋁石榴石可輸出0.94 μm激光，與傳統(tǒng)的NdYAG晶體相比，YbYAG晶體或摻鐿釔鋁石榴石具有更大的吸收帶寬，更長的壽命，3-4倍更低的單位泵浦功率熱負(fù)荷。YbYAG晶體不適合傳統(tǒng)的摻釹激光系統(tǒng)的泵浦結(jié)構(gòu)。YbYAG晶體或摻鐿釔鋁石榴石在高功率半導(dǎo)體泵浦激光器領(lǐng)域，被人們認(rèn)為是取代NdYAG 晶體的較佳選擇。以上就是關(guān)于YbYAG晶體的介紹，希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭８弑堵使鈱W(xué)顯微鏡下觀察YbYAG單晶光纖，可該光纖外形均勻規(guī)則。四川高摻雜濃度YbYAG晶體參數(shù)

YbYAG晶體的生長與激光性能，隨著InGaAs激光二極管的不斷發(fā)展，YbYAG晶體熱效率低、適合LD泵浦的優(yōu)點(diǎn)被重新認(rèn)識(shí)，是一種新型的LD泵浦的固體激光器增益介質(zhì)。從理論上講，YbYAG激光器更適合高平均功率、連續(xù)波或高重復(fù)頻率的脈沖應(yīng)用，可用作武器的小型、高效激光器。目前，LD泵浦的YbYAG固體激光器已達(dá)千瓦級(jí)功率輸出，是發(fā)展高效、高功率、小型化和集成化固體激光器的一個(gè)主要方向，成為了當(dāng)前的研究熱點(diǎn)。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭：邶埥邼舛辱O離子摻雜YbYAG晶體直銷YbYAG晶體可發(fā)射1030 nm近紅外激光。

在高倍率光學(xué)顯微鏡下觀察YbYAG單晶光纖，可該光纖外形均勻規(guī)則，且生長狀態(tài)穩(wěn)定，透明性較高。高長徑比的YbYAG單晶光纖，展現(xiàn)出的柔性特征將有利于實(shí)現(xiàn)全固態(tài)、高緊湊性的高功率激光器件。后續(xù)通過不斷優(yōu)化單晶光纖的質(zhì)量，將大幅推進(jìn)單晶光纖作為高性能光功能材料的實(shí)用化進(jìn)程。摻鐿釔鋁石榴石晶體，化學(xué)式：YbYAG，具有納秒級(jí)超快時(shí)間響應(yīng)特性，在脈沖輻射探測領(lǐng)域有重要應(yīng)用。是適合高平均功率和高光束質(zhì)量發(fā)射的激光材料。上文的介紹，希望能對(duì)你有幫助。

YbYAG晶體主要特點(diǎn)：簡單的電子結(jié)構(gòu)排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過程。940 nm寬吸收帶2F5/2鐿能級(jí)的壽命。低量子缺陷?？筛鶕?jù)要求提供定制。YbYAG晶體主要應(yīng)用：材料加工，微加工，焊接，切割。高功率薄盤激光器。YbYAG晶體技術(shù)特性：吸收峰波長942nm。峰值吸收截面7，7×10-21厘米2。峰值吸收帶寬18nm。激光波長1030nm。壽命2F5/2鐿能級(jí)950μs。發(fā)射截面@1030nm 2，1×10-20厘米2。折射率@632，8nm 1，83。晶體結(jié)構(gòu)立方體。由于晶體中含有Yb2+，使晶格發(fā)生畸變，不但使晶格缺陷大量增加，而且也對(duì)Yb3+的能級(jí)結(jié)構(gòu)造成不利影響。導(dǎo)致了370nm和625nm處存在吸收波段和Re-F色心的形成。YbYAG晶體或摻鐿釔鋁石榴石可輸出0.94 μm激光。

YbYAG/YAG復(fù)合結(jié)構(gòu)微片激光晶體是薄片激光器領(lǐng)域內(nèi)非常優(yōu)良的激光材料。本項(xiàng)目采用自制的高性能YAG納米粉，研究完全由透明陶瓷構(gòu)成的YbYAG/YAG復(fù)合結(jié)構(gòu)微片的制備技術(shù)，用以取代價(jià)格昂貴的單晶微片，可以極大提高生產(chǎn)效率，降低造價(jià)，并提高激光輸出功率，給激光器的設(shè)計(jì)帶來很大的自由度。首先制備顆粒細(xì)小、單分散的YbYAG粉體，研制高Yb摻雜的YbYAG透明多晶體的制備技術(shù)。一般用提拉法生長YbYAG晶體，得到的晶體呈藍(lán)色。這是因?yàn)榇嬖赮b2+和Re-F色心。YbYAG晶體可應(yīng)用于高效、高功率激光領(lǐng)域。安徽非復(fù)合YbYAG晶體批發(fā)價(jià)

YbYAG是一種性能優(yōu)良的激光晶體。四川高摻雜濃度YbYAG晶體參數(shù)

YbYAG晶體生長裝置有哪些，你知道嗎？YbYAG晶體的生長裝置：氣氛控制系統(tǒng)：YAG晶體生長時(shí)，通常充入高純度氮?dú)饣驓鍤獾榷栊詺怏w，用來保護(hù)銥金坩堝不被氧化損耗。后加熱器：后熱器可用高熔點(diǎn)氧化物如氧化鋁、陶瓷等制成。通常放在坩堝的上部，生長的晶體逐漸進(jìn)入后熱器，生長完畢后就在后熱器中冷卻至室溫。后熱器的主要作用是調(diào)節(jié)晶體和熔體之間的溫度梯度，控制晶體的直徑，避免組分過冷現(xiàn)象引起晶體破裂。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。四川高摻雜濃度YbYAG晶體參數(shù)

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