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四川新型CeYAG晶體供應(yīng)商

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-06

與其它常用閃爍晶體相比,Ce:YAP晶體還具有下列閃爍特征:光輸出的溫度特性好。Ce:YAP晶體光輸出隨溫度變化特性,在25~200oC 區(qū)間內(nèi),晶體光產(chǎn)額隨溫度增加基本保持不變。與其它晶體如NaI:Tl、BGO和CsI等相比,Ce:YAP的這種對(duì)溫度依賴小的特性可以使其在高溫環(huán)境下使用。 研究表明,Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴關(guān)系。YAG晶體的礦物學(xué)名稱為釔鋁石榴石,分子式為Y3Al5O12, 屬于立方晶系。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發(fā)射熒光,使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測(cè)等領(lǐng)域。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎?四川新型CeYAG晶體供應(yīng)商

無(wú)機(jī)閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣,可用在核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描),X射線斷層掃描(XCT)和正電子發(fā)射斷層掃描(正電子發(fā)射斷層掃描)是現(xiàn)代影像醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的兩種前沿核醫(yī)學(xué)成像技術(shù)[29]-[33]。前者提供患病組織的解剖圖像,而后者提供患病組織的功能成像。二者優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),在心-血.管.疾;病和腫‘’瘤的診斷和治聊中發(fā)揮重要作用。尤其是PET成像技術(shù),不只是現(xiàn)代影像醫(yī)學(xué)的前沿技術(shù),也是本世紀(jì)末生命科學(xué)的重大突破。它可以在體外無(wú)損傷、定量、動(dòng)態(tài)地從分子水平觀察人體內(nèi)代謝物質(zhì)或藥物的活性及其在疾病中的變化。河南國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體作用閃爍晶體可用于輻射探測(cè)和安全防護(hù)。

CeYAG晶體的良好的溫度機(jī)械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。在電子或者離子轟擊下CeYAG晶體不產(chǎn)生損傷,適合應(yīng)用于高電流環(huán)境。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右,很適合使用S20光電倍增管進(jìn)行發(fā)射探測(cè)。在5KV之內(nèi)以及超過(guò)100KV的更高加速電壓下,CeYAG晶體具有更好的響應(yīng),在該環(huán)境下粉末閃爍體性能開始下降,而CeYAG晶體的相應(yīng)仍然保持線性增加。盡管CeYAG晶體的信號(hào)比P47弱,但是信噪比高,終端信號(hào)更好。CeYAG晶體的衰減時(shí)間為60ns。使用中為了避免光敏感,通常需要鍍50nm的鋁膜。CeYAG晶體,提拉法和溫梯法生長(zhǎng),直徑110mm,厚度0.15-150mm。

在Ce:YAG晶體中,Ce3離子以D2對(duì)稱性取代Y3位。在晶體場(chǎng)的作用下,4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài),其5d能級(jí)分裂為5個(gè)子能級(jí),比較低5d子能級(jí)離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中,其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷,具有寬帶、衰減快的特點(diǎn)。在可見(jiàn)光范圍內(nèi)可以觀察到4個(gè)特征吸收峰,峰值波長(zhǎng)分別為223nm、340nm、372nm和460nm,對(duì)應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級(jí)躍遷。在室溫下,其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜,峰值約為525納米,對(duì)應(yīng)比較低5d子能級(jí)至2F5/2基態(tài)能級(jí)。從宏觀上看,直拉法可以生長(zhǎng)出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。

Ce:YAG晶體光產(chǎn)額是多少?Ce:YAG晶體,屬于無(wú)機(jī)閃爍體。無(wú)機(jī)閃爍晶體研究的真正前奏始于半個(gè)世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。經(jīng)過(guò)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展,無(wú)機(jī)閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體,如BGO、銫:Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等,而且極大地拓展了閃爍晶體在高能物理和核物理、醫(yī)療、安檢、工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用;此外,無(wú)機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制不斷得到改進(jìn)和發(fā)展,為改進(jìn)現(xiàn)有閃爍體和尋找性能更好的新型無(wú)機(jī)閃爍晶體提供了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。Ce:YAG晶體的生長(zhǎng)溫度約為1970,生長(zhǎng)周期約為15天。四川新型CeYAG晶體供應(yīng)商

CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能,采用溫梯法制備。四川新型CeYAG晶體供應(yīng)商

閃爍晶體的本質(zhì)是一種能量轉(zhuǎn)換器,所以能量轉(zhuǎn)換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數(shù),是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數(shù)。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體,能量轉(zhuǎn)換效率的重要的物理參數(shù),是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發(fā)出的可見(jiàn)/紫外光子數(shù)。即閃爍過(guò)程中產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。除了熔點(diǎn)溫度高(1970oC)外, Ce:YAG晶體中存在的主要缺點(diǎn)是Ce離子在晶體中的分布不均勻,主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)離子的半徑相差較大,其分凝系數(shù)較小(~ 0.1)造成的。四川新型CeYAG晶體供應(yīng)商

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