發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻將會導致探測元件閃爍性能的差異，在一定程度上降低了閃爍探測器的整機性能。研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強的依賴關系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(shù)(快成分與慢成分)隨Ce離子的濃度的變化關系。從表1-12中可以看出隨著濃度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶體的光輸出增大（1000－1420phe/Mev），當濃度繼續(xù)增加到1.08%時，其光輸出又減小為1270phe/Mev。 結果表明溫梯法生長的Ce: YAG 晶體在高能射線和中子探測方面具有較大的應用價值。Ce:YAG單片機還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件。浙江品質CeYAG晶體廠家直銷

Ce:YAG晶體的閃爍特征及其應用Ce:YAG高溫閃爍晶體除了具有所列的閃爍性能外，還具有較好光脈沖區(qū)分γ射線和α粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可以應用于極端條件下。因此，Ce:YAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測器可以廣泛應用于低能γ射線，α粒子等輕帶電粒子探測等核物理的實驗中。另外，Ce:YAG單晶片還可以用作掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測方面有著重要的廣闊的應用。目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法。品質CeYAG晶體生產通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強度從零瞬開始增加，并達到比較大值I0(t=0)。

閃爍晶體可用于x射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測，以閃爍晶體為關鍵的探測和成像技術已經在核醫(yī)學、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應用。閃爍晶體到底是什么？可能很多人都沒聽過這個詞，但其實，在我們的日常生活中并不陌生。閃爍體是一種當被電離輻射激發(fā)之后會表現(xiàn)出發(fā)光特性的材料，是將高能轉換為可見光的一種典型光電轉換材料，可用于輻射探測和安全防護，通常在應用中將其加工成晶體，稱為閃爍晶體。

隨著人們對閃爍晶體材料進一步深入的研究和科技的發(fā)展，閃爍晶體材料一般可用于X射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測。經過100多年的發(fā)展，以閃爍晶體為關鍵的探測和成像技術已經在核醫(yī)學、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應用。閃爍晶體可以發(fā)出透明的熒光，在高能射線或其他放射性粒子通過時，會發(fā)出閃爍光，該種材料可以應用在射線、中子、高能粒子的探測中，經過了百年的發(fā)展，閃爍晶體材料已經在安全檢查、高能物理、核醫(yī)學等領域得到推廣。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？

文獻已經系統(tǒng)地報道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能，現(xiàn)總結如下：相對光輸出約為NaI:Tl的38-50%；光衰減，對于γ-射線激發(fā)，快成分衰減時間約為26.7±0.12ns，強度占89±2%，慢成分衰減常數(shù)為140±10ns，對于α－粒子激發(fā)快成分衰減常數(shù)為24.8±0.12ns，強度占85±2%，慢成分衰減常數(shù)為100±5ns；中等密度（5.35g/cm3）和中等有效原子序數(shù)（Zeff=39）等。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應小，光衰減快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應用。Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。雙摻CeYAG晶體公司

閃爍晶體是核醫(yī)學影像設備比如X光、CT等檢查設備的關鍵部件。浙江品質CeYAG晶體廠家直銷

白光LED用CeYAG單晶光學性能及封裝工藝的研究，采用提拉法生長了白光LED用CeYAG單晶，通過吸收光譜、激發(fā)發(fā)射光譜和變溫光譜對其光學性能和熱穩(wěn)定性進行了表征，并研究了晶片用于封裝白光LED光源中各因素對其光電性能的影響。CeYAG晶片能被466 nm波長的藍光有效激發(fā)，產生500~700 nm范圍內的寬發(fā)射帶。Ce3+的4f→5d軌道的躍遷吸收對應于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五個吸收峰，據(jù)此量化分裂的5d能級能量，依次為21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。溫度升高，Ce3+的2F7/2能量升高導致了發(fā)光強度的降低，可降低幅度(13.28%)不大。浙江品質CeYAG晶體廠家直銷

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