可控硅元件控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象，其原因是當(dāng)可控硅元件控制一個(gè)連接電感性負(fù)載的電路斷開(kāi)或閉合時(shí)，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產(chǎn)生一個(gè)高電壓，這個(gè)電壓通過(guò)電源的內(nèi)阻加在開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)的兩端，然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過(guò)程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周?chē)臻g，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負(fù)載的開(kāi)關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。淄博正高電氣有限公司重信譽(yù)、守合同，嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān)，熱誠(chéng)歡迎廣大用戶(hù)前來(lái)咨詢(xún)考察，洽談業(yè)務(wù)！貴州雙向可控硅模塊廠家

可控硅模塊選購(gòu)注意事項(xiàng):

(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號(hào)、結(jié)構(gòu)（螺栓、凹臺(tái)、凸臺(tái)）、配置散熱器型號(hào)。

(2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。

(3)選擇電流電壓時(shí)要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚?

可控硅模塊使用注意事項(xiàng)：

(1)線路中須有過(guò)壓過(guò)流保護(hù)措施，串并聯(lián)使用時(shí)必須有均流措施。

(2)用萬(wàn)用表簡(jiǎn)單判斷器件是否損壞： 門(mén)陰極間電阻，應(yīng)有十幾或幾十Ω，否則門(mén)極已短路或開(kāi)路。陰陽(yáng)極間電阻，應(yīng)大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良，電阻近零時(shí)表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換。

(3)嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。

(5)按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅模塊采用過(guò)壓及過(guò)流保護(hù)裝置。

(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過(guò)載和反向擊穿。

接下來(lái)需要檢測(cè)的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極與控制極之間的電阻，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大，表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無(wú)窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞，工程師可以使用萬(wàn)用表選電阻R×1擋，然后將黑表筆接陽(yáng)極，紅表筆仍接陰極，此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰極不動(dòng)，黑表筆在不脫開(kāi)陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極接黑表筆，陰極接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。

可控硅模塊的作用和優(yōu)勢(shì)大家都知道，它的應(yīng)用范圍是非常廣的，在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢？下面正高來(lái)講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。

在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來(lái)得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。 淄博正高電氣有限公司愿與各界朋友攜手共進(jìn)，共創(chuàng)未來(lái)！

您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？

可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽(yáng)極承受正電壓，只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí)，可控硅才能導(dǎo)通。由門(mén)級(jí)施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽(yáng)極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽(yáng)極電流，即高于電流IL。可控硅導(dǎo)通后的電壓降很小。

接通可控硅模塊的條件是將流過(guò)可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：

1.將正極電壓降低至數(shù)值，或添加反向陽(yáng)極電壓。

2.增加負(fù)載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài)，希望能幫助您 淄博正高電氣有限公司團(tuán)結(jié)、創(chuàng)新、合作、共贏。廣西大功率可控硅模塊

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選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。

  所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態(tài)平均電流）均應(yīng)高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。

  可控硅模塊的正向壓降、門(mén)極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路（指門(mén)極的控制電路）的各頂要求，不能偏高或偏低，否則會(huì)影響可控硅模塊的正常工作。

上就是可控硅模塊在不同設(shè)備中的種類(lèi)選擇，希望對(duì)您有所幫助。 貴州雙向可控硅模塊廠家

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