1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。2：大；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等?？煽毓鑿耐庑紊戏种饕新菪?、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多。可控硅有三個(gè)電極---陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。張家港智能可控硅模塊報(bào)價(jià)

若欲使可控硅關(guān)斷，也有兩個(gè)關(guān)斷條件：1） 使正向?qū)娏髦敌∮谄涔ぷ骶S持電流值；2） 使 A、K 之間電壓反向?？梢?jiàn)，可控硅器件若用于直流電路，一旦為觸發(fā)信號(hào)開(kāi)通，并保持一定幅度的流通電流 的話，則可控硅會(huì)一直保持開(kāi)通狀態(tài)。除非將電源開(kāi)斷一次，才能使其關(guān)斷。若用于交流電 路，則在其承受正向電壓期間，若接受一個(gè)觸發(fā)信號(hào)，則一直保持導(dǎo)通，直到電壓過(guò)零點(diǎn)到 來(lái)，因無(wú)流通電流而自行關(guān)斷。在承受反向電壓期間，即使送入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也因 A、 K 間電壓反向，而保持于截止?fàn)顟B(tài)。 可控硅器件因工藝上的離散性，其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值和導(dǎo)通壓降，很難有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)?？煽毓杵骷刂票举|(zhì)上如同三極管一樣，為電流控制器件。功率越大，所需觸發(fā)電流也 越大。張家港智能可控硅模塊報(bào)價(jià)大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。

可控硅導(dǎo)通條件：一是可控硅陽(yáng)極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個(gè)條件必須同時(shí)具備，可控硅才會(huì)處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導(dǎo)通。 可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽(yáng)極至陰極之間的正向電壓，使陽(yáng)極電流小于**小維持電流以下。單向可控硅為具有三個(gè) PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)，由**外層的 P 層、N 層引出兩個(gè)電極――陽(yáng) 極 A 和陰極 K，由中間的 P 層引出控制極 G。電路符號(hào)好像為一只二極管，但好多一個(gè)引 出電極――控制極或觸發(fā)極 G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱晶閘管T，又因?yàn)榫чl管**初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR?？刂茦O觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來(lái)限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關(guān)于連續(xù)峰值開(kāi)路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過(guò)連續(xù)峰值開(kāi)路電壓VDRM的最大值，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來(lái)防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2]。在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。相城區(qū)新型可控硅模塊聯(lián)系方式

這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。張家港智能可控硅模塊報(bào)價(jià)

從控制原理上可等效為一只 PNP 三極管和一只 NPN 三極管的連接電路， 兩管的基極電 流和集電極電流互為通路，具有強(qiáng)烈的正反反饋?zhàn)饔?。一旦?G、K 回路輸入 NPN 管子的 基極電流，由于正反饋?zhàn)饔?，兩管將迅即進(jìn)入飽合導(dǎo)通狀態(tài)。可控硅導(dǎo)通之后，它的導(dǎo)通狀 態(tài)完全依靠管子本身的正反饋?zhàn)饔脕?lái)維持，即使控制電流（電壓）消失，可控硅仍處于導(dǎo)通 狀態(tài)。控制信號(hào) UGK 的作用**是觸發(fā)可控硅使其導(dǎo)通，導(dǎo)通之后，控制信號(hào)便失去控制 作用。單向可控硅的導(dǎo)通需要兩個(gè)條件：1） A、K 之間加正向電壓；2） G、K 之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電流信號(hào)，無(wú)論是直流或脈沖信號(hào)。張家港智能可控硅模塊報(bào)價(jià)

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