依托自主研發(fā)與國產(chǎn)供應(yīng)鏈,吉田半導(dǎo)體 LCD 光刻膠市占率達(dá) 15%,躋身國內(nèi)前段企業(yè)。吉田半導(dǎo)體 YK-200 LCD 正性光刻膠采用國產(chǎn)樹脂與單體,實現(xiàn) 100% 國產(chǎn)化替代。其分辨率 0.35μm,附著力 > 3N/cm,性能優(yōu)于 JSR 的 AR-P310 系列。通過與國內(nèi)多家大型企業(yè)的深度合作,產(chǎn)品覆蓋智能手機(jī)、電視等顯示終端,年供貨量超 200 噸。公司建立國產(chǎn)原材料溯源體系,確保每批次產(chǎn)品穩(wěn)定性,推動 LCD 面板材料國產(chǎn)化進(jìn)程。
吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣。重慶進(jìn)口光刻膠
工藝流程
? 目的:去除基板表面油污、顆粒,增強(qiáng)感光膠附著力。
? 方法:
? 化學(xué)清洗(硫酸/雙氧水、去離子水);
? 表面處理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化處理)。
涂布(Coating)
? 方式:
? 旋涂:半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域,厚度控制精確(納米至微米級),轉(zhuǎn)速500-5000rpm;
? 噴涂/輥涂:PCB/MEMS領(lǐng)域,適合大面積或厚膠(微米至百微米級,如負(fù)性膠可達(dá)100μm)。
? 關(guān)鍵參數(shù):膠液黏度、涂布速度、基板溫度(影響厚度均勻性)。
前烘(Soft Bake)
? 目的:揮發(fā)溶劑,固化膠膜,增強(qiáng)附著力和穩(wěn)定性。
? 條件:
? 溫度:60-120℃(正性膠通常更低,如90℃;負(fù)性膠可至100℃以上);
? 時間:5-30分鐘(根據(jù)膠厚調(diào)整,厚膠需更長時間)。
曝光(Exposure)
? 光源:
? 紫外光(UV):G線(436nm)、I線(365nm)用于傳統(tǒng)光刻(分辨率≥1μm);
? 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程(分辨率至20nm);
? 極紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性膠適用)。
? 曝光方式:
? 接觸式/接近式:掩膜版與膠膜直接接觸(PCB、MEMS,低成本但精度低);
? 投影式:通過物鏡聚焦(半導(dǎo)體,分辨率高,如ArF光刻機(jī)精度達(dá)22nm)。
河南低溫光刻膠國產(chǎn)廠商廣東光刻膠廠家哪家好?
作為東莞松山湖的企業(yè),吉田半導(dǎo)體深耕光刻膠領(lǐng)域 23 年,成功研發(fā)出 YK-300 半導(dǎo)體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,良率達(dá) 98% 以上,已通過中芯國際等晶圓廠驗證;JT-2000 突破耐高溫極限,在 250℃復(fù)雜環(huán)境下仍保持圖形穩(wěn)定性,適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進(jìn)口原材料與全自動化生產(chǎn)工藝,產(chǎn)品通過 ISO9001 認(rèn)證及歐盟 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),遠(yuǎn)銷全球并與跨國企業(yè)建立長期合作,加速國產(chǎn)替代進(jìn)程。
半導(dǎo)體集成電路
? 應(yīng)用場景:
? 晶圓制造:正性膠為主(如ArF/EUV膠),實現(xiàn)20nm以下線寬,用于晶體管柵極、接觸孔等精細(xì)結(jié)構(gòu);
? 封裝工藝:負(fù)性膠用于凸點(Bump)制造,厚膠(5-50μm)耐電鍍?nèi)芤焊g。
? 關(guān)鍵要求:高分辨率、低缺陷率、耐極端工藝(如150℃以上高溫、等離子體轟擊)。
印刷電路板(PCB)
? 應(yīng)用場景:
? 線路成像:負(fù)性膠(如環(huán)化橡膠膠)用于雙面板/多層板外層線路,線寬≥50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化銅);
? 阻焊層:厚負(fù)性膠(50-100μm)覆蓋非焊盤區(qū)域,耐260℃焊接溫度和助焊劑腐蝕;
? 撓性PCB(FPC):正性膠用于精細(xì)線路(線寬≤20μm),需耐彎曲應(yīng)力。
? 優(yōu)勢:工藝簡單、成本低,適合大面積基板(如1.2m×1.0m的PCB基板)。
平板顯示
? 應(yīng)用場景:
? 彩色濾光片:正性膠制作黑矩陣(BM)和RGB色阻間隔層,耐UV固化和濕法蝕刻(如HF溶液);
? OLED像素定義:負(fù)性膠形成像素開口(孔徑5-50μm),耐有機(jī)溶劑(如OLED蒸鍍前的清洗液);
? 觸控面板:正性膠制作透明電極(如ITO線路),線寬≤10μm,需透光率>90%。
? 關(guān)鍵參數(shù):高透光性、低收縮率(避免圖案變形)。
半導(dǎo)體材料方案選吉田,歐盟 REACH 合規(guī),24 小時技術(shù)支持!
光伏電池(半導(dǎo)體級延伸)
? HJT/TOPCon電池:在硅片表面圖形化金屬電極,使用高靈敏度光刻膠(曝光能量≤50mJ/cm2),線寬≤20μm,降低遮光損失。
? 鈣鈦礦電池:用于電極圖案化和層間隔離,需耐有機(jī)溶劑(適應(yīng)溶液涂布工藝)。
納米壓印技術(shù)(下一代光刻)
? 納米壓印光刻膠:通過模具壓印實現(xiàn)10nm級分辨率,用于3D NAND存儲孔陣列(直徑≤20nm)、量子點顯示陣列等。
微流控與生物醫(yī)療
? 微流控芯片:制造微米級流道(寬度10-100μm),材料需生物相容性(如PDMS基材適配)。
? 生物檢測芯片:通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點,精度≤5μm。
吉田質(zhì)量管控與認(rèn)證壁壘。杭州水油光刻膠供應(yīng)商
吉田半導(dǎo)體實現(xiàn)光刻膠技術(shù)突破,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供材料支撐。重慶進(jìn)口光刻膠
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司的產(chǎn)品體系豐富且功能強(qiáng)大。
在光刻膠領(lǐng)域,芯片光刻膠為芯片制造中的精細(xì)光刻環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵支持,確保芯片線路的精細(xì)刻畫;
納米壓印光刻膠適用于微納加工,助力制造超精細(xì)的微納結(jié)構(gòu);
LCD 光刻膠則滿足液晶顯示面板生產(chǎn)過程中的光刻需求,保障面板成像質(zhì)量。
在電子焊接方面,半導(dǎo)體錫膏與焊片性能,能實現(xiàn)可靠的電氣連接,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備組裝。
靶材產(chǎn)品在材料濺射沉積工藝中發(fā)揮關(guān)鍵作用,通過精細(xì)控制材料沉積,為半導(dǎo)體器件制造提供高質(zhì)量的薄膜材料。憑借出色品質(zhì),遠(yuǎn)銷全球,深受眾多世界 500 強(qiáng)企業(yè)和電子加工企業(yè)青睞 。
重慶進(jìn)口光刻膠