晶間腐蝕，貧化理論：對于奧氏體不銹鋼等合金，在一定條件下，晶界會析出第二相，導致晶界附近某種成分出現(xiàn)貧乏化。以奧氏體不銹鋼為例，具體過程如下：碳化物析出：當溫度升高時，碳在不銹鋼晶粒內(nèi)部的擴散速度大于鉻的擴散速度。室溫時碳在奧氏體中的溶解度很小，而一般奧氏體不銹鋼中的含碳量均超過此值，多余的碳會不斷地向奧氏體晶粒邊界擴散，并和鉻化合，在晶間形成碳化鉻的化合物，如等。貧鉻區(qū)形成：鉻沿晶界擴散的速度比在晶粒內(nèi)擴散速度快，但由于碳化鉻形成速度較快，內(nèi)部的鉻來不及向晶界擴散，所以在晶間所形成的碳化鉻所需的鉻主要來自晶界附近，結(jié)果使晶界附近的含鉻量大為減少。當晶界的鉻的質(zhì)量分數(shù)低到小于時，就形成 “貧鉻區(qū)”。電解拋光腐蝕，控制拋光/腐蝕工作時間。廣東低倍組織熱酸蝕腐蝕生產(chǎn)廠家

晶間腐蝕，國內(nèi)外相關標準：GB/T4334.(1~5)-2000不銹鋼晶間腐蝕敏感性試驗方法標準(根據(jù)不同材料敏感性選擇相應標準)GB/T15260-1994《鎳合金晶間腐蝕敏感性試驗方法標準》GB/T21433-2008《不銹鋼壓力容器晶間腐蝕敏感性檢驗》CB/T3949-2001《船用不銹鋼焊接接頭晶間腐蝕試驗方法》ASTMG28-02(2008)StandardTestMethodsforDetectingSusceptibilitytoIntergranularCorrosioninWrought,NickelRich,ChromiumBearingAlloys(中文名稱:《鍛造高鎳鉻軸承合金晶間腐蝕敏感性的檢查用標準試驗方法》GB/T7998-2005《鋁合金晶間腐蝕測定方法》HG/T3173-2002《尿素級很低碳鉻鎳鑰奧氏體不銹鋼晶間腐蝕傾向試驗》陜西金相電解腐蝕品牌好電解拋光腐蝕，可控制樣品的拋光/腐蝕面積（樣品罩開孔直徑15mm，20mm，30mm）。

晶間腐蝕試驗方法，各標準對試驗細節(jié)均有詳細規(guī)定。

電解拋光腐蝕操作步驟，測量試樣拋光的表面積；試樣的清洗。磨制完的試樣要用洗滌劑徹底清洗，清洗之后再用蒸餾水漂洗，也可用超聲波清洗；不銹鋼夾子夾住試樣，同時用導線將夾子與電源的正極連接；向電解槽中注入電解液；將已經(jīng)于電源負極連接好的陰極板放入電解液中；把試樣放入電解液中，接通電源，調(diào)整電壓到所要求的數(shù)值，記下時間；如果需要，可調(diào)整陰陽極間的距離，調(diào)整電流密度；達到所要求拋光時間后，取出試樣，切斷電源。立即用水對試樣進行漂洗，再用酒精漂洗，干燥后就得到了拋光好的試樣。低倍加熱腐蝕尺寸多樣性，完全可以按照客戶要求定制。

電解拋光腐蝕，電源前面板“工作”：當電壓、電流、時間都調(diào)試設定完畢后，將“功能選擇”開關旋至“工作”位置，按下“啟動”按鈕，時間控制器（設定方法付后）開始計時，輸出電流/電壓；在“設定電壓”工作狀態(tài)時，如工作電壓在工作過程中發(fā)生變化，達不到設定值，請將電流調(diào)到比較大；在“設定電流”工作狀態(tài)時，如工作電流在工作過程中發(fā)生變化，達不到設定值，請將電壓調(diào)到比較大；待設定時間結(jié)束后，自動切斷負載，蜂鳴器告知，此時后面板的交流插座也被切斷。按時間控制器上的黃色“RESET”按鈕，為下一次時間控制作好準備。低倍加熱腐蝕控制單元和酸蝕槽工作分開設計，增加控制單元工作壽命。昆山陽極覆膜腐蝕多少錢一臺

電解拋光腐蝕，電壓電流調(diào)節(jié)、顯示精度小數(shù)點后兩位。廣東低倍組織熱酸蝕腐蝕生產(chǎn)廠家

晶間腐蝕檢驗方法：晶間腐蝕后有通常有兩種方法檢測，一種是彎曲法，也就是對折法，就是試樣進行晶間腐蝕檢驗后在彎曲試驗機上進行彎曲180°，用放大鏡觀察彎曲表面，根據(jù)表面是夠有裂紋來判斷是否有晶間腐蝕發(fā)生，另一種是金相法，根據(jù)晶間腐蝕后試樣進行磨拋+化學腐蝕，通過金相顯微鏡觀察腐蝕深度，通過晶間腐蝕深度來判斷是否發(fā)生晶間腐蝕；其實還有第三種辦法，就是有經(jīng)驗的師傅還可以通過聽聲法來判斷，這個主觀影響較大，不建議使用；金相試樣橫向和縱向都是允許的，因為是判斷試樣腐蝕的深度，所以橫向還是縱向影響不大的。廣東低倍組織熱酸蝕腐蝕生產(chǎn)廠家