ID---暗電流IB2---單結晶體管中的基極調制電流IEM---發(fā)射極峰值電流IEB10---雙基極單結晶體管中發(fā)射極與基極間反向電流IEB20---雙基極單結晶體管中發(fā)射極向電流ICM---比較大輸出平均電流IFMP---正向脈沖電流IP---峰點電流Ⅳ---谷點電流IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流IGFM---控制極正向峰值電流IR（AV）---反向平均電流IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）.在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流晶體管能用于放大弱信號，用作振蕩器或開關。樂山電壓晶體管

晶體管是三腳昆蟲型組件，在某些設備中單獨放置但是在計算機中，它被封裝成數以百萬計的小芯片.”晶體管由三層半導體組成，它們具有保持電流的能力.諸如硅和鍺之類的導電材料具有在導體和被塑料線包圍的絕緣體之間傳輸電流的能力.半導體材料通過某種化學程序（稱為半導體摻雜）進行處理.如果硅中摻有砷，磷和銻，它將獲得一些額外的電荷載流子，即電子，稱為N型或負半導體；而如果硅中摻有其他雜質（如硼），鎵，鋁，它將獲得較少的電荷載流子，即空穴，被稱為P型或正半導體.樂山電壓晶體管二極管、三極管、場效應管都是半導體器件.

晶體管（transistor）是一種類似于閥門的固體半導體器件，可以用于放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其他功能。在1947年，由美國物理學家約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和英國物理學家威廉·肖克利（WilliamShockley，1910—1989）所發(fā)明。他們也因為半導體及晶體管效應的研究獲得1956年諾貝爾物理獎。二戰(zhàn)之后，貝爾實驗室成立了一個固體物理研究小組，他們要制造一種能替代電子管的半導體器件。此前，貝爾實驗室就對半導體材料進行了研究，發(fā)現摻雜的半導體整流性能比電子管好。因此小組把注意力放在了鍺和硅這兩種半導體材料上。

晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）；場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大、CE組態(tài)）、基極接地（又稱共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器）。晶體管是一種半導體器件，放大器或電控開關常用。晶體管是規(guī)范操作電腦，手機，和所有其他現代電子電路的基本構建塊。由于其響應速度快，準確性高，晶體管可用于各種各樣的數字和模擬功能，包括放大，開關，穩(wěn)壓，信號調制和振蕩器。晶體管可包裝或在一個非常小的的區(qū)域，可容納一億或更多的晶體管集成電路的一部分。高電子遷移率晶體管（HEMT）與任何其他FET一樣工作。

δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移di/dt---通態(tài)電流臨界上升率dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率PB---承受脈沖燒毀功率PFT（AV）---正向導通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向導通總瞬時耗散功率Pd---耗散功率PG---門極平均功率PGM---門極峰值功率PC---控制極平均功率或集電極耗散功率Pi---輸入功率PK---比較大開關功率PM---額定功率。硅二極管結溫不高于150度所能承受的最大功率PMP---比較大漏過脈沖功率PMS---比較大承受脈沖功率Po---輸出功率PR---反向浪涌功率Ptot---總耗散功率Pomax---最大輸出功率Psc---連續(xù)輸出功率PSM---不重復浪涌功率PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率。晶體管就是在晶圓上直接雕出來的，晶圓越大，芯片制程越??；樂山電壓晶體管

單結晶體管的e、b1極之間，相當于一個受發(fā)射極電壓Ue控制的開關，故可以用來作振蕩元件。樂山電壓晶體管

晶體管內部載流子的運動=0時，晶體管內部載流子運動示意圖如下圖所示。1．發(fā)射結加正向電壓，擴散運動形成發(fā)射極電流因為發(fā)射結加正向電壓，發(fā)射區(qū)雜質濃度高，所以大量自由電子因擴散運動越過發(fā)射結到達基區(qū)。與此同時，空穴也從基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴散，由于基區(qū)雜質濃度低，空穴形成的電流非常小，忽略不計。可見，擴散運動形成了發(fā)射極電流。2．擴散到基區(qū)的自由電子與空穴的復合運動形成基極電流由于基區(qū)很薄，雜質濃度很低，集電結又加反向電壓，所以擴散到基區(qū)的電子中只有極少部分與空穴復合，其余部分均作為基區(qū)的非平衡少子達到集電結。又由于電壓的作用，電子與空穴的復合運動將源源不斷進行，形成基極電流。3．集電結加反向電壓，漂移運動形成集電極電流由于集電結加反向電壓且其結面積較大，基區(qū)的非平衡少子在外電場作用下越過集電結到達集電區(qū)，形成漂移電流?？梢?，在集電極電源的作用下，漂移運動形成集電極電流樂山電壓晶體管