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電解拋光腐蝕電解浸蝕參考資料 試驗(yàn)材料 浸蝕液配比 電解參數(shù) 時(shí)間 陰極材料 備注 鋼 ...

晶間腐蝕，合金檢測(cè)的要求不一樣一般檢測(cè)清潔度、晶粒大小、晶粒分布是否均勻、晶粒有無(wú)明顯的堆積、是否有夾雜物等根據(jù)金相圖譜檢驗(yàn):無(wú)過(guò)燒；分布均勻程度；晶粒大小我想也學(xué)習(xí)一下鋁合金金相，各元素在顯微鏡下是表現(xiàn)什么狀態(tài)。不過(guò)可以看看國(guó)標(biāo)，里面只是告訴怎樣判斷： GB/T3246-82 鋁及鋁合金加工制品顯微組織檢驗(yàn)方法； GB/T3247-82 鋁及鋁合金加工制品低倍組織檢驗(yàn)方法 ； GB/T10849-89 鑄造鋁硅合金變質(zhì)； GB/T10850-89 鑄造鋁合金過(guò)燒；GB/T10851-89 鑄造鋁合金孔。電解拋光腐蝕，7寸觸摸屏控制操作。昆山鹽酸腐蝕生產(chǎn)廠家低倍組織熱腐蝕，在耐酸的封閉塑料容器...

電解拋光腐蝕參考資料 試驗(yàn)材料 電解液配比 電壓 時(shí)間 備注 不銹鋼 1Cr—18Ni9Ti 酒精（9...

晶間腐蝕是什么？以晶間腐蝕為起源，在應(yīng)力和介質(zhì)的共同作用下，可使不銹鋼、鋁合金等誘發(fā)晶間應(yīng)力腐蝕，所以晶間腐蝕有時(shí)是應(yīng)力腐蝕的先導(dǎo)，在通常腐蝕條件下，鈍化合金組織中的晶界活性不大，但當(dāng)它具有晶間腐蝕的敏感性時(shí)，晶間活性很大，即晶格粒與晶界之間存在著一定的電位差，這主要是合金在受熱不當(dāng)時(shí)，組織發(fā)生改變而引起的。所以晶間腐蝕是一種由組織電化學(xué)不均勻性引起的局部腐蝕蝕。此外晶界存在雜質(zhì)時(shí)，在一定介質(zhì)也也會(huì)引起晶間腐蝕。電解拋光腐蝕，溫度隨時(shí)間變化的曲線。寧波低倍加熱腐蝕公司晶間腐蝕常用的試驗(yàn)方法：硫酸-硫酸鐵法適用于檢驗(yàn)鎳基合金、不銹鋼因碳化物析出引起的晶間腐蝕。奧氏體不銹鋼在此溶液中的腐蝕電位處于...

電解拋光腐蝕參考資料 試驗(yàn)材料 電解液配比 電壓 時(shí)間 備注 不銹鋼和合金鋼 水：240ml，硫酸： ...

晶間腐蝕，貧化理論：對(duì)于奧氏體不銹鋼等合金，在一定條件下，晶界會(huì)析出第二相，導(dǎo)致晶界附近某種成分出現(xiàn)貧乏化。以?shī)W氏體不銹鋼為例，具體過(guò)程如下：碳化物析出：當(dāng)溫度升高時(shí)，碳在不銹鋼晶粒內(nèi)部的擴(kuò)散速度大于鉻的擴(kuò)散速度。室溫時(shí)碳在奧氏體中的溶解度很小，而一般奧氏體不銹鋼中的含碳量均超過(guò)此值，多余的碳會(huì)不斷地向奧氏體晶粒邊界擴(kuò)散，并和鉻化合，在晶間形成碳化鉻的化合物，如等。貧鉻區(qū)形成：鉻沿晶界擴(kuò)散的速度比在晶粒內(nèi)擴(kuò)散速度快，但由于碳化鉻形成速度較快，內(nèi)部的鉻來(lái)不及向晶界擴(kuò)散，所以在晶間所形成的碳化鉻所需的鉻主要來(lái)自晶界附近，結(jié)果使晶界附近的含鉻量大為減少。當(dāng)晶界的鉻的質(zhì)量分?jǐn)?shù)低到小于時(shí)，就形成 “貧鉻...

晶間腐蝕，晶界能量較高：晶界是不同晶粒之間的交界，由于晶粒有著不同的位向，交界處原子的排列必須從一種位向逐步過(guò)渡到另一種位向，是 “面型” 不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。晶界上原子的平均能量因晶格畸變變大而高于晶粒內(nèi)部原子的平均能量，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速度比晶粒本體的腐蝕速度快。電化學(xué)不均勻性：晶粒和晶界的物理化學(xué)狀態(tài)不同，如平衡電位不同，極化性能（包括陽(yáng)極和陰極的）不同，在適宜的介質(zhì)中形成腐蝕電池，晶界為陽(yáng)極，晶粒為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。晶間腐蝕，用戶可以自定義方法數(shù)據(jù)庫(kù)，可儲(chǔ)存100條?？蓪⒊Ｓ玫膮?shù)儲(chǔ)存。湖南金相電解腐蝕按鈕操作電解腐蝕，與傳統(tǒng)的機(jī)械拋光相比，電解拋光在處理某些復(fù)...

晶間腐蝕是什么？以晶間腐蝕為起源，在應(yīng)力和介質(zhì)的共同作用下，可使不銹鋼、鋁合金等誘發(fā)晶間應(yīng)力腐蝕，所以晶間腐蝕有時(shí)是應(yīng)力腐蝕的先導(dǎo)，在通常腐蝕條件下，鈍化合金組織中的晶界活性不大，但當(dāng)它具有晶間腐蝕的敏感性時(shí)，晶間活性很大，即晶格粒與晶界之間存在著一定的電位差，這主要是合金在受熱不當(dāng)時(shí)，組織發(fā)生改變而引起的。所以晶間腐蝕是一種由組織電化學(xué)不均勻性引起的局部腐蝕蝕。此外晶界存在雜質(zhì)時(shí)，在一定介質(zhì)也也會(huì)引起晶間腐蝕。電解拋光腐蝕，可控制樣品的拋光/腐蝕面積（樣品罩開(kāi)孔直徑15mm，20mm，30mm）。江蘇電解腐蝕制造廠商晶間腐蝕試驗(yàn) (intergranular corrosion test)，...

電解拋光腐蝕，不適用本方法：不能用塑料鑲嵌試樣，因?yàn)樗芰喜粚?dǎo)電容易被電解液浸蝕：極易受電解液浸蝕的金屬相和一些夾雜物不能采用電解拋光：需要邊、角的試樣，不適宜進(jìn)行電解拋光。 電解浸蝕參考資料 試驗(yàn)材料 浸蝕液配比 電解參數(shù) 時(shí)間 陰極材料 ...

電解拋光腐蝕電解浸蝕參考資料 試驗(yàn)材料 浸蝕液配比 電解參數(shù) 時(shí)間 陰極材料 備注 鋼 ...

晶間腐蝕是什么？以晶間腐蝕為起源，在應(yīng)力和介質(zhì)的共同作用下，可使不銹鋼、鋁合金等誘發(fā)晶間應(yīng)力腐蝕，所以晶間腐蝕有時(shí)是應(yīng)力腐蝕的先導(dǎo)，在通常腐蝕條件下，鈍化合金組織中的晶界活性不大，但當(dāng)它具有晶間腐蝕的敏感性時(shí)，晶間活性很大，即晶格粒與晶界之間存在著一定的電位差，這主要是合金在受熱不當(dāng)時(shí)，組織發(fā)生改變而引起的。所以晶間腐蝕是一種由組織電化學(xué)不均勻性引起的局部腐蝕蝕。此外晶界存在雜質(zhì)時(shí)，在一定介質(zhì)也也會(huì)引起晶間腐蝕。低倍組織熱酸蝕腐蝕，尺寸多樣性，完全可以按照客戶要求定制。江蘇低倍組織熱酸蝕腐蝕企業(yè)電解拋光腐蝕，電源前面板“工作”：當(dāng)電壓、電流、時(shí)間都調(diào)試設(shè)定完畢后，將“功能選擇”開(kāi)關(guān)旋至“工作”...

晶間腐蝕試驗(yàn)方法：在特定介質(zhì)條件下檢驗(yàn)金屬材料晶間腐蝕敏感性的加速金屬腐蝕試驗(yàn)方法，目的是了解材料的化學(xué)成分、熱處理和加工工藝是否合理。其原理是采用可使金屬的腐蝕電位處在恒電位陽(yáng)極極化曲線特定區(qū)間的各種試驗(yàn)溶液，利用金屬的晶粒和晶界在該電位區(qū)間腐蝕電流的明顯差異加速顯示晶間腐蝕。不銹鋼、鋁合金等的晶間腐蝕試驗(yàn)方法在許多國(guó)家均已標(biāo)準(zhǔn)化。產(chǎn)生晶間腐蝕的不銹鋼，當(dāng)受到應(yīng)力作用時(shí)，即會(huì)沿晶界斷裂、強(qiáng)度幾乎完全消失，這是不銹鋼的一種很危險(xiǎn)的破壞形式。電解拋光腐蝕，電壓電流調(diào)節(jié)、顯示精度小數(shù)點(diǎn)后兩位。湖南電解拋光腐蝕按鈕操作晶間腐蝕，操作方法：?jiǎn)?dòng)水泵或者自來(lái)水閥，水能正常在冷凝器中循環(huán)流動(dòng)，如果沒(méi)有水循...

電解拋光腐蝕原理，關(guān)于電解拋光原理的爭(zhēng)論很多，被公認(rèn)的主要為薄膜理論。薄膜理論解釋的電解拋光過(guò)程是:電解拋光時(shí)，靠近試樣陽(yáng)極表面的電解液，在試樣上隨著表面的凸凹不平形成了一層薄厚不均勻的黏性薄膜，這種薄膜在工件的凸起處較薄，凹處較厚，此薄膜具有很高的電阻，因凸起處薄膜薄而電阻小，電流密度高而溶解快;凹處薄膜厚而電阻大，電流密度低而溶解慢，由于溶解速度的不同，凹凸不斷變化，粗糙表面逐漸被平整，然后形成光亮平滑的拋光面。電解拋光過(guò)程的關(guān)鍵是形成穩(wěn)定的薄膜，而薄膜的穩(wěn)定與拋光材料的性質(zhì)、電解液的種類(lèi)、拋光時(shí)的電壓大小和電流密度都密切相關(guān)。根據(jù)實(shí)驗(yàn)得出的電壓和電流的關(guān)系曲線稱為電解拋光特性曲線，根據(jù)它...

晶間腐蝕，貧化理論：對(duì)于奧氏體不銹鋼等合金，在一定條件下，晶界會(huì)析出第二相，導(dǎo)致晶界附近某種成分出現(xiàn)貧乏化。以?shī)W氏體不銹鋼為例，具體過(guò)程如下：碳化物析出：當(dāng)溫度升高時(shí)，碳在不銹鋼晶粒內(nèi)部的擴(kuò)散速度大于鉻的擴(kuò)散速度。室溫時(shí)碳在奧氏體中的溶解度很小，而一般奧氏體不銹鋼中的含碳量均超過(guò)此值，多余的碳會(huì)不斷地向奧氏體晶粒邊界擴(kuò)散，并和鉻化合，在晶間形成碳化鉻的化合物，如等。貧鉻區(qū)形成：鉻沿晶界擴(kuò)散的速度比在晶粒內(nèi)擴(kuò)散速度快，但由于碳化鉻形成速度較快，內(nèi)部的鉻來(lái)不及向晶界擴(kuò)散，所以在晶間所形成的碳化鉻所需的鉻主要來(lái)自晶界附近，結(jié)果使晶界附近的含鉻量大為減少。當(dāng)晶界的鉻的質(zhì)量分?jǐn)?shù)低到小于時(shí)，就形成 “貧鉻...

電解拋光腐蝕儀器構(gòu)成包括直流電源部分、腐蝕器和控溫系統(tǒng)。直流電源輸出端接腐蝕器的輸入端，腐蝕器與控溫系統(tǒng)相連接。直流電源恒定輸出預(yù)設(shè)電壓和恒定輸出電流給腐蝕器，以及輸出電路中設(shè)置電流過(guò)載保護(hù)器，用于腐蝕器在工作過(guò)程中保持恒定的電壓和電流;直流電源中設(shè)有時(shí)間繼電器，用于樣品電解時(shí)間到達(dá)設(shè)定時(shí)間后，關(guān)閉電流、電壓的輸出，同時(shí)蜂鳴器提醒;腐蝕器包括電極，樣品罩，攪拌器，控溫系統(tǒng)由加熱控制單元和冷卻盤(pán)管組成。折疊編輯本段特點(diǎn)電解拋光腐蝕儀可實(shí)現(xiàn)恒定電壓、恒定電流方式工作，可控制樣試樣的電解電流密度，能快速而有效地對(duì)金屬材料進(jìn)行電解拋光和腐蝕，具有重復(fù)性好，操作控制方便等特點(diǎn)。電解拋光腐蝕，7寸觸摸屏控...

電解拋光腐蝕，顯示鋼的顯微組織的電解浸蝕劑及電解拋光液表 浸蝕劑名稱及成分 使用方法 適用范圍 混合酸水溶液： 磷酸 90亳升 硝酸 8亳升 水 ...

電解腐蝕，在金相分析中，樣品表面質(zhì)量至關(guān)重要。電解拋光是一種通過(guò)電化學(xué)作用去除金屬表面微觀不平度的方法。對(duì)于一些難以用機(jī)械拋光獲得理想表面的金屬材料，如不銹鋼、鎳基合金等，電解拋光儀可以發(fā)揮很大的作用。它能夠在短時(shí)間內(nèi)使樣品表面達(dá)到很高的光潔度，形成類(lèi)似鏡面的效果。例如，在觀察不銹鋼金相組織時(shí)，機(jī)械拋光后的表面可能仍殘留一些細(xì)微劃痕，而電解拋光可以有效地消除這些劃痕，使表面更加平整光滑，從而在金相顯微鏡下能夠更清晰地觀察到金相組織的細(xì)節(jié)，如晶界、相組成等。晶間腐蝕，用戶可以自定義方法數(shù)據(jù)庫(kù)，可儲(chǔ)存100條?？蓪⒊Ｓ玫膮?shù)儲(chǔ)存。上海金屬拋光腐蝕按鈕操作低倍組織加熱腐蝕，解決所述問(wèn)題的基本技術(shù)方案...

低倍組織熱酸蝕腐蝕技術(shù)背景，根據(jù)《GB/T226-91鋼的低倍組織及缺陷酸蝕檢驗(yàn)法》對(duì)鋼材進(jìn)行低倍組織熱酸蝕，以檢查鋼材原材料缺陷和/或鍛造流線。其中，比較重要的方法是熱酸侵蝕法。目前，在應(yīng)用熱酸侵蝕法時(shí)還沒(méi)有專(zhuān)門(mén)的設(shè)備，一般用電爐(或煤氣)加熱裝酸容器如燒杯或砂鍋，它們存在主要缺點(diǎn)1.溫度無(wú)法控制；2.容器不耐腐蝕，壽命短，或易破裂，或不夠大；3.酸揮發(fā)嚴(yán)重，污染環(huán)境；4.時(shí)間無(wú)法精確、自動(dòng)控制；5.控制器和酸蝕槽在一起，整個(gè)系統(tǒng)易腐蝕；6.樣品放入、取出不方便；7.低倍組織酸蝕程度無(wú)法有效控制，重復(fù)性差，一旦樣品酸蝕不理想，就得重新制樣，效率低。電解拋光腐蝕，直流0~100V / 0~6A...

晶間腐蝕檢驗(yàn)方法：晶間腐蝕后有通常有兩種方法檢測(cè)，一種是彎曲法，也就是對(duì)折法，就是試樣進(jìn)行晶間腐蝕檢驗(yàn)后在彎曲試驗(yàn)機(jī)上進(jìn)行彎曲180°，用放大鏡觀察彎曲表面，根據(jù)表面是夠有裂紋來(lái)判斷是否有晶間腐蝕發(fā)生，另一種是金相法，根據(jù)晶間腐蝕后試樣進(jìn)行磨拋+化學(xué)腐蝕，通過(guò)金相顯微鏡觀察腐蝕深度，通過(guò)晶間腐蝕深度來(lái)判斷是否發(fā)生晶間腐蝕；其實(shí)還有第三種辦法，就是有經(jīng)驗(yàn)的師傅還可以通過(guò)聽(tīng)聲法來(lái)判斷，這個(gè)主觀影響較大，不建議使用；金相試樣橫向和縱向都是允許的，因?yàn)槭桥袛嘣嚇痈g的深度，所以橫向還是縱向影響不大的。電解拋光腐蝕，電源過(guò)壓、過(guò)熱以及市電輸入過(guò)欠壓保護(hù)。天津鹽酸腐蝕企業(yè)電解腐蝕，與傳統(tǒng)的機(jī)械拋光相比，電...

電解拋光腐蝕，顯示鋼的顯微組織的電解浸蝕劑及電解拋光液表 浸蝕劑名稱及成分 使用方法 適用范圍 鉻酸水溶液： 三氧化鉻10克 水100亳升 電解浸蝕，以試樣為正極，不銹鋼為負(fù)極，相距18~25亳米，電壓6伏...

晶間腐蝕常用的試驗(yàn)方法：硫酸-硫酸鐵法適用于檢驗(yàn)鎳基合金、不銹鋼因碳化物析出引起的晶間腐蝕。奧氏體不銹鋼在此溶液中的腐蝕電位處于鈍化區(qū)。試驗(yàn)結(jié)果采用腐蝕率和固溶試樣腐蝕率比較來(lái)評(píng)定；草酸浸蝕法主要用作檢驗(yàn)奧氏體不銹鋼晶間腐蝕的篩選試驗(yàn)。電解浸蝕時(shí)腐蝕電位處于過(guò)鈍化區(qū)。浸蝕后用金相顯微鏡觀察浸蝕組織分類(lèi)評(píng)定；鹽酸法適用于檢驗(yàn)?zāi)承└咩f鎳基合金的晶間腐蝕。試驗(yàn)結(jié)果以腐蝕率評(píng)定；氯化鈉-過(guò)氧化氫法適用于檢驗(yàn)含銅鋁合金的晶間腐蝕。試488驗(yàn)結(jié)果采用金相顯微鏡測(cè)量晶間腐蝕深度評(píng)定；氯化鈉-鹽酸法適用于檢驗(yàn)鋁鎂合金的晶間腐蝕。試驗(yàn)結(jié)果的評(píng)定同上；電化學(xué)動(dòng)電位再活化法(EPR法)。在特定溶液中將試樣鈍化后再活...

低倍組織熱腐蝕，在耐酸的封閉塑料容器里通過(guò)耐酸加熱器加熱，酸液不易揮發(fā)且不會(huì)產(chǎn)生安全隱患；容器體積可按需求改變，有利益工作效率提高；控制主機(jī)與酸蝕容器分離不易被腐蝕；采用觸摸屏和軟件智能控制溫度、時(shí)間的精細(xì)控制樣品不會(huì)被過(guò)蝕。觸摸屏操作操作簡(jiǎn)單和直觀，更能輕易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制；不需要工作人員看守，工作完成有聲音提示；控制簡(jiǎn)易，操作不安全且較繁瑣不可靠，難易控制實(shí)驗(yàn)效果，自動(dòng)化控制程度不高；未考慮操作人員安全保護(hù)。目的：結(jié)合現(xiàn)場(chǎng)實(shí)驗(yàn)操作人員探討，使該裝置操作方便可靠，著實(shí)考慮操作人員安全，同時(shí)能實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)的準(zhǔn)確性、穩(wěn)定性及提高生產(chǎn)效率。電解拋光腐蝕，攪拌裝置保證了拋光/腐蝕介質(zhì)均勻，樣品表面環(huán)境一致...

晶間腐蝕，國(guó)內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)：GB/T4334.(1~5)-2000不銹鋼晶間腐蝕敏感性試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)(根據(jù)不同材料敏感性選擇相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn))GB/T15260-1994《鎳合金晶間腐蝕敏感性試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T21433-2008《不銹鋼壓力容器晶間腐蝕敏感性檢驗(yàn)》CB/T3949-2001《船用不銹鋼焊接接頭晶間腐蝕試驗(yàn)方法》ASTMG28-02(2008)StandardTestMethodsforDetectingSusceptibilitytoIntergranularCorrosioninWrought,NickelRich,ChromiumBearingAlloys(中文名稱:《鍛造高鎳鉻...

電解腐蝕，電解腐蝕方面的用處清晰顯示金相組織電解腐蝕是利用電解作用使金屬表面的金相組織選擇性地被腐蝕，從而使不同的相或者晶界在金相顯微鏡下能夠更清晰地顯示出來(lái)。對(duì)于一些用化學(xué)腐蝕方法難以達(dá)到理想效果的材料，電解腐蝕是一種很好的替代方法。例如，某些高合金鋼和有色金屬合金，其組織結(jié)構(gòu)復(fù)雜，化學(xué)腐蝕劑可能無(wú)法準(zhǔn)確地顯示出各個(gè)相之間的邊界。而電解腐蝕可以通過(guò)調(diào)整電解液成分和電解參數(shù)，使不同的相以不同的速度被腐蝕，從而突出金相組織的特征。這種清晰的金相組織顯示有助于準(zhǔn)確地進(jìn)行材料的微觀結(jié)構(gòu)分析，如研究材料的相變過(guò)程、相分布規(guī)律等。電解拋光腐蝕，選配項(xiàng)：RS485連接 方式任選與計(jì)算機(jī)通訊。北京金相電解...

晶間腐蝕涌入，主要由于晶粒表面和內(nèi)部間化學(xué)成分的差異以及晶界雜質(zhì)或內(nèi)應(yīng)力的存在。晶間腐蝕破壞晶粒間的結(jié)合，降低金屬的機(jī)械強(qiáng)度。而且腐蝕發(fā)生后金屬和合金的表面仍保持一定的金屬光澤，看不出被破壞的跡象，但晶粒間結(jié)合力明顯減弱，力學(xué)性能惡化, 不能經(jīng)受敲擊，所以是一種很危險(xiǎn)的腐蝕。通常出現(xiàn)于黃銅、硬鋁合金和一些不銹鋼、鎳基合金中。不銹鋼焊縫的晶間腐蝕是化學(xué)工業(yè)的一個(gè)重大問(wèn)題。不銹鋼在腐蝕介質(zhì)作用下，在晶粒之間產(chǎn)生的一種腐蝕現(xiàn)象稱為晶間腐蝕。低倍組織熱酸蝕腐蝕，緊湊的酸蝕槽，完全可與抽風(fēng)柜配合使用，增加工作環(huán)境的舒適性。安徽低倍組織熱酸蝕腐蝕廠家晶間腐蝕試驗(yàn)方法：在特定介質(zhì)條件下檢驗(yàn)金屬材料晶間腐蝕敏...

晶間腐蝕，評(píng)估材料耐用性：在材料研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中，幫助工程師評(píng)估材料抵抗晶間腐蝕的能力，預(yù)測(cè)材料在實(shí)際使用環(huán)境中的耐用性和使用壽命。對(duì)于一些在惡劣環(huán)境下使用的關(guān)鍵材料，如在高溫、高濕度或強(qiáng)腐蝕性介質(zhì)中工作的金屬材料，通過(guò)晶間腐蝕儀的測(cè)試，可以提前了解材料的耐腐蝕性能，確保材料在服役期間不會(huì)因晶間腐蝕而失效，晶間腐蝕儀是于評(píng)價(jià)材料晶間腐蝕性能的儀器。，晶間腐蝕是一種局部腐蝕，主要發(fā)生在金屬材料的晶粒間界區(qū)，沿著晶界發(fā)展。晶間腐蝕，不銹鋼操作臺(tái)，耐腐蝕，方便維護(hù)清理。江蘇鋼的檢驗(yàn)腐蝕品牌有哪些晶間腐蝕， GB/T10852-89 鑄造鋁銅合金晶粒度； GB/T7998-87 鋁合金晶間腐蝕測(cè)定法 ...

晶間腐蝕試驗(yàn)方法，各標(biāo)準(zhǔn)對(duì)試驗(yàn)細(xì)節(jié)均有詳細(xì)規(guī)定。 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) 試驗(yàn)周期 備注 不銹鋼晶間腐蝕A法 ASTM A262-2010 4天 ...

電解拋光腐蝕電解浸蝕參考資料 試驗(yàn)材料 浸蝕液配比 電解參數(shù) 時(shí)間 陰極材料 備注 鋼 ...

電解拋光腐蝕后面板上面前面一個(gè)為電源總開(kāi)關(guān)；下排左起前面一個(gè)為電源輸入插座；下排左起第二個(gè)：插座的開(kāi)/關(guān)與工作電流輸出同步；下排左起第三、四個(gè)和電源的總電源同步。注意事項(xiàng)：開(kāi)機(jī)前將電壓、電流調(diào)節(jié)電位器逆時(shí)針調(diào)到底；空栽或輕負(fù)載時(shí)輸出電壓由高處至低端時(shí)，動(dòng)作不宜過(guò)快以免失控；面板輸出接線柱不可當(dāng)輸入接線柱使用；對(duì)穩(wěn)壓電源進(jìn)行維修時(shí)，必須將輸入電壓斷開(kāi)；輸入電源線的保護(hù)接地端，必須可靠接地，以確保使用安全。電解拋光腐蝕，溫度隨時(shí)間變化的曲線。寧波鹽酸腐蝕廠家晶間腐蝕，安裝方法，腐蝕機(jī)臺(tái)安裝：將支撐桿固定在機(jī)臺(tái)上，螺紋旋緊。在將十字架與燒瓶夾及傳感器放置架固定在支撐桿上。放置燒瓶放在加熱器上，調(diào)整好...

低倍組織熱腐蝕，缺陷檢驗(yàn)低倍組織檢驗(yàn)是用肉眼或放大適當(dāng)?shù)谋稊?shù)來(lái)觀察試樣浸蝕面的宏觀組織缺陷及斷口形貌的一種檢測(cè)方法。低倍檢驗(yàn)常用的方法有酸蝕、斷口形貌、硫印、塔形發(fā)紋等，其中酸蝕又包括熱酸腐蝕法、冷酸腐蝕法及電解腐蝕法，如需仲裁是推薦使用熱酸腐蝕法。低倍檢驗(yàn)所需設(shè)備簡(jiǎn)單，操作簡(jiǎn)便迅速結(jié)果直觀，易于掌握。它是鑒定制品品質(zhì)的一種重要方法，也是研究工藝制造以及對(duì)制品進(jìn)行品質(zhì)分析時(shí)普遍采用的一種手段。低倍檢驗(yàn)時(shí)試樣的粗糙度要保證，不得有油污和加工傷痕；酸洗時(shí)的溫度和時(shí)間要適宜；清洗時(shí)試樣表面的腐蝕產(chǎn)物要刷干凈，并及時(shí)吹干；酸洗后需立即評(píng)定。電解拋光腐蝕，選配項(xiàng)：RS485連接 方式任選與計(jì)算機(jī)通訊。...