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Ce: YAG 閃爍晶體的生長參數(shù)：根據(jù)Ir坩堝的尺寸以及熱場條件，通過觀察YAP熔體對流狀態(tài)，本論文選擇晶體轉速為10-20RPM；考慮到Ce離子在YAP晶體中的分凝系數(shù)較大（約為0.5）和晶體的尺寸（Φ55mm），實驗中選用了1-2mm/h的提拉速度。生長流程：裝爐→抽真空→充氣→升溫化料→烤晶種→下種→縮頸→生長→提拉→降溫→取出晶體進行退火。在裝爐時，為了保證爐體內徑向溫度軸對稱分布，線圈中心、石英管中心、坩堝中心及籽晶中心應該保持一致。晶體吸收高能射線后，晶體內部產生大量的熱化電子空穴對。遼寧高溫CeYAP晶體型號由于晶體放肩階段屬強迫限制晶體直徑增大的過程，晶體尺寸的變化率比較大，...

同濃度Ce: YAP的熒光光譜。在可見光(300納米)激發(fā)下，不同濃度Ce: YAP的熒光強度隨著濃度的增加而增加，直到0.5at%。當濃度為1.0at%時，濃度淬滅，發(fā)光強度開始降低。相同厚度(5mm)的Ce: YAP晶體在X射線激發(fā)下的發(fā)光強度隨著濃度的增加先增大后減小，峰值位置也有紅移，其中0.3at%處的發(fā)光強度比較高。自吸收對光致發(fā)光幾乎沒有影響，因為激發(fā)和發(fā)射過程都發(fā)生在樣品表面。在高能射線的激發(fā)下，經過多次電離過程，晶體內部產生大量的電子-空穴對，電子-空穴對將能量傳遞到發(fā)光中心，發(fā)光過程基本發(fā)生在晶體內部。CeYAP晶體電子陷阱中捕獲的電子受環(huán)境影響較小。遼寧雙摻CeYAP晶體...

Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP 的熒光激發(fā)發(fā)射譜，714nm 和685nm發(fā)射峰為Mn4+ 離子 2E - 4A2 躍遷[113]。332 nm, 373 nm 和 480 nm ( λem=714nm) 分別屬于Mn4+離子的4A2→4T1 (4F), 4A2→4T1 (4P), 4A2→4T2 躍遷。Ce, Mn: YAP 晶體的Ce3+ 的發(fā)射峰在397nm，比Ce: YAP 晶體紅移了近30 nm，主要是Mn4+ 離子的吸收造成的。圖 4-49 中，Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP在480 nm的吸收峰屬于Mn4+ 離子的4A2→4T2 躍遷，另從透過譜可知，Mn離子...

鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出和快速衰減等閃爍特性，是無機閃爍晶體的重要發(fā)展方向。Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體具有良好的物理化學性質，在無機閃爍晶體中占有優(yōu)勢，在探測中低能粒子射線方面有很大的潛在應用。隨著應用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來越大，生長大尺寸的閃爍晶體變得越來越重要。同時，國內生長的Ce:YAP晶體的自吸收問題長期存在，導致無法有效提高光產額。因此，解決自吸收問題，生長大尺寸Ce:YAP晶體對閃爍材料的研究和應用具有重要意義。CeYAP高溫閃爍晶體具有優(yōu)異的閃爍性能和獨特的物理化學性質。湖南雙摻CeYAP晶體生產YAP晶體的生長過程：生長氣氛：由于采用中頻加熱方式...

本文主要討論了大尺寸Ce:YAP晶體的生長和自吸收以及用溫度梯度法生長和退火大尺寸Ce:YAG晶體，以提高晶體的實用性能。釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶是一種優(yōu)良的激光基質材料和光學襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體得到了普遍的應用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料在1992年引起了人們的注意。Moszynski和Ludziejewski分別于1994年和1997年系統(tǒng)地研究了Ce:YAG晶體的閃爍特性，指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)異的閃爍特性。同時，國內生長的Ce:YAP晶體的自吸收問題長期存在，導致無法有效提高光產額。因此，解決自吸收問題，生長大尺寸Ce:YAP晶體對閃...

生長CeYAP晶體批發(fā)價過渡金屬摻雜對YAP晶體透過邊有哪些影響？Ce: YAP晶體自吸收機制分析，從以上實驗可以看出，存在自吸收的累積效應，隨著厚度和濃度的增加而增加。在氧氣氛中退火后，自吸收增加，而在還原氣氛中，自吸收減少。自吸收隨ce離子濃度的增加而增加，與Ce離子有明顯的相關性，說明雜質離子引起自吸收有兩種可能：一種可能是Ce原料附帶的；另一種可能是其他原料中的雜質可以與Ce離子相互作用形成吸收中心。如果Ce原料上有雜質附著，CeO2原料純度為5N，Ce離子的熔體濃度小于0.6%，兩者之間的倍增為0.1ppm數(shù)量級，那么這種雜質的可能性很小。我們生長的Ce: YAP 在350nm到5...

比較了摻雜不同價離子對Ce: YAP晶體自吸收的影響。發(fā)現(xiàn)二價離子對Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強的負面影響，而四價離子有助于提高晶體的閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對Ce: YAP晶體性能的影響。利用溫度梯度法，生長了直徑為110毫米的Ce: YAG閃爍晶體，該晶體具有良好的形狀和光學性質。研究了不同溫度和氣氛等退火條件對Ce: YAG(TGT)閃爍晶體發(fā)光效率的影響，發(fā)現(xiàn)1100氧退火對提高晶體發(fā)光強度的效果比較好。在離子晶體中還觀察到了一種新的內在發(fā)光：中心帶上部和價帶之間的躍遷，簡稱為中心-價帶躍遷。這種發(fā)光躍遷衰減時間快(子納秒級)，但光輸出低。CeYAP作為一種高溫閃爍晶體，具有...

在弱還原氣氛下生長的Ce:YAP晶體，發(fā)現(xiàn)自吸收得到有效緩解，2mm厚度晶體透過邊藍移近30nm，熒光激發(fā)的發(fā)光強度提高了50%以上。同時研究了還原氣氛生長對Ce:YAP晶體其他閃爍性能的影響。1．生長了不同價態(tài)離子摻雜的Ce:YAP晶體，以研究電荷補償效應對Ce4+離子的作用。結果發(fā)現(xiàn)兩價離子對Ce:YAP晶體閃爍性能有很強的負面影響，四價離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。2．研究了Mn離子摻雜對Ce:YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基質中Ce，Mn之間存在明顯的能量轉移過程。由于存在Ce3+離子的非輻射躍遷，Ce,Mn:YAP的衰減時間的快慢成分均變?yōu)樵瓉淼囊话耄渲锌斐煞譃?0ns左右...

從Ce3+ 離子2F7/2和2F5/2 態(tài)能級在YAP 晶體中的能級分裂看，2F7/2能級在晶體場中分裂的子能級寬度對應波數(shù)范圍為3250 cm-1到2085cm-1, 2F5/2 態(tài)能級分裂的子能級寬度范圍為500 cm-1左右， 5d比較低能級的對應波數(shù)為33000 cm-1。可以得到Ce3+ 在YAP基質中激發(fā)譜(d-f 躍遷)的比較低能級躍遷的波長為336.1nm（29750 cm-1），因此316nm的激發(fā)峰成分雖然發(fā)光波長比較偏紅光方向，但仍在允許范圍內。當激發(fā)波長從294nm（34013cm-1）到316nm（31645 cm-1）變化時，各子能級都有可能被激發(fā)，且不同能量激發(fā)時...

YAP晶體的生長過程：(1)籽晶：的選擇籽晶的走向和質量直接影響直拉晶體的質量。對于YAP單晶，由于其嚴重的各向異性，B軸的熱膨脹系數(shù)遠大于A軸和C軸(A:4.2 10-6 oc-1，B:11.7 10-6 oc-1，C:5.1 10-6 oc-1)，在生長過程中容易產生結構應力和相應的熱應力。這些熱應力也為了減少這種影響，我們選擇了《100〉中的YAP 籽晶，〈010〉中的〈001〉中的〈101〉中的〈籽晶尺寸為8 50mm(2)熱場的選擇：由于YAP晶體熱膨脹系數(shù)和熱導率的軸向差異，除了選擇合適的籽晶外，選擇合適的溫度場環(huán)境更為重要。由于鈣鈦礦結構的YAP晶體的孿晶習性很容易揭示...

Ce:YAP晶體在弱還原氣氛中生長，發(fā)現(xiàn)晶體的自吸收被有效壓制。與在惰性氣氛中生長的樣品相比，厚度為2mm的樣品的透射邊緣移動了近30納米，發(fā)光強度提高了50%以上。同時，研究了還原氣氛生長對Ce: YAP晶體其他閃爍性能的影響。比較了不同價離子摻雜對Ce: YAP晶體閃爍性能的影響。結果表明，二價離子摻雜對Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強的負面影響，而四價離子摻雜有助于提高Ce:Yap晶體的部分閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對Ce: YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基體中Mn離子和Ce離子之間存在明顯的能量轉移過程，Ce和Mn: YAP的衰變時間明顯短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分...

Ce:YAP晶體生長原料需要哪些？無機閃爍晶體在將高能射線或粒子轉化為低能光子的過程中，會發(fā)生一系列微觀過程，如一級和二級電離和激發(fā)、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對的俘獲、電子-空穴對與熒光中心之間的能量轉移等。當經歷電離事件時，閃爍體處于從非平衡狀態(tài)到平衡狀態(tài)的弛豫過程中。大量的熱化電子空穴對和這些電子產生的相當一部分低能激子0終會轉化為發(fā)射光子，從高能輻射到紫外或可見光光子的過程就是閃爍過程。鈣鈦礦結構的YAP晶體的孿晶習性很容易揭示。江西國產CeYAP晶體參數(shù)一般來說，閃爍體可以分為有機閃爍體(如萘和蒽)和無機閃爍體。Ce:YAP作為...

剛出爐的Ce:YAP單晶由于內部熱應力較大，在加工過程中容易開裂，提拉法生長的晶體明顯，同時由于鈰離子的價態(tài)(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高溫閃爍晶體中只有三價鈰離子(Ce3)作為發(fā)光中心，因此不同的退火工藝條件對高溫閃爍晶體的閃爍性能有重要影響。對于空氣退火，退火溫度為1000 ~ 1600，恒溫時間為20 ~ 30小時，1200以下升溫/降溫速率為50 ~ 100，1200時升溫/降溫速率為30 ~ 50。使用的設備是硅碳或硅鉬棒馬弗爐流動氫退火，退火溫度1200-1600，恒溫時間20-36小時，1200以下升溫/降溫速率50-100/小時，1200升溫/降溫速率30-50/小時。Ce...

摻鈰鋁酸釔(Ce: YAP)和釔鋁石榴石(Ce: YAG)高溫閃爍晶體不jin具有高光輸出和快速衰減的閃爍特性(表1-5)，而且具有優(yōu)異的物理化學性能(表1-6)。它們具有密度低、有效原子序數(shù)小的缺點，但可以廣泛應用于中低能射線和粒子探測領域。Ce: YAP和Ce: YAG是兩種典型的高光輸出、快速衰減的高溫無機閃爍晶體，已經在許多場合得到應用。對它們的生長特性、晶體缺陷和光學閃爍性能的研究，對其他鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體的研究和探索具有重要的參考意義。自20世紀80年代末和90年代初以來，國內外對摻雜鈰離子的無機閃爍體進行了大量的研究和探索。河北新型CeYAP晶體出廠價不同厚度Ce:YAP晶...

一般來說，閃爍體可以分為有機閃爍體(如萘和蒽)和無機閃爍體。Ce:YAP作為閃爍晶體的真正研究始于T. Takada等人(1980)和R. Autrata等人(1983)的提議以及YAP晶體作為掃描電鏡電子射線和紫外光子檢測的研究。1991年，Baryshevky等人用水平區(qū)熔法生長了Ce:YAP閃爍晶體，然后研究了不同方法生長的Ce:YAP晶體的光學和閃爍性質。1995年，Tetsuhiko等人總結并重新研究了Ce:YAP晶體的光學特性。此后，大量文獻報道了Ce:YAP晶體的閃爍性質和應用，并對其閃爍機理進行了大量深入的研究工作。由于Ce:YAP高溫閃爍晶體具有優(yōu)異的閃爍性能和獨特的物理化學...

紫外線照射對Ce: YAP晶體自吸收的影響，我們用8W的紫外燈功率和255nm的波長照射厚度為2mm、濃度為0.3%的Ce: YAP樣品。樣品輻照時間分別為15、30和60分鐘。從紫外輻射吸收光譜可以清楚地看出，隨著輻照時間的增加，Ce: YAP樣品的吸收邊發(fā)生紅移，樣品在254nm處的吸收系數(shù)也相應增加。退火和輻照純度對YAP和Fe: YAP晶體吸收光譜的影響，據(jù)報道，F(xiàn)e3和Fe2離子分別在260納米和227納米附近有吸收[98，99]，純YAP在260納米附近也有吸收。為了了解255納米附近的吸收峰特性，我們生長并研究了純YAP晶體和濃度為0.2%的YAP:鐵。通過透射率的比較，我們粗略...

無機閃爍晶體的閃爍機理閃爍體的本質是在盡可能短的時間內把高能射線或者粒子轉化成可探測的可見光。通常高能射線與無機閃爍晶體相互作用存在有三種方式，光電效應，康普頓散射，正負電子對。光電效應中，一個離子吸收光子后，會從它的一個殼層中發(fā)射出光電子，光電子能量為光子能量和電子結合能之差。當該殼層的空位別外層較高能量的電子填充時，結合能會以X射線或者俄歇電子的形式釋放出來。產生的X射線將在二次光電過程中北吸收，入射光的全部能量則被閃爍體所吸收。Ce:YAP晶體的吸收光譜和熒光光譜受不同的生長方法和不同的后熱處理工藝的影響很大。山東科研用CeYAP晶體批發(fā)廠家比較了摻雜不同價離子對Ce: YAP晶體自吸收...

隨著我們過經濟的飛速發(fā)展，脫貧致富，實現(xiàn)小康之路觸手可及。值得注意的是有限責任公司（自然）企業(yè)的發(fā)展，特別是近幾年，我國的電子企業(yè)實現(xiàn)了質的飛躍。從電子元器件的外國采購在出售。電子元器件加工是聯(lián)結上下游供求必不可少的紐帶，目前電子元器件企業(yè)商已承擔了終端應用中的大量技術服務需求，保證了原廠產品在終端的應用，提高了產業(yè)鏈的整體效率和價值。電子元器件行業(yè)規(guī)模不斷增長，國內市場表現(xiàn)優(yōu)于國際市場，多個下游企業(yè)的應用前景明朗，電子元器件行業(yè)具備廣闊的發(fā)展空間和增長潛力。結果發(fā)現(xiàn)兩價離子對Ce:YAP晶體閃爍性能有很強的負面影響，四價離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。河北科研用CeYAP晶體直銷近年來，...

從Ce3+ 離子2F7/2和2F5/2 態(tài)能級在YAP 晶體中的能級分裂看，2F7/2能級在晶體場中分裂的子能級寬度對應波數(shù)范圍為3250 cm-1到2085cm-1, 2F5/2 態(tài)能級分裂的子能級寬度范圍為500 cm-1左右， 5d比較低能級的對應波數(shù)為33000 cm-1?？梢缘玫紺e3+ 在YAP基質中激發(fā)譜(d-f 躍遷)的比較低能級躍遷的波長為336.1nm（29750 cm-1），因此316nm的激發(fā)峰成分雖然發(fā)光波長比較偏紅光方向，但仍在允許范圍內。當激發(fā)波長從294nm（34013cm-1）到316nm（31645 cm-1）變化時，各子能級都有可能被激發(fā)，且不同能量激發(fā)時...

可以假設這種情況存在于NaI: Tl閃爍體中，因為其中Vk中心的遷移時間小于10-7s。另一個模型假設空穴與Vk中心分離，從價帶向發(fā)光中心移動。由于非局域空穴的高遷移率，這是一種將能量轉移到發(fā)光中心的快速方法。閃爍過程的后面一個階段，即發(fā)光中心的發(fā)射，已經得到了徹底的研究。我們上面已經提到了一些啟動過程。目前發(fā)光中心一般分為內在和外在兩類。鹵化物和氧化物的本征發(fā)光主要受自陷激子效應的制約。非本征發(fā)光主要取決于激發(fā)劑本身的電子躍遷(NaI: Tl，CaF2: Eu)或基質與激發(fā)劑之間的躍遷(znse3360te，zns:ag)。而一些所謂的自激閃爍晶體(CeF3，Bi4Ge3O12，CaWO4)...

近年來，出現(xiàn)了一些新的快速閃爍材料，如Zn0基閃爍體、摻鐠氧化物晶體[2，3]、Yb: YAG等。Zn0和Yb: YAG的衰減時間小于1ns，但出光率低，Zn0晶體的生長非常困難。由于Pr3中d-f躍遷發(fā)光的存在，其氧化物晶體的衰變時間比摻鈰氧化物晶體快。比如Pr3360YAG是17ns，但是Pr的復雜能級對光產額影響很大。0近有報道稱，摻鎵Zn0的發(fā)光強度有了很大的提高，對時間特性影響不大。由于各種原因，這些新的閃爍材料在實際應用之前還有很長的路要走。閃爍材料會議也經常舉行。CeYAP晶體在對閃爍晶體CeYAP的研究過程中 ，發(fā)現(xiàn)了YAP晶體的變色現(xiàn)象。湖南品質CeYAP晶體過渡金屬離子摻雜...

在室溫下，陷激子的三線態(tài)-單線態(tài)躍遷只在某些基質中有效。具有復雜陰離子的化合物如WO4和MoO4也顯示出固有的發(fā)光。發(fā)光來源于電荷數(shù)高的過渡金屬離子，0外層電子構型為np6nd0。有些化合物，如CdWO4和CaWO4，光輸出很高。在離子晶體中還觀察到了一種新的內在發(fā)光：中心帶上部和價帶之間的躍遷，簡稱為中心-價帶躍遷。這種發(fā)光躍遷衰減時間快(子納秒級)，但光輸出低。 品質優(yōu)的CeYAP晶體成本價不同濃度Ce:YAP晶體自吸收比較。在本世紀，一些重要的閃爍材料因其商業(yè)應用前景而得到廣泛應用，或者因其優(yōu)異的性能而在科學研究中得到普遍關注和發(fā)展。CeYAP晶體具有優(yōu)良的閃爍性能，其主要特點是光產額大...

在弱還原氣氛下生長的Ce:YAP晶體，發(fā)現(xiàn)自吸收得到有效緩解，2mm厚度晶體透過邊藍移近30nm，熒光激發(fā)的發(fā)光強度提高了50%以上。同時研究了還原氣氛生長對Ce:YAP晶體其他閃爍性能的影響。1．生長了不同價態(tài)離子摻雜的Ce:YAP晶體，以研究電荷補償效應對Ce4+離子的作用。結果發(fā)現(xiàn)兩價離子對Ce:YAP晶體閃爍性能有很強的負面影響，四價離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。2．研究了Mn離子摻雜對Ce:YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基質中Ce，Mn之間存在明顯的能量轉移過程。由于存在Ce3+離子的非輻射躍遷，Ce,Mn:YAP的衰減時間的快慢成分均變?yōu)樵瓉淼囊话?，其中快成分?0ns左右...

紫外輻照對Ce:YAP晶體自吸收有影響嗎？摻鈰高溫閃爍晶體是無機閃爍晶體的一個重要發(fā)展方向，其中鈰：YAP和鈰3360Yag是較好的晶體。隨著應用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來越大，因此生長大尺寸的閃爍晶體變得更加重要。同時，國內生長的Ce:YAP晶體自吸收現(xiàn)象普遍存在，導致無法有效提高出光量，其機理尚不清楚。為了有效提高Ce:YAP晶體的閃爍性能，解決其自吸收問題，提高其發(fā)光強度，重點研究了Ce:YAP晶體的自吸收機制。同時，為了獲得高發(fā)光效率的大尺寸Ce:YAG晶體，嘗試用溫度梯度法生長大尺寸Ce:YAG晶體，并探索了晶體的比較好熱處理條件。本文主要討論了大尺寸Ce:YAP晶體的生長和自吸...

一個類似于輻射長度的物理量叫做摩爾半徑(RM):RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.13)，小摩爾半徑有利于減少其他粒子對能量測量的污染。吸收系數(shù)、輻射長度和摩爾半徑與晶體密度直接或間接成反比。因此，尋找高密度閃爍晶體已成為未來閃爍晶體的一個重要研究方向。為了減小探測器的尺寸和成本，希望探測器越緊湊越好。因此，要求閃爍晶體在防止輻射方面盡可能強，表現(xiàn)為晶體的吸收系數(shù)大、輻射長度短、摩爾半徑小。Ce:YAP晶體的吸收光譜和熒光光譜受不同的生長方法和不同的后熱處理工藝的影響很大。我國生長的Ce: YAP晶體存在嚴重的自吸收問題，直接影響晶體的發(fā)光效率。北京新型CeYAP晶體哪家好Mn離子摻...

隨著激光晶體，閃爍晶體，光學晶體，光學元件及生產加工產業(yè)受到相關部門高度重視、下游企業(yè)與元器件產業(yè)的黏性增強、下游 5G 產業(yè)發(fā)展前景明朗等利好因素的驅使下，我國電子元器件行業(yè)下半年形勢逐漸好轉。隨著我們過經濟的飛速發(fā)展，脫貧致富，實現(xiàn)小康之路觸手可及。值得注意的是有限責任公司（自然）企業(yè)的發(fā)展，特別是近幾年，我國的電子企業(yè)實現(xiàn)了質的飛躍。從電子元器件的外國采購在出售。電子元器件幾乎覆蓋了我們生活的各個方面，既包括電力、機械、交通、化工等傳統(tǒng)工業(yè)，也涵蓋航天、激光、通信、機器人、新能源等新興產業(yè)。由于晶體放肩階段屬強迫限制晶體直徑增大的過程，晶體尺寸的變化率比較大。河南白光LED用CeYAP晶...

目前，Ce:YAP閃爍晶體已有不同規(guī)格出售，主要采用直拉法和下降法生長。ce:yap的1.5.1.2晶體結構、生長、能級和光譜性質CeYAP晶體低濃度與高濃度如何區(qū)分？載流子也可以被晶格中的淺陷阱俘獲。這些俘獲的載流子可以被熱釋放并參與復合過程，從而增加晶體的發(fā)射持續(xù)時間。(Ce3離子5d態(tài)的能量較低，與4f態(tài)的高能級重疊。所以4f電子會被激發(fā)到5d態(tài)，從5d態(tài)回到4f態(tài)會發(fā)光。由于5d軌道位于5s5p之外，不像4f軌道那樣被屏蔽在內層，所以很容易受到外場的影響，使得5d態(tài)成為能帶而不是離散能級。從這個能帶到4f能級的躍遷成為帶譜。CeYAP作為一種高溫閃爍晶體，具有良好的機械加工性能。山東高...

摻鈰高溫閃爍晶體是無機閃爍晶體的一個重要發(fā)展方向，其中鈰：YAP和鈰3360Yag是較好的晶體。隨著應用要求的變化，閃爍晶體的尺寸越來越大，因此生長大尺寸的閃爍晶體變得更加重要。同時，國內生長的Ce:YAP晶體自吸收現(xiàn)象普遍存在，導致無法有效提高出光量，其機理尚不清楚。為了有效提高Ce:YAP晶體的閃爍性能，解決其自吸收問題，提高其發(fā)光強度，重點研究了Ce:YAP晶體的自吸收機制。同時，為了獲得高發(fā)光效率的大尺寸Ce:YAG晶體，嘗試用溫度梯度法生長大尺寸Ce:YAG晶體，并探索了晶體的比較好熱處理條件。CeYAP晶體，摻鈰YAP晶體兼有高光輸出和快衰減時間的閃爍特征。北京新型CeYAP晶體好...

目前，Ce:YAP閃爍晶體已有不同規(guī)格出售，主要采用直拉法和下降法生長。ce:yap的1.5.1.2晶體結構、生長、能級和光譜性質，Ce: YAP晶體的紅外光譜在4.9 um、4.0 um、3.7 um和3.1 um處有吸收帶，這可歸因于Ce3離子從2F5/2躍遷到2 F7/2[40]。紫外-可見吸收光譜在303 nm、290 nm、275 nm、238 nm處有吸收峰，這可歸因于Ce3離子從2F5/2能級躍遷到5d能級。Ce: YAP晶體的d-f躍遷為寬帶發(fā)射，峰值在365 nm。Ce 3的光致發(fā)光強度呈單指數(shù)形式衰減，室溫下其衰減常數(shù)約為16-18n。由于YAP矩陣中的各種缺陷能級都能俘...

在吸收伽馬量子后的10-10s內，離子晶體包含大量Vk中心和位于導帶中的自由電子。Vk心臟在閃爍過程中起著重要作用。軸向弛豫也受到價帶激子和(X22-)*分子中空穴組成的影響。對于高能激發(fā)，直接形成價帶激子的概率比較低，而囚禁的激子可以通過Vk中心俘獲自由電子形成。那么處于激發(fā)態(tài)的被囚禁的激子可以發(fā)射光子，這就是所謂的激子發(fā)光。這種發(fā)光源于導帶中的電子和Vk中心之間的相互作用，一個Vke配置的自陷激子。這種發(fā)光具有與由晶體中的光致激發(fā)形成的陰離子激子發(fā)光相同的特征。堿金屬鹵化物晶體的本征激子發(fā)光只在低溫下有效，此時空穴自陷形成的Vk中心是不動的。CeYAP晶體穩(wěn)定的化學性質和良好的探測性能，在...