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安徽射頻功率放大器設(shè)備

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-06-12

    用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動(dòng)放大電路之間阻抗匹配;所述驅(qū)動(dòng)放大電路,用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號(hào);所述反饋電路,用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益;所述級(jí)間匹配電路,用于使所述驅(qū)動(dòng)放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配;所述功率放大電路,用于放大所述級(jí)間匹配電路輸出的信號(hào);所述輸出匹配電路,用于使所述射頻功率放大器電路和后級(jí)電路之間阻抗匹配。本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種增益控制方法,應(yīng)用于上述的射頻功率放大器電路,所述方法包括:終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后,確定所述射頻功率放大器電路的工作模式,并通過發(fā)送模式控制信號(hào)控制所述射頻功率放大器電路進(jìn)入所述工作模式;所述可控衰減電路,根據(jù)所述終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號(hào),實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路的負(fù)增益模式與非負(fù)增益模式之間的切換;所述輸入匹配電路,用于使所述可控衰減電路和所述驅(qū)動(dòng)放大電路之間阻抗匹配;所述驅(qū)動(dòng)放大電路,用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號(hào);所述反饋電路,用于調(diào)節(jié)所述射頻功率放大器電路的增益;所述級(jí)間匹配電路,用于使所述驅(qū)動(dòng)放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配;所述功率放大電路。噪聲系數(shù)是指輸入端信噪比與放大器輸出端信噪比的比值,單位常用“dB'’。安徽射頻功率放大器設(shè)備

    微控制器控制第五一開關(guān)導(dǎo)通、第五二開關(guān)關(guān)斷,此時(shí)可實(shí)現(xiàn)低增益;微控制器控制第五一開關(guān)和第五二開關(guān)均導(dǎo)通,此時(shí)反饋電路的等效電阻小,可實(shí)現(xiàn)負(fù)增益。在一些實(shí)施例中,當(dāng)射頻放大器電路的高增益為30db左右,低增益為15db左右,負(fù)增益為-10db左右時(shí),可設(shè)置第五三電阻的阻值為5kω,第五一電阻的電阻為1kω,第五二電阻的電阻為100ω。需要說明的是,本實(shí)施例對(duì)反饋電路的具體形式不做限定??梢姡ㄟ^控制反饋電路中第二開關(guān)的通斷,可以改變射頻功率放大器電路的增益大小,實(shí)現(xiàn)增益的大范圍調(diào)節(jié)。在一個(gè)可能的示例中,級(jí)間匹配電路104包括:第三電感l(wèi)3、第七電容c7和第八電容c8,其中:第三電感的端連接第三mos管的漏級(jí),第三電感的第二端連接第二電壓信號(hào)和第七電容的一端,第七電容的端連接第二電壓信號(hào),第七電容的第二端接地,第八電容的端連接第三mos管的漏級(jí)。其中,第二電壓信號(hào)為vcc。在本申請(qǐng)實(shí)施例中,考慮到級(jí)間匹配電路的復(fù)雜性,將級(jí)間匹配電路簡(jiǎn)化為用第三電感、第七電容和第八電容表示。在一個(gè)可能的示例率放大電路105包括:第四mos管t4、第五mos管t5和第九電容c9,其中:第四mos管的柵級(jí)與第八電容的第二端連接。安徽短波射頻功率放大器報(bào)價(jià)由于進(jìn)行大功率放大設(shè)計(jì),電路必然產(chǎn)生許多諧波,匹配電路還需要有濾 波功能。

    vgs是指柵源電壓,vth是指閾值電壓。開關(guān)關(guān)斷的寄生電容:coff=fom/ron。其中fom為半導(dǎo)體工藝商提供的開關(guān)ron與coff乘積,單位為fs(飛秒)。另,w/l較大,發(fā)生esd時(shí)有利于能提供直接的低阻抗電流泄放通道。用兩個(gè)sw疊加,相對(duì)單sw,能在esd大電流下保護(hù)sw的mos管不被損壞。當(dāng)可控衰減電路的sw使用了疊管設(shè)計(jì),兩個(gè)開關(guān)sw1和sw2的控制邏輯是一樣的:(1)非負(fù)增益模式下,sw1和sw2同時(shí)關(guān)斷;(2)負(fù)增益模式下,sw1和sw2同時(shí)打開。本申請(qǐng)實(shí)施例中的sw1和sw2在應(yīng)用中可以采用絕緣體上硅(silicononinsulator,soi)cmos管,也可以是bulkcmos管(平面結(jié)構(gòu)mos管)。下面提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結(jié)構(gòu),如圖5a所示,圖5a中l(wèi)2、c1和r2構(gòu)成驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路之前的輸入匹配電路,可以將輸入端口的阻抗匹配到適合射頻功率放大器電路的輸入阻抗位置,這是由于驅(qū)動(dòng)放大級(jí)電路需要某種特定阻抗范圍,輸出功率才能實(shí)現(xiàn)所需的效率,增益等性能??煽厮p電路的并聯(lián)到地支路的sw1和r1,在它們之前的電感l(wèi)1用于對(duì)并聯(lián)到地支路的寄生電容的匹配補(bǔ)償。在高增益模式下,這種射頻功率放大器電路輸入的匹配結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔,輸入端口匹配良好,因此輸入端的回波損耗好。

    本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設(shè)備。背景技術(shù):在無線通信中,用戶設(shè)備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動(dòng)通信(lte)中,用戶設(shè)備需要支持40多個(gè)工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier,pa)的性能會(huì)隨著工作頻率變化,難以實(shí)現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb,663mhz~915mhz),中頻段(mb,1710mhz~2025mhz),高頻段(hb,2300mhz~2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個(gè)pa,每個(gè)功率放大器支持一個(gè)頻段,需要三個(gè)寬帶pa。尤其是lb的相對(duì)頻率帶寬,pa很難在整個(gè)頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)高線性和高效率,在設(shè)計(jì)的過程中會(huì)存在線性度和效率和折中處理,同時(shí)頻段內(nèi)的不同頻點(diǎn)的性能也不同。無線通信對(duì)發(fā)射頻譜的雜散有嚴(yán)格的要求。當(dāng)pa后連接的濾波器對(duì)諧波抑制較少因此要求pa的輸出諧波也較低。pa的匹配路同時(shí)要具有濾波性能。部分高集成的射頻前端芯片(如2g前端模組,nbiot前端模組),要求pa的匹配濾波電路同時(shí)具有很高的諧波抑制性能,因此不需要再在pa后增加濾波器。設(shè)計(jì)一種寬帶功率放大器,在功率頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)一致且良好的性能,成為寬帶pa的設(shè)計(jì)的重點(diǎn)和難點(diǎn)。功率放大器一般可分為A、AB、B、c、D、E、F類。

    gate)電壓偏置電路由內(nèi)部電壓源vg、r8、r9和c13按照?qǐng)D7所示連接而成。r8、r9和c13組成的t型網(wǎng)絡(luò),起到隔離t3柵極較弱射頻電壓擺幅的作用。在實(shí)際模擬電路中設(shè)計(jì)電壓源,可將vg電壓分成多個(gè)檔位,通過數(shù)字寄存器(屬于微控制器)控制切換vg檔位,達(dá)到t3柵極電壓切換的效果。其中,t4和t5組成的疊管結(jié)構(gòu),與t2和t3組成的疊管結(jié)構(gòu),是一樣的。t2和t3和器件尺寸一樣,t4和t5和器件尺寸一樣。t2(t3):t4(t5)的器件尺寸之比是2:5的關(guān)系。比如:t2和t3的mos管的溝道寬度為2mm左右,t4和t5的mos管的溝道寬度為5mm。則在非負(fù)增益模式下:vcc=,t2的偏置電流ib=12ma左右,t4的偏置電流ib=45ma左右,t3管和t5管的vg=。在負(fù)增益模式下:vcc=,t2的偏置電流ib=2ma左右;t4的偏置電流ib=6ma左右;t3管和t5管的vg=。在本申請(qǐng)文件實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路中,為了說明輸入匹配的可控衰減電路設(shè)計(jì),對(duì)級(jí)間匹配電路進(jìn)行了簡(jiǎn)化處理,實(shí)際的級(jí)間匹配電路是一個(gè)較為復(fù)雜的lccl網(wǎng)絡(luò)。級(jí)間匹配電路中的c7的電容數(shù)值較大,c7使r6在射頻頻率上并聯(lián)接地。需要注意的是,在本申請(qǐng)實(shí)施例中,匹配這個(gè)概念針對(duì)的是射頻信號(hào),c7表示射頻的短路,可在射頻等效電路中省去。此外。根據(jù)晶體管的增益斜率和放大器增益要求,確定待綜合匹配網(wǎng)絡(luò)的衰減斜 率、波紋、帶寬,并導(dǎo)出其衰減函數(shù)。河北線性射頻功率放大器要多少錢

目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs,GAN和LDMOS工藝。安徽射頻功率放大器設(shè)備

    實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式;其中,偏置電路與驅(qū)動(dòng)放大電路連接,第二偏置電路與功率放大電路連接。其中,如圖7所示,偏置電路1020包括:第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、電流源ib、電壓源vg、第六電阻r6、第七電阻r7、第八電阻r8、第九電阻r9、第二電容c2、第七電容c7、第十二電容c12、第十三電容c13。第二mos管的漏極電流偏置電路由電流源、第六mos管、第六電阻、第七電阻和第十二電容按照?qǐng)D7所示連接而成。第六電阻、第七電阻和第十二電容組成的t型網(wǎng)絡(luò),可以起到隔離輸入信號(hào)的作用。第二mos管的寬長(zhǎng)比w/l是第六mos管的寬長(zhǎng)比的c(c遠(yuǎn)大于1)倍,因此第二mos管的漏極偏置電流近似為電流源的c倍,實(shí)現(xiàn)了電流放大。電流源存在多個(gè)可調(diào)節(jié)檔位,通過微處理器發(fā)出的第三控制信號(hào)和第四控制信號(hào),控制電流源檔位的切換,可切換第二mos管的漏極電流,從而調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)放大電路的放大倍數(shù)。第三mos管t3的柵極電壓偏置電路由電壓源vg、第八電阻r8、第九電阻r9和第十三電容c13按照?qǐng)D7所示連接而成。第八電阻、第九電阻和第十三電容組成的t型網(wǎng)絡(luò),可起到隔離第三mos管柵極的射頻電壓擺幅的作用。電壓源存在多個(gè)可調(diào)節(jié)檔位。安徽射頻功率放大器設(shè)備

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