1) 由既定拉力測(cè)試高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí)，解決了鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對(duì)環(huán)境要求苛刻的問題。

2) 由高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實(shí)現(xiàn)圖 形化，應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。

3) 由破壞性試驗(yàn)結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對(duì)工藝流程進(jìn) 一步優(yōu)化，對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行改進(jìn)，以期達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度與鍵合率。 EVG鍵合機(jī)的特征有：壓力高達(dá)100 kN、基底高達(dá)200mm、溫度高達(dá)550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。上海鍵合機(jī)芯片堆疊應(yīng)用

EVG?6200BA自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) 用于晶圓間對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)化鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性，模塊化升級(jí)功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對(duì)準(zhǔn)器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對(duì)準(zhǔn)過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對(duì)準(zhǔn) 手動(dòng)或電動(dòng)對(duì)中平臺(tái)，帶有自動(dòng)對(duì)中選項(xiàng) 全電動(dòng)高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面三維芯片鍵合機(jī)鍵合精度業(yè)內(nèi)主流鍵合機(jī)使用工藝：黏合劑，陽(yáng)極，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。

熔融和混合鍵合系統(tǒng)：

熔融或直接晶圓鍵合可通過每個(gè)晶圓表面上的介電層長(zhǎng)久連接，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器。

混合鍵合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合，從而允許晶片面對(duì)面連接?；旌辖壎ǖ闹饕獞?yīng)用是高級(jí)3D設(shè)備堆疊。

EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含：EVG301單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng)；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)；GEMINIFB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)；BONDSCALE自動(dòng)化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。

Abouie M 等人［4］針對(duì)金—硅共晶鍵合過程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對(duì)準(zhǔn)問題，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。

EVG®520IS晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：

單腔或雙腔晶圓鍵合系統(tǒng)，用于小批量生產(chǎn)。

EVG520IS單腔單元可半自動(dòng)操作蕞大200mm的晶圓，適用于小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，具有EVGroup專有的對(duì)稱快速加熱和冷卻卡盤設(shè)計(jì)。諸如**的頂側(cè)和底側(cè)加熱器，高壓鍵合能力以及與手動(dòng)系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢(shì)，為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻(xiàn)。

特征：

全自動(dòng)處理，手動(dòng)裝卸，包括外部冷卻站

兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器

單室或雙室自動(dòng)化系統(tǒng)

全自動(dòng)的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動(dòng)

集成式冷卻站可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量

選項(xiàng)：

高真空能力（1E-6毫巴）

可編程質(zhì)量流量控制器

集成冷卻

技術(shù)數(shù)據(jù)

蕞大接觸力

10、20、60、100kN

加熱器尺寸150毫米200毫米

蕞小基板尺寸單芯片100毫米

真空

標(biāo)準(zhǔn)：1E-5mbar

可選：1E-6mbar EVG鍵合可選功能：陽(yáng)極，UV固化，650℃加熱器。廣西ComBond鍵合機(jī)

EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。上海鍵合機(jī)芯片堆疊應(yīng)用

EVG®850SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快，性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來。因此，EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng)，已被確立為SOI晶圓市場(chǎng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。上海鍵合機(jī)芯片堆疊應(yīng)用

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司致力于儀器儀表，是一家其他型公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)等，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證。公司從事儀器儀表多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的技術(shù)，還有一批**的專業(yè)化的隊(duì)伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。在社會(huì)各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn)，為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。