EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜(膠帶)自動無應力層壓到晶圓上 特色 技術數據 EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動,無應力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術可對卷筒上的膠帶進行打孔,然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術,可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無關。 特征 將任何類型的干膠膜自動,無應力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準的層壓 保護套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG?850TB臨時鍵合系統(tǒng) 技術數據 晶圓直徑(基板尺寸) 高達300毫米 組態(tài) 1個打孔單元 底側保護襯套剝離 層壓 選件 頂側保護膜剝離 光學對準 加熱層壓 EVG服務:高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。內蒙古美元價格鍵合機
EV Group開發(fā)了MLE?(無掩模曝光)技術,通過消 除與掩模相關的困難和成本,滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關鍵要求。 MLE?解決了多功能(但緩慢)的開發(fā)設備與快 速(但不靈活)的生產之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案,可同時進行裸片和晶圓級設計,支持現有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應性,并具有多級冗余功能,以提高產量和降低擁有成本(CoO)。
EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求,而且還滿足MEMS,生 物醫(yī)學和印刷電路板制造的要求。 上海EVG6200鍵合機EVG鍵合機通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進行大多數鍵合過程。
焊使用工具將導線施加到微芯片上時對其產生壓力。將導線牢固地固定到位后,將超聲波能量施加到表面上,并在多個區(qū)域中建立牢固的結合。楔形鍵合所需的時間幾乎是類似球形鍵合所需時間的兩倍,但它也被認為是更穩(wěn)定的連接,并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來完成。
不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當指導的情況下嘗試進行球焊或楔焊,因為焊線的敏感性和損壞電路的風險。已開發(fā)的技術使這兩個過程都可以完全自動化,并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合。蕞終結果是實現了更加精確的連接,這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產生的連接要持久。
長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來,立即在業(yè)內掀起了市場**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當今的工藝標準,EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設計功能,可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或gao級封裝的不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。對于無夾層鍵合工藝,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結合,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質。
GEMINI ? FB自動化生產晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現高精度對準和熔融 特色 技術數據 半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴展了當前標準,并結合了更高的生產率,更高的對準度和覆蓋精度,適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準器,該鍵合對準器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊,用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。山西鍵合機用于生物芯片
除了支持3D互連和MEMS制造,晶圓級和先進封裝外,EVG的EVG500系晶圓鍵合機還可用于研發(fā),中試和批量生產。內蒙古美元價格鍵合機
真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標準),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質:去離子水(標準),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉:蕞/高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質線(1個超音速系統(tǒng)使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術支持 內蒙古美元價格鍵合機
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