光刻膠）polyerlayers（高分子聚合物層）polymide（聚酰亞胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底實(shí)例：對(duì)于厚度測(cè)量，大多數(shù)情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對(duì)于光學(xué)常數(shù)測(cè)量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進(jìn)行處理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（鋁）gaas（砷化鎵）steel（鋼）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）應(yīng)用半導(dǎo)體制造液晶顯示器光學(xué)鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動(dòng)來(lái)分析光譜反射率數(shù)據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)配置和規(guī)格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測(cè)試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測(cè)試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長(zhǎng)范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準(zhǔn)確度大于％或2nm精度1A2A1A穩(wěn)定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測(cè)器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素?zé)?。FSM413SP半自動(dòng)機(jī)臺(tái)人工取放芯片。晶片膜厚儀價(jià)格怎么樣

F3-sX 系列：

F3-sX 系列能測(cè)量半導(dǎo)體與介電層薄膜厚度到3毫米,而這種較厚的薄膜與較薄的薄膜相比往往粗糙且均勻度較為不佳

波長(zhǎng)選配F3-sX系列使用近紅外光來(lái)測(cè)量薄膜厚度，即使有許多肉眼看來(lái)不透光(例如半導(dǎo)體)。 F3-s980 是波長(zhǎng)為980奈米的版本，是為了針對(duì)成本敏銳的應(yīng)用而設(shè)計(jì),F3-s1310是針對(duì)重?fù)诫s硅片的**jia化設(shè)計(jì),F3-s1550則是為了**厚的薄膜設(shè)計(jì)。附件附件包含自動(dòng)化測(cè)繪平臺(tái)，一個(gè)影像鏡頭可看到量測(cè)點(diǎn)的位置以及可選配可見(jiàn)光波長(zhǎng)的功能使厚度測(cè)量能力**薄至15奈米。 Filmetrics Profilm3D膜厚儀技術(shù)服務(wù)基本上所有光滑的、半透明的或低吸收系數(shù)的薄膜都可以測(cè)量。

F50 系列

包含的內(nèi)容：集成光譜儀/光源裝置光纖電纜4", 6" and 200mm 參考晶圓TS-SiO2-4-7200 厚度標(biāo)準(zhǔn)BK7 參考材料整平濾波器 (用于高反射基板)真空泵備用燈

型號(hào) 厚度范圍*波長(zhǎng)范圍

F50：20nm-70μm 380-1050nm

F50-UV：5nm-40μm 190-1100nm

F50-NIR：100nm-250μm 950-1700nm

F50-EXR：20nm-250μm 380-1700nm

F50-UVX：5nm-250μm 190-1700nm

F50-XT：0.2μm-450μm 1440-1690nm

F50-s980：4μm-1mm 960-1000nm

F50-s1310：7μm-2mm 1280-1340nm

F50-s1550：10μm-3mm 1520-1580nm

額外的好處：每臺(tái)系統(tǒng)內(nèi)建超過(guò)130種材料庫(kù), 隨著不同應(yīng)用更超過(guò)數(shù)百種應(yīng)用工程師可立刻提供幫助（周一 - 周五）網(wǎng)上的 “手把手” 支持 (需要連接互聯(lián)網(wǎng))硬件升級(jí)計(jì)劃

濾光片整平光譜響應(yīng)。

ND#0.5 衰減整平濾波器.單倍整平濾波器用于改善可見(jiàn)光光譜均勻度 + ND#0.5 衰減整平濾波器.

ND#1 衰減整平濾波器.單倍整平濾波器用于改善可見(jiàn)光光譜均勻度 + ND#1 衰減整平濾波器.

ND#2 衰減整平濾波器.單倍整平濾波器用于改善可見(jiàn)光光譜均勻度 + ND#2 衰減整平濾波器.

420nm 高通濾波器.420nm 高通濾波器於濾波器架.

515nm 高通濾波器.515nm 高通濾波器於濾波器架.

520nm 高通濾波器 +ND1.520nm 高通濾波器 + ND#1 十倍衰減整平濾波器.

520nm 高通濾波器 + ND#2520nm 高通濾波器 + ND#2 一百倍衰減整平濾波器.

550nm 高通濾波器550nm 高通濾波器於濾波器架. F50-UV測(cè)厚范圍：5nm-40μm；波長(zhǎng)：190-1100nm。

平臺(tái)和平臺(tái)附件標(biāo)準(zhǔn)和**平臺(tái)。

CS-1可升級(jí)接觸式SS-3樣品臺(tái)，可測(cè)波長(zhǎng)范圍190-1700nm

SS-36“×6” 樣品平臺(tái)，F(xiàn)20 系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)配置。 可調(diào)節(jié)鏡頭高度，103 mm 進(jìn)深。 適用所有波長(zhǎng)范圍。

SS-3-88“×8” 樣品平臺(tái)?？烧{(diào)節(jié)鏡頭高度，139mm 進(jìn)深。 適用所有波長(zhǎng)范圍。

SS-3-24F20 的 24“×24” 樣品平臺(tái)。 可調(diào)節(jié)鏡頭高度，550mm 進(jìn)深。 適用所有波長(zhǎng)范圍。

SS-56" x 6" 吋樣品臺(tái)，具有可調(diào)整焦距的反射光學(xué)配件，需搭配具有APC接頭的光纖，全波長(zhǎng)范圍使用

樣品壓重-SS-3-50

樣品壓重 SS-3 平臺(tái), 50mm x 50mm

樣品壓重-SS-3-110

樣品壓重 SS-3 平臺(tái), 110mm x 110mm

厚度變化 (TTV) ；溝槽深度；過(guò)孔尺寸、深度、側(cè)壁角度。授權(quán)膜厚儀研發(fā)可以用嗎

測(cè)量厚度: 15 — 780 μm (單探頭) ； 3 mm (雙探頭總厚度測(cè)量)。晶片膜厚儀價(jià)格怎么樣

銦錫氧化物與透明導(dǎo)電氧化物液晶顯示器，有機(jī)發(fā)光二極管變異體，以及絕大多數(shù)平面顯示器技術(shù)都依靠透明導(dǎo)電氧化物 (TCO) 來(lái)傳輸電流，并作每個(gè)發(fā)光元素的陽(yáng)極。 和任何薄膜工藝一樣，了解組成顯示器各層物質(zhì)的厚度至關(guān)重要。 對(duì)于液晶顯示器而言，就需要有測(cè)量聚酰亞胺和液晶層厚度的方法，對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管而言，則需要測(cè)量發(fā)光、電注入和封裝層的厚度。

在測(cè)量任何多個(gè)層次的時(shí)候，諸如光譜反射率和橢偏儀之類的光學(xué)技術(shù)需要測(cè)量或建模估算每一個(gè)層次的厚度和光學(xué)常數(shù) (反射率和 k 值)。

不幸的是，使得氧化銦錫和其他透明導(dǎo)電氧化物在顯示器有用的特性，同樣使這些薄膜層難以測(cè)量和建模，從而使測(cè)量在它們之上的任何物質(zhì)變得困難。Filmetrics 的氧化銦錫解決方案Filmetrics 已經(jīng)開(kāi)發(fā)出簡(jiǎn)便易行而經(jīng)濟(jì)有效的方法，利用光譜反射率精確測(cè)量氧化銦錫。 將新型的氧化銦錫模式和 F20-EXR, 很寬的 400-1700nm 波長(zhǎng)相結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)氧化銦錫可靠的“一鍵”分析。 氧化銦錫層的特性一旦得到確定，剩余顯示層分析的關(guān)鍵就解決了。

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司致力于儀器儀表，以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)***管理的追求。公司自創(chuàng)立以來(lái)，投身于磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā)，是儀器儀表的主力軍。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終以本分踏實(shí)的精神和必勝的信念，影響并帶動(dòng)團(tuán)隊(duì)取得成功。岱美儀器技術(shù)服務(wù)始終關(guān)注儀器儀表行業(yè)。滿足市場(chǎng)需求，提高產(chǎn)品價(jià)值，是我們前行的力量。