國外生長的YAP單晶已達到50毫米，長約150毫米，重約1380克。隨著生長技術的提高，中科院上海光學力學研究所已經能夠生長出直徑為50 mm的大單晶，但形狀控制和質量有待進一步提高。比較了不同價離子摻雜對Ce: YAP晶體閃爍性能的影響。結果表明，二價離子摻雜對Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強的負面影響，而四價離子摻雜有助于提高Ce:Yap晶體的部分閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對Ce: YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基體中Mn離子和Ce離子之間存在明顯的能量轉移過程，Ce和Mn: YAP的衰變時間明顯短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分分別為10.8ns和34.6 ns。選用Mn 離子是由于Mn 對YAP 晶體的吸收譜影響很大。海南大尺寸CeYAP晶體直供

Ce:YAP晶體生長原料需要哪些？無機閃爍晶體在將高能射線或粒子轉化為低能光子的過程中，會發(fā)生一系列微觀過程，如一級和二級電離和激發(fā)、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對的俘獲、電子-空穴對與熒光中心之間的能量轉移等。當經歷電離事件時，閃爍體處于從非平衡狀態(tài)到平衡狀態(tài)的弛豫過程中。大量的熱化電子空穴對和這些電子產生的相當一部分低能激子0終會轉化為發(fā)射光子，從高能輻射到紫外或可見光光子的過程就是閃爍過程。廣西雙摻CeYAP晶體材料籽晶的選擇籽晶的走向和質量直接影響直拉晶體的質量。

不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。當強度為J0的入射輻射穿過厚度為為x,的材料時，出射輻射的強度可以近似表示為：J=J0exp(-x) (1.8)其中為線性吸收系數。就伽馬射線而言，它們主要與固體中的電子相互作用。此時主要取決于固體中的電子密度ne和一個電子的吸收截面e，所以線性吸收系數也可以表示為：==(1.9)上式中的z袋表閃爍體的有效原子序數。閃爍晶體通常要求對入射輻射有較大的吸收系數。例如，對于層析成像技術，使用吸收系數大的材料不只可以使探測器尺寸緊湊，還可以提高其空間分辨率?？臻g分辨率對于核物理和高能物理實驗中使用的探測器尤為重要。

YAP晶體的生長過程：(1)籽晶：的選擇籽晶的走向和質量直接影響直拉晶體的質量。對于YAP單晶，由于其嚴重的各向異性，B軸的熱膨脹系數遠大于A軸和C軸(A:4.2 10-6 oc-1，B:11.7 10-6 oc-1，C:5.1 10-6 oc-1)，在生長過程中容易產生結構應力和相應的熱應力。這些熱應力也為了減少這種影響，我們選擇了《100〉中的YAP 籽晶，〈010〉中的〈001〉中的〈101〉中的〈籽晶尺寸為8 50mm(2)熱場的選擇：由于YAP晶體熱膨脹系數和熱導率的軸向差異，除了選擇合適的籽晶外，選擇合適的溫度場環(huán)境更為重要。由于鈣鈦礦結構的YAP晶體的孿晶習性很容易揭示，為了克服孿晶的形成，需要在固液界面和整個生長室中形成合適的溫度梯度。CeYAP晶體具有較高的能量分辨率。

Ca2+離子和Si4+離子摻雜對Ce : YAP晶體有哪些影響？釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶是一種優(yōu)良的激光基質材料和光學襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體得到了普遍的應用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料在1992年引起了人們的注意。Moszynski和Ludziejewski分別于1994年和1997年系統(tǒng)地研究了Ce:YAG晶體的閃爍特性，指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)異的閃爍特性。Ce:YAG衰減快(80ns)，在530nm處發(fā)出熒光，其發(fā)射波長與硅光電二極管的探測敏感區(qū)相匹配，因此可應用于低能射線粒子的探測等領域。CeYAP晶體中Ce3離子5d4f躍遷對應的熒光光譜為330~400nm之間的一個帶，其峰值約為365~370nm。黑龍江CeYAP晶體型號

YAP晶體生長氣氛：由于采用中頻加熱方式，主要保溫材料為高熔點絕熱氧化物(氧化鋯、氧化鋁等)。海南大尺寸CeYAP晶體直供

晶體中e3的電子結構、能級結構和發(fā)光特性，給出了鑭系元素的電子殼層結構和離子半徑。從表中可以看出，Ce元素的電子結構為[Xe]4f15d16s2，所以Ce3的電子結構以[Xe]4f1為特征，Ce3的內部電子結構為惰性原子結構，0外層只有一個電子結構，所以Ce3在晶體中具有獨特的能級結構和發(fā)光特性:Ce3離子的一個電子在4f能級上L=3，在5d能級上L=2，它們的宇稱不同，所以Ce3離子的5d-4f躍遷是允許的電偶極子躍遷。在這個允許的5d-4f躍遷中，電子在5d能級的壽命很短，一般在低5d能級的30~100ns，所以作為閃爍晶體的發(fā)光中心，它的衰變時間很短。海南大尺寸CeYAP晶體直供

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