Ce:YAG晶體的閃爍特征及其應(yīng)用Ce:YAG高溫閃爍晶體除了具有所列的閃爍性能外，還具有較好光脈沖區(qū)分γ射線和α粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可以應(yīng)用于極端條件下。因此，Ce:YAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測(cè)器可以廣泛應(yīng)用于低能γ射線，α粒子等輕帶電粒子探測(cè)等核物理的實(shí)驗(yàn)中。另外，Ce:YAG單晶片還可以用作掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)方面有著重要的廣闊的應(yīng)用。目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長(zhǎng)方法主要為提拉法。CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫。河北人工CeYAG晶體廠家直銷

隨著高能物理、核物理及相關(guān)科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無(wú)機(jī)閃爍晶體的缺點(diǎn)日益突出。尋找新的高光輸出快速衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體具有重要的科學(xué)意義和巨大的市場(chǎng)價(jià)值。20世紀(jì)80年代末和90年代初，國(guó)際上掀起了對(duì)高光輸出快速衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體的研究熱潮。其中，1990年成立的隸屬于歐洲核中心(CERN)的“水晶透明協(xié)作”研究小組，是由來(lái)自十幾個(gè)國(guó)家的材料科學(xué)家、固體物理學(xué)家和探測(cè)器**組成的跨學(xué)科研究小組[39]。其主要目標(biāo)是研究和開(kāi)發(fā)新的無(wú)機(jī)閃爍晶體，以滿足日益增長(zhǎng)的大型強(qiáng)子對(duì)撞機(jī)(LHC)和其他高能物理實(shí)驗(yàn)對(duì)閃爍探測(cè)器的需求。福建CeYAG晶體廠家直供閃爍晶體可用于輻射探測(cè)和安全防護(hù)。

Ce:YAG無(wú)機(jī)閃爍晶體的性能表征有哪些？顯然，以NaI:Tl和BGO為表示的傳統(tǒng)無(wú)機(jī)閃爍晶體已經(jīng)不能滿足閃爍晶體在許多應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ω吖廨敵龅目焖偎p要求(前一節(jié)1.2.1.1描述的三個(gè)要求)。而且，隨著閃爍探測(cè)器技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無(wú)機(jī)閃爍晶體的局限性將日益突出。另一方面，市場(chǎng)對(duì)高光輸出快速衰減的新型無(wú)機(jī)閃爍晶體的需求將變得日益迫切。例如，為了提高PET探測(cè)器的時(shí)空分辨率，新一代PET探測(cè)器往往要求無(wú)機(jī)閃爍晶體具有更大的光輸出、更快的衰減常數(shù)(小于100ns)和更高的密度(大于7g/cm3) [41]。

CeYAG晶體的一些相關(guān)知識(shí)你知道多少呢？和小編一起來(lái)看看吧，采用真空坩堝下降法生長(zhǎng)了白色發(fā)光二極管（LED）用CeYAG晶體，該生長(zhǎng)方法所得晶體的Ce3+摻雜濃度較高，相對(duì)色溫（3751K）低于傳統(tǒng)方法所生長(zhǎng)的CeYAG晶體，其激發(fā)峰是位于460 nm左右的寬峰，與藍(lán)光LED的發(fā)射波長(zhǎng)相匹配，有望代替黃色熒光粉用于白光LED。隨驅(qū)動(dòng)電流增加，白光LED的發(fā)光效率逐漸降低，相對(duì)色溫幾乎不變。在100mA時(shí)，白光LED顯色指數(shù)達(dá)到較大值。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce：YAG晶體的硬度能達(dá)到多少？高光輸出快速衰減無(wú)機(jī)閃爍晶體的興起。CeYAG閃爍晶體是將高能轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料。

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點(diǎn)是其發(fā)光中心波長(zhǎng)為550nm，可以與硅光二極管等探測(cè)設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間（約70ns，而CsI衰減時(shí)間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，主要應(yīng)用在輕粒子探測(cè)、α粒子探測(cè)、gamma射線探測(cè)等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測(cè)成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)?。s為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長(zhǎng)難度急劇增加。相對(duì)光輸出通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。河北人工CeYAG晶體廠家直銷

CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰。河北人工CeYAG晶體廠家直銷

根據(jù)經(jīng)典熒光理論，參數(shù)q也可以由公式(1.15) [14]計(jì)算。公式中，Wr和Wnr分別為輻射和非輻射躍遷概率；c是猝滅常數(shù)，Eq是猝滅能，kb是為玻爾茲曼常數(shù)，t是完全溫度。分析表明，光輸出主要與晶體的帶隙、基體的組成和結(jié)構(gòu)、能量傳輸效率和溫度有關(guān)。當(dāng)帶隙變?yōu)榱銜r(shí)，閃爍晶體將獲得比較大光輸出。但一般情況下，當(dāng)Eg小于2eV時(shí)，無(wú)輻射躍遷的概率會(huì)增大，從而Q變小，光輸出變小。結(jié)果表明，摻鈰離子閃爍晶體的光輸出差異主要是由S 的差異引起的。河北人工CeYAG晶體廠家直銷

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