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江西國(guó)產(chǎn)TmYAP晶體材料

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-21

半導(dǎo)體中的稀土稀土金屬,稀有金屬和稀散金屬共同組成了“三稀金屬”,而三稀金屬被應(yīng)用在工業(yè)領(lǐng)域的各個(gè)方面,尤其是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。比如第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵,碲化銦,第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵等,此外稀土金屬還在拋光、靶材、激光燈方面,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)屬性發(fā)揮著巨大作用。稀土常被用作拋光材料,氧化鈰是拋光粉較常用的材料,其中高鈰拋光粉主要用于石英、光學(xué)鏡頭等硬質(zhì)玻璃長(zhǎng)時(shí)間循環(huán)拋光;中鈰拋光粉用于中等精度的光學(xué)鏡頭及液晶顯示器等工件的拋光;低鈰拋光粉主要用于平板、顯像管玻璃等拋光。TmYAP晶體2mm波段激光輸出效率高于TmYAG。江西國(guó)產(chǎn)TmYAP晶體材料

3at%Tm:YAP激光實(shí)驗(yàn)在水冷溫度18℃下進(jìn)行,樣品垂直b向切割,尺寸為4×4×8mm3,當(dāng)注入功率22W時(shí),獲得5W 波長(zhǎng)為1.94mm激光輸出,光光轉(zhuǎn)換效率23%。輸出鏡透射耦合率5%和8mm長(zhǎng)晶體配合使用時(shí),由于諧振腔透射損耗減小,增益較低的1.98~1.99mm波長(zhǎng)振蕩輸出。對(duì)H2退火前后晶體激光性能進(jìn)行了比較,3at%Tm:YAP晶體經(jīng)過(guò)氫氣退火處理,斜率效率較未經(jīng)退火的提高40%,可見(jiàn)H2退火使晶體中雜質(zhì)離子(Fe3+等)及缺陷減少,提高了晶體的激光性能,具體原因還有待于進(jìn)一步分析。青海人工TmYAP晶體企業(yè)TmYAP晶體的H6和H4能級(jí)的吸收帶峰值為795nm。

在技術(shù)上,稀土的技術(shù)門(mén)檻和涉及的上下游也和半導(dǎo)體差距很大。稀土的主要門(mén)檻是精煉能力,在這方面中國(guó)是全球頭一。但別國(guó)若想在技術(shù)上追平我國(guó),或許比我們?cè)诎雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的資金與時(shí)間少許多。在上下游產(chǎn)業(yè)鏈中,半導(dǎo)體牽扯到的產(chǎn)業(yè)鏈無(wú)疑更為普遍,從設(shè)計(jì)到制造、還有設(shè)備,材料等一大堆產(chǎn)業(yè),就拿臺(tái)積電來(lái)說(shuō),其供應(yīng)商的數(shù)量就超過(guò)了3000家,稀土無(wú)疑不需要這么長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈條。綜述,從產(chǎn)業(yè)規(guī)模來(lái)說(shuō),稀土與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或許不能相提并論,但重要性而言,工業(yè)缺少“糧食”會(huì)萎縮,缺少“維生素”也會(huì)衰退,兩者的區(qū)別只是在于哪種衰落的更快而已,不過(guò)由于稀土規(guī)模小,有時(shí)候可以達(dá)到四兩撥千斤的效果。

Tm:YAP晶體的熱導(dǎo)率多少?Tm:YAP晶體的激光實(shí)驗(yàn)研究我們采用實(shí)驗(yàn)裝置,對(duì)3at%、4at%及5at%濃度Tm:YAP晶體在哈爾濱工業(yè)大學(xué)可調(diào)諧激光實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了激光性能的測(cè)試。激光功率的測(cè)量采用Coherent Fieldmate功率計(jì),探頭為PM-30。激光波長(zhǎng)的測(cè)量采用WDG30光柵單色儀,焦距30cm,光柵常數(shù)300條/mm,閃耀波長(zhǎng)2mm。我們通過(guò)XRD測(cè)試對(duì)所生長(zhǎng)Tm:YAP晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。不同濃度Tm:YAP與純YAP的XRD譜比較,其中摻Tm3+YAP晶體與純YAP晶體的衍射圖譜完全一致,沒(méi)有出現(xiàn)雜峰,說(shuō)明Tm:YAP晶體結(jié)晶完整,呈完好的YAP相。Tm:YAG晶體,摻銩釔鋁石榴石晶體可提供增透,局部或高反等諸多鍍膜選擇。

Tm:YAP晶體能級(jí)結(jié)構(gòu)通過(guò)低溫吸收譜和熒光譜,可以比較準(zhǔn)確的確定Tm:YAP晶體的能級(jí)結(jié)構(gòu)。如圖4-17,由吸收譜和發(fā)射譜交疊,可確定3F4能級(jí)零聲子線(xiàn)位置EZL=5621cm-1,然后根據(jù)發(fā)射譜確定基態(tài)13個(gè)stark能級(jí),再根據(jù)吸收譜確定激發(fā)態(tài)能級(jí),在這里我們給出了包含3H4、3H5、3F4以及基態(tài)3H6的能級(jí)圖結(jié)構(gòu)1.1.1 Tm:YAP晶體光譜參數(shù)及能量轉(zhuǎn)移參數(shù)計(jì)算光譜參數(shù)諸如吸收發(fā)射截面、J-O參數(shù)、躍遷幾率等以及能量轉(zhuǎn)移參數(shù)如能量交叉弛豫幾率等是評(píng)估晶體激光性能、設(shè)計(jì)激光器結(jié)構(gòu)所需要的重要參數(shù),下面以Tm:YAP吸收和發(fā)射光譜為基礎(chǔ),對(duì)這些參數(shù)進(jìn)行了計(jì)算。常見(jiàn)的有Tm:KY(WO4)2(Tm:KYW)、Tm:KGd(WO4)2(Tm:KGdW)、Tm:KLu(WO4)2(Tm:KLuW)等。福建非線(xiàn)性TmYAP晶體材料

2μm波段激光輸出效率高于Tm:YAG晶體,直接輸出線(xiàn)偏振激光。江西國(guó)產(chǎn)TmYAP晶體材料

在2018年電子信息制造業(yè)主要四個(gè)細(xì)分領(lǐng)域增加值同比增速中,電子元器件以14.5%的增速穩(wěn)居前列,電子元件及電子**材料制造業(yè)以13.2%的增速,與通信設(shè)備制造業(yè)13.8%相差不大,并遠(yuǎn)高于計(jì)算機(jī)制造業(yè)的9.5%。為進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)Ce:YAG,Ce:YAP,Tm:YAP,Yb:YAG的產(chǎn)業(yè)發(fā)展,促進(jìn)新型Ce:YAG,Ce:YAP,Tm:YAP,Yb:YAG的技術(shù)進(jìn)步與應(yīng)用水平提高,在 5G 商用爆發(fā)前夕,2019 中國(guó) 5G Ce:YAG,Ce:YAP,Tm:YAP,Yb:YAG重點(diǎn)展示關(guān)鍵元器件及設(shè)備,旨在助力Ce:YAG,Ce:YAP,Tm:YAP,Yb:YAG行業(yè)把握發(fā)展機(jī)遇,實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展。高爾基曾經(jīng)說(shuō)過(guò)“科學(xué)是一種強(qiáng)大的智慧的力量,它致力于破除禁錮著我的神秘的桎梏。”科技是生成力,同時(shí)也是破開(kāi)一切障礙的動(dòng)力。元器件是通過(guò)類(lèi)似有限責(zé)任公司(自然)企業(yè)的雙手創(chuàng)造的,就可以通過(guò)我們的雙手進(jìn)行掌控。電子元器件加工是聯(lián)結(jié)上下游供求必不可少的紐帶,目前電子元器件企業(yè)商已承擔(dān)了終端應(yīng)用中的大量技術(shù)服務(wù)需求,保證了原廠(chǎng)產(chǎn)品在終端的應(yīng)用,提高了產(chǎn)業(yè)鏈的整體效率和價(jià)值。電子元器件行業(yè)規(guī)模不斷增長(zhǎng),國(guó)內(nèi)市場(chǎng)表現(xiàn)優(yōu)于國(guó)際市場(chǎng),多個(gè)下**業(yè)的應(yīng)用前景明朗,電子元器件行業(yè)具備廣闊的發(fā)展空間和增長(zhǎng)潛力。江西國(guó)產(chǎn)TmYAP晶體材料

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