可以假設這種情況存在于NaI: Tl閃爍體中，因為其中Vk中心的遷移時間小于10-7s。另一個模型假設空穴與Vk中心分離，從價帶向發(fā)光中心移動。由于非局域空穴的高遷移率，這是一種將能量轉移到發(fā)光中心的快速方法。閃爍過程的后面一個階段，即發(fā)光中心的發(fā)射，已經得到了徹底的研究。我們上面已經提到了一些啟動過程。目前發(fā)光中心一般分為內在和外在兩類。鹵化物和氧化物的本征發(fā)光主要受自陷激子效應的制約。非本征發(fā)光主要取決于激發(fā)劑本身的電子躍遷(NaI: Tl，CaF2: Eu)或基質與激發(fā)劑之間的躍遷(znse3360te，zns:ag)。而一些所謂的自激閃爍晶體(CeF3，Bi4Ge3O12，CaWO4)處于本征發(fā)光和非本征發(fā)光的中間狀態(tài)。 晶體生長過程中大的溫度梯度以及快的降溫速率等是CeYAP晶體產生開裂的主要原因。山西雙摻CeYAP晶體生產廠家
作為未摻雜晶體的ceF3具有本征發(fā)光，而另一方面，以Ce為基質的晶體和以Ce為摻雜劑的晶體表現出與Ce3相同的5d4f躍遷發(fā)光。表1-2無機閃爍體中主要電子躍遷和發(fā)光中心的分類，對于閃爍體，一般要求其發(fā)光中心具有較高的輻射躍遷概率。表1-2總結了無機閃爍晶體中幾種主要類型的發(fā)光中心。具有S20外層電子構型的類汞離子可以產生很高的光輸出，但很難獲得很短的衰變時間。Eu2也存在類似的情況。Ce3的5d4f躍遷是允許的躍遷，在各種襯底中既有高光輸出又有快衰減時間。陜西CeYAP晶體行情分析CeYAP晶體的自吸收機制，發(fā)現Ce4離子有一個電荷轉移吸收峰，其半峰全寬接近100納米。
目前Ce:YAG高溫閃爍晶體已經商業(yè)化，主要用于掃描電子顯微鏡(SEM)的顯示元件，其生長方法主要有直拉法和溫度梯度法。近年來，Ce:YAG單晶薄膜[84]和Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體以其獨特的優(yōu)勢引起了人們的關注。發(fā)光是一種能量被物體吸收并轉化為光輻射(不平衡輻射)的過程，具有普遍的應用領域。閃爍體作為高能粒子探測和核醫(yī)學成像，是目前發(fā)光領域的重要研究內容。載流子也可以被晶格中的淺陷阱俘獲。這些俘獲的載流子可以被熱釋放并參與復合過程，從而增加晶體的發(fā)射持續(xù)時間。
不同退火條件下Ce: YAP晶體自吸收的比較，為了比較不同退火條件下退火對自吸收的影響，我們測量了相同厚度(2mm)和濃度(0.3%)的Ce: YAP晶體在不同溫度和氣氛下退火后的透射光譜、熒光光譜和XEL光譜。從圖4-8可以看出，直拉法生長的Ce: YAP晶體經氫退火后透射邊藍移，自吸收減弱。當進行氧退火時，通過邊緣紅移增強了自吸收。氫的退火溫度越高，自吸收越弱。氧的退火溫度越高，自吸收越強。然而，退火溫度的上限約為1600。如果溫度太高，晶體容易起霧，導致幾乎不滲透。研究表明，Ce4離子對Ce3離子發(fā)光有猝滅作用。
閃爍現象是指粒子束或射線作用于某種物質產生的脈沖光。它更重要的特點是發(fā)出的光具有極快的衰減時間。具有這種性質的材料稱為閃爍體或閃爍材料。利用熒光物質的發(fā)光現象來記錄核輻射早就開始了。長期以來，閃爍體作為一種非常重要的電磁量熱儀材料，在高能物理、核醫(yī)學成像、核技術和工程中得到了普遍的應用。自從我們使用閃爍材料探測輻射以來，已經將近一個世紀了。在本世紀，一些重要的閃爍材料因其商業(yè)應用前景而得到廣泛應用，或者因其優(yōu)異的性能而在科學研究中得到普遍關注和發(fā)展。獲得大尺寸(直徑為2英寸至3英寸)晶體的生長工藝，使CeYAP晶體可應用于更多的領域。江西白光LED用CeYAP晶體材料
CeYAP的TL主發(fā)光峰峰溫較高(701 K)。山西雙摻CeYAP晶體生產廠家
發(fā)光是一種能量被物體吸收并轉化為光輻射(不平衡輻射)的過程，具有普遍的應用領域。閃爍體作為高能粒子探測和核醫(yī)學成像，是目前發(fā)光領域的重要研究內容。閃爍現象是指粒子束或射線作用于某種物質產生的脈沖光。它更重要的特點是發(fā)出的光具有極快的衰減時間。具有這種性質的材料稱為閃爍體或閃爍材料。利用熒光物質的發(fā)光現象來記錄核輻射早就開始了。長期以來，閃爍體作為一種非常重要的電磁量熱儀材料，在高能物理、核醫(yī)學成像、核技術和工程中得到了普遍的應用。山西雙摻CeYAP晶體生產廠家
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