兩項一般性意見如下：如上所述，快電子在非彈性散射過程中會損失能量。這是文學(xué)中常見的表達(dá)。但是，能量實際上并沒有損失，而是分布到了二次電子激發(fā)。閃爍體中真正的能量損失是由以下與閃爍競爭的過程引起的：點缺陷的形成、聲子，的產(chǎn)生、二次電子和光子從晶體中逃逸以及長期磷光發(fā)射。 過渡金屬摻雜對YAP晶體透過邊有哪些影響？CeYAG晶體脈沖X射線激發(fā)衰減時間？Ce: YAP晶體在弱還原氣氛中生長，發(fā)現(xiàn)自吸收得到有效0，熒光激發(fā)的發(fā)光強度突出提高。同時，研究了還原氣氛中生長對Ce: YAP晶體其他閃爍性能的影響。晶體生長過程中大的溫度梯度以及快的降溫速率等是CeYAP晶體產(chǎn)生開裂的主要原因。廣西品質(zhì)CeYAP晶體批發(fā)價

Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP 的熒光激發(fā)發(fā)射譜，714nm 和685nm發(fā)射峰為Mn4+ 離子 2E - 4A2 躍遷[113]。332 nm, 373 nm 和 480 nm ( λem=714nm) 分別屬于Mn4+離子的4A2→4T1 (4F), 4A2→4T1 (4P), 4A2→4T2 躍遷。Ce, Mn: YAP 晶體的Ce3+ 的發(fā)射峰在397nm，比Ce: YAP 晶體紅移了近30 nm，主要是Mn4+ 離子的吸收造成的。圖 4-49 中，Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP在480 nm的吸收峰屬于Mn4+ 離子的4A2→4T2 躍遷，另從透過譜可知，Mn離子摻雜后Ce: YAP的透過邊有明顯紅移動，并且整體透過性能降低。甘肅大尺寸CeYAP晶體批發(fā)廠家離子摻雜濃度、原料的純度以及生長工藝條件等是影響CeYAP晶體缺陷的主要原因。

在弱還原氣氛下生長的Ce:YAP晶體，發(fā)現(xiàn)自吸收得到有效緩解，2mm厚度晶體透過邊藍(lán)移近30nm，熒光激發(fā)的發(fā)光強度提高了50%以上。同時研究了還原氣氛生長對Ce:YAP晶體其他閃爍性能的影響。1．生長了不同價態(tài)離子摻雜的Ce:YAP晶體，以研究電荷補償效應(yīng)對Ce4+離子的作用。結(jié)果發(fā)現(xiàn)兩價離子對Ce:YAP晶體閃爍性能有很強的負(fù)面影響，四價離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。2．研究了Mn離子摻雜對Ce:YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基質(zhì)中Ce，Mn之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過程。由于存在Ce3+離子的非輻射躍遷，Ce,Mn:YAP的衰減時間的快慢成分均變?yōu)樵瓉淼囊话耄渲锌斐煞譃?0ns左右，其小尺寸樣品可作為超快閃爍體應(yīng)用。Ce:YAP晶體的吸收光譜和熒光光譜受不同的生長方法和不同的后熱處理工藝的影響很大。

不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示，氫退火后264 ~ 270納米波長范圍內(nèi)的吸收明顯減弱，氧退火后321納米出現(xiàn)差示吸收峰?？梢哉J(rèn)為246 nm和270 nm處的吸收與Fe3有關(guān)，即Fe3和Fe2之間存在躍遷[102]。除了321nm處的吸收，YAP: Fe的幾個吸收峰與純YAP晶體的吸收峰有一定距離，這不能解釋純YAP(Ce: YAP)中的其他吸收峰與鐵有關(guān)。 CeYAP晶體穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)和良好的探測性能，在核醫(yī)學(xué)，核防護(hù)等方面有著較廣的應(yīng)用前景。

有人計算過YAP晶體的能帶結(jié)構(gòu)[77，78]。結(jié)果表明，該氧化物晶體的價帶頂端由未結(jié)合的O2-離子組成，而價帶he心主要由O2-離子的2S能級和Y3離子的4P能級的混合物組成。導(dǎo)帶底部主要由Y3離子的4d和5S軌道組成，而Al3的3d能級在導(dǎo)帶中占據(jù)較高的能級位置。YAP晶體的禁帶寬度為7.9 eV，主要由Y-O相互作用決定，而不是Al-O相互作用。文獻(xiàn)[26]中也報道了YAP晶體的帶隙為8.02 eV。由于YAP晶體結(jié)構(gòu)的各向異性，很難獲得高質(zhì)量的晶體，但由于其廣闊的應(yīng)用前景，人們對YAP晶體的生長過程做了大量的探索和研究。CeYAP晶體電子陷阱中捕獲的電子受環(huán)境影響較小。河北高溫CeYAP晶體元件

CeYAP晶體發(fā)光波長為360－380nm，可與目前的光電接受裝置有效耦合。廣西品質(zhì)CeYAP晶體批發(fā)價

用原來的小坩堝(8050mm)生長大尺寸晶體時，晶體旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的強制對流對熔體溫場，有很大擾動，導(dǎo)致晶體直徑控制問題，無法實現(xiàn)有效等徑，從而影響晶體質(zhì)量，如圖3.6所示。所以我們選擇了11080mm的銥坩堝，壁厚3 mm。在晶體生長過程中，溫場對晶體質(zhì)量有重要影響[88]。靜態(tài)下，溫度場比較簡單。主要考慮晶體的熱傳導(dǎo)和熱輻射，可以得到晶體的溫場沿軸向?qū)ΨQ。當(dāng)溫度梯度沿軸向距離增大時，各分量(軸向/徑向)呈指數(shù)下降，存在固液界面凹凸的臨界條件。詳細(xì)的計算過程和結(jié)果由Bu賴斯給出。廣西品質(zhì)CeYAP晶體批發(fā)價

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