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廣西大尺寸CeYAG晶體現(xiàn)貨

來源: 發(fā)布時間:2021-12-01

高光輸出快速衰減閃爍晶體的基本理論,閃爍效率和光輸出,無機(jī)閃爍晶體的光輸出(LR)直接由閃爍晶體的閃爍效率()決定。因此,研究閃爍晶體的轉(zhuǎn)換效率在高光輸出閃爍晶體的研究中起著重要的作用。許多文獻(xiàn)[13]、[14]、[17]、[51]和[56]報道了閃爍材料閃爍效率的機(jī)理,并建立了許多理論模型。一般來說,根據(jù)閃爍體的閃爍機(jī)理(如1.1.1節(jié)所述),閃爍的總量子效率()可以表示為發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)換效率()、能量轉(zhuǎn)移效率(S)和熒光量子效率(Q)的乘積。CeYAG晶體的優(yōu)勢:發(fā)射波長與硅光二極管的靈敏探測波長匹配。廣西大尺寸CeYAG晶體現(xiàn)貨

我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體,原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末,按照化學(xué)式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長方向 <111>,高純 Ar 氣氛,具體生長方法見第二章所述。如圖 5-1,生長的晶體尺寸為Φ110×80mm,呈黃黑色,主要是由發(fā)熱體質(zhì)量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋,外形絕大部分保持完整。生長出來的晶體經(jīng)過高溫空氣退火 24 小時后,黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品,樣品經(jīng)空氣退火后加工,從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質(zhì),中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分,經(jīng)再次空氣退火可完全消除。由應(yīng)力儀下觀察的結(jié)果來看,晶體中無明顯應(yīng)力,也沒有因小面生長現(xiàn)象而產(chǎn)生的**,說明晶體生長過程中固液界面較平。廣西大尺寸CeYAG晶體現(xiàn)貨CeYAG閃爍晶體的高分辨X光探測器,實現(xiàn)X光輻照條件下高分辨成像。

以CeYAG單晶取代傳統(tǒng),CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED),研究了CeYAG單晶厚度及驅(qū)動電壓的變化對其發(fā)射光譜,色坐標(biāo),亮度,光視效能和色溫的影響. 研究結(jié)果表明,在基于CeYAG單晶的白光LED中,發(fā)射光的色坐標(biāo)以及藍(lán)光與黃綠光之間的相對強(qiáng)度可通過對CeYAG單晶片厚度的改變進(jìn)行調(diào)整.在恒定電壓驅(qū)動下,白光LED樣品的亮度,光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加.當(dāng)CeYAG單晶厚度為0.6mm時,可獲得較純的白發(fā)射光,并且 其色坐標(biāo)具有較高的可靠性和穩(wěn)定性,基本不受驅(qū)動電壓變化的影響.研究結(jié)果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比,氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此,鈰離子摻雜的無機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道,多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征,尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能,如Ce:YAP,Ce:YAG,Ce:LSO和Ce:LuAP等無機(jī)閃爍晶體,被譽(yù)為新一代高性能無機(jī)閃爍晶體閃爍晶體置于光電倍增管和準(zhǔn)直器之間,其作用是將熒光轉(zhuǎn)化為γ射線。

隨著核物理和高能物理的發(fā)展,出現(xiàn)了一個必須解決的問題,那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個問題,世界上正在建造能量不斷增加的大型對撞機(jī)和加速器。這些裝置上用來測量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針稱為電磁量熱儀,閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例如,美國斯坦福線性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進(jìn)行Babar和BELLE實驗、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進(jìn)行CMS實驗等。表1-3列出了近年來世界上重要高能物理實驗中使用的無機(jī)閃爍晶體[27][28]。CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能,采用溫梯法制備。遼寧生長CeYAG晶體價格

通常應(yīng)用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來的。廣西大尺寸CeYAG晶體現(xiàn)貨

利用提拉法生長出的品質(zhì)高的CeYAG閃爍晶體開展了高分辨率X射線成像系統(tǒng)關(guān)鍵器件——閃爍體研制工作,成功制備了尺寸為Φ30mm,厚度為30-45μm的品質(zhì)高的閃爍晶體元件,并研制出基于超薄CeYAG閃爍晶體的高分辨X光探測器,實現(xiàn)X光輻照條件下高分辨成像。CeYAG作為閃爍晶體,具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖,并且它的發(fā)光峰(550nm)能很好的與光電二極管的靈敏波長配合,適合于在用光電二極管作為光探測器和探測輕帶電粒子時使用。且不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定,可以應(yīng)用于極端的探測環(huán)境中。廣西大尺寸CeYAG晶體現(xiàn)貨

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