在顯示正?；虍惓９δ芊矫?，PET具有其他成像方法無法替代的優(yōu)勢。在發(fā)達(dá)國家，正電子發(fā)射斷層掃描已經(jīng)成為一種很廣使用的臨床診斷方法。例如，自1998年以來，美國食品和藥物管理局(FDA)和衛(wèi)生保健金融管理局(HCFA)已同意為11種正電子發(fā)射斷層掃描成像診斷付費(fèi)，包括心臟、大腦、心肌、中瘤、腫溜證、阿爾茨海默病等的診斷，使正電子發(fā)射斷層掃描技術(shù)成為人類主要疾病臨床診斷的重要方法？ 哪里可以定制Ce：YAG？通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強(qiáng)度從零瞬開始增加，并達(dá)到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當(dāng)用一階動(dòng)力學(xué)處理時(shí)) 。CeYAG晶體具有位于230，340和460nm波段的Ce3+離子的特征。河南CeYAG晶體銷售商

隨著高能物理、核物理及相關(guān)科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無機(jī)閃爍晶體的缺點(diǎn)日益突出。尋找新的高光輸出快速衰減的無機(jī)閃爍晶體具有重要的科學(xué)意義和巨大的市場價(jià)值。20世紀(jì)80年代末和90年代初，國際上掀起了對高光輸出快速衰減的無機(jī)閃爍晶體的研究熱潮。其中，1990年成立的隸屬于歐洲核中心(CERN)的“水晶透明協(xié)作”研究小組，是由來自十幾個(gè)國家的材料科學(xué)家、固體物理學(xué)家和探測器**組成的跨學(xué)科研究小組[39]。其主要目標(biāo)是研究和開發(fā)新的無機(jī)閃爍晶體，以滿足日益增長的大型強(qiáng)子對撞機(jī)(LHC)和其他高能物理實(shí)驗(yàn)對閃爍探測器的需求。陜西生長CeYAG晶體規(guī)格利用閃爍晶體探測注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線。

我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學(xué)式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長方向 <111>，高純 Ar 氣氛，具體生長方法見第二章所述。如圖 5-1，生長的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發(fā)熱體質(zhì)量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長出來的晶體經(jīng)過高溫空氣退火 24 小時(shí)后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經(jīng)空氣退火后加工，從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質(zhì)，中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分，經(jīng)再次空氣退火可完全消除。由應(yīng)力儀下觀察的結(jié)果來看，晶體中無明顯應(yīng)力，也沒有因小面生長現(xiàn)象而產(chǎn)生的**，說明晶體生長過程中固液界面較平。

ce : YAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實(shí)驗(yàn)。此外，Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰。

鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出快衰減等閃爍特征，是今后無機(jī)閃爍晶體的一個(gè)重要發(fā)展方向。目前我國對閃爍晶體的研究主要集中在低熔點(diǎn)的閃爍晶體上，而且中科院上海硅酸鹽研究所和北京玻璃研究所等單位在BGO，PWO，CsI:Tl，BaF2等晶體的研究和開發(fā)上在國際上占有一席之地，為發(fā)展我國的無機(jī)閃爍晶體產(chǎn)業(yè)作了大量的工作。但是，對于具有廣泛應(yīng)用前景的高光輸出快衰減高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體的研究，在國內(nèi)尚不成氣候，同時(shí)也未見詳細(xì)的報(bào)道。經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，無機(jī)閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體。廣東雙折射CeYAG晶體型號

CeYAG閃爍晶體開展了高分辨率X射線成像系統(tǒng)關(guān)鍵器件——閃爍體研制工作。河南CeYAG晶體銷售商

鈰離子摻雜高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體具有高光輸出快衰減的閃爍性能及優(yōu)良的物化特性，但是要將高溫閃爍晶體廣泛應(yīng)用于各種閃爍探測領(lǐng)域中尚需時(shí)日。一方面，高溫閃爍晶體屬于非本征閃爍晶體，人為引入的激發(fā)中心在晶體中的分布對閃爍性能影響較大，同時(shí)激發(fā)中心與晶體中的各種缺陷的相互作用機(jī)制也比較復(fù)雜，使得晶體的閃爍性能更加依賴于生長方法以及后處理工藝等；另一方面，高溫閃爍晶體具有較高的熔點(diǎn)使得大尺寸高質(zhì)量閃爍晶體的生長較為困難。鈰離子摻雜無機(jī)閃爍晶體的研究現(xiàn)狀，由于鈰離子摻雜的無機(jī)閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點(diǎn)，因此從20世紀(jì)80年代末和90年代初開始。河南CeYAG晶體銷售商

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