作為未摻雜晶體的ceF3具有本征發(fā)光，而另一方面，以Ce為基質(zhì)的晶體和以Ce為摻雜劑的晶體表現(xiàn)出與Ce3相同的5d4f躍遷發(fā)光。表1-2無(wú)機(jī)閃爍體中主要電子躍遷和發(fā)光中心的分類，對(duì)于閃爍體，一般要求其發(fā)光中心具有較高的輻射躍遷概率。表1-2總結(jié)了無(wú)機(jī)閃爍晶體中幾種主要類型的發(fā)光中心。具有S20外層電子構(gòu)型的類汞離子可以產(chǎn)生很高的光輸出，但很難獲得很短的衰變時(shí)間。Eu2也存在類似的情況。Ce3的5d4f躍遷是允許的躍遷，在各種襯底中既有高光輸出又有快衰減時(shí)間。Ce:YAP晶體的吸收光譜和熒光光譜受不同的生長(zhǎng)方法和不同的后熱處理工藝的影響很大。北京國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體加工

電子元器件行業(yè)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)表現(xiàn)優(yōu)于國(guó)際市場(chǎng)，多個(gè)下游企業(yè)的應(yīng)用前景明朗，電子元器件行業(yè)具備廣闊的發(fā)展空間和增長(zhǎng)潛力。閃爍過(guò)程的第四階段可以稱為遷移階段，因?yàn)檫w移的電子激發(fā)并向發(fā)光中心轉(zhuǎn)移能量。通過(guò)電子空穴對(duì)與激子轉(zhuǎn)移能量是可能的。在第一種情況下，通過(guò)依次捕獲一個(gè)空穴和一個(gè)電子(電子復(fù)合發(fā)光)或者依次捕獲一個(gè)電子和空穴(空穴復(fù)合發(fā)光)來(lái)激發(fā)發(fā)光中心。比如堿鹵晶體中的Tl和Ag主要是通過(guò)電子復(fù)合發(fā)光。湖南白光LED用CeYAP晶體銷售商開(kāi)中頻電源升溫至原料全部熔化，在此過(guò)程中打開(kāi)晶轉(zhuǎn)，以使?fàn)t內(nèi)溫度分布均勻。

不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。當(dāng)強(qiáng)度為J0的入射輻射穿過(guò)厚度為為x,的材料時(shí)，出射輻射的強(qiáng)度可以近似表示為：J=J0exp(-x) (1.8)其中為線性吸收系數(shù)。就伽馬射線而言，它們主要與固體中的電子相互作用。此時(shí)主要取決于固體中的電子密度ne和一個(gè)電子的吸收截面e，所以線性吸收系數(shù)也可以表示為：==(1.9)上式中的z袋表閃爍體的有效原子序數(shù)。閃爍晶體通常要求對(duì)入射輻射有較大的吸收系數(shù)。例如，對(duì)于層析成像技術(shù)，使用吸收系數(shù)大的材料不只可以使探測(cè)器尺寸緊湊，還可以提高其空間分辨率?？臻g分辨率對(duì)于核物理和高能物理實(shí)驗(yàn)中使用的探測(cè)器尤為重要。

假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，因此，無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān).NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。密度、線性吸收系數(shù)、質(zhì)量吸收系數(shù)、有效原子序數(shù)、輻射長(zhǎng)度和莫里哀半徑。Ce:YAP高溫閃爍晶體可廣泛應(yīng)用于相機(jī)、動(dòng)物PET、SEM等檢測(cè)領(lǐng)域。

比較了摻雜不同價(jià)離子對(duì)Ce: YAP晶體自吸收的影響。發(fā)現(xiàn)二價(jià)離子對(duì)Ce: YAP晶體的閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，而四價(jià)離子有助于提高晶體的閃爍性能。還研究了錳離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體性能的影響。利用溫度梯度法，生長(zhǎng)了直徑為110毫米的Ce: YAG閃爍晶體，該晶體具有良好的形狀和光學(xué)性質(zhì)。研究了不同溫度和氣氛等退火條件對(duì)Ce: YAG(TGT)閃爍晶體發(fā)光效率的影響，發(fā)現(xiàn)1100氧退火對(duì)提高晶體發(fā)光強(qiáng)度的效果比較好。在離子晶體中還觀察到了一種新的內(nèi)在發(fā)光：中心帶上部和價(jià)帶之間的躍遷，簡(jiǎn)稱為中心-價(jià)帶躍遷。這種發(fā)光躍遷衰減時(shí)間快(子納秒級(jí))，但光輸出低。CeYAP晶體閃爍速度快、光產(chǎn)額高、機(jī)械和化學(xué)性能優(yōu)異。廣東品質(zhì)CeYAP晶體批發(fā)

作為劑量計(jì)材料可在較高溫度環(huán)境下使用，CeYAP有可能發(fā)展成為具有特殊應(yīng)用的輻射劑量計(jì)材料。北京國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體加工

在弱還原氣氛下生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體，發(fā)現(xiàn)自吸收得到有效緩解，2mm厚度晶體透過(guò)邊藍(lán)移近30nm，熒光激發(fā)的發(fā)光強(qiáng)度提高了50%以上。同時(shí)研究了還原氣氛生長(zhǎng)對(duì)Ce:YAP晶體其他閃爍性能的影響。1．生長(zhǎng)了不同價(jià)態(tài)離子摻雜的Ce:YAP晶體，以研究電荷補(bǔ)償效應(yīng)對(duì)Ce4+離子的作用。結(jié)果發(fā)現(xiàn)兩價(jià)離子對(duì)Ce:YAP晶體閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，四價(jià)離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。2．研究了Mn離子摻雜對(duì)Ce:YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基質(zhì)中Ce，Mn之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過(guò)程。由于存在Ce3+離子的非輻射躍遷，Ce,Mn:YAP的衰減時(shí)間的快慢成分均變?yōu)樵瓉?lái)的一半，其中快成分為10ns左右，其小尺寸樣品可作為超快閃爍體應(yīng)用。Ce:YAP晶體的吸收光譜和熒光光譜受不同的生長(zhǎng)方法和不同的后熱處理工藝的影響很大。北京國(guó)產(chǎn)CeYAP晶體加工

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