YbYAG晶體的熱學性質(zhì)及其對激光性能的影響，對于中頻感應(yīng)加熱提拉法(Czochralski Method)生長的高摻雜濃度(原子數(shù)分數(shù)0.30)YbYAG晶體，經(jīng)退火后采用差示掃描量熱計法測量了晶體的比熱容，通過激光脈沖法測量了不同摻雜濃度(原子數(shù)分數(shù)0.05～0.30YbYAG晶體的熱擴散率和熱導(dǎo)率。實驗表明，隨著Yb3+離子濃度增加，YbYAG晶體在300 K溫度下的導(dǎo)熱性能有明顯的降低。原子數(shù)分數(shù)為0.30的YbYAG晶體的激光實驗表明，高摻雜濃度YbYAG晶體熱導(dǎo)率的降低導(dǎo)致了激光閾值的增加。bYAG晶體中，存在一個獨特的色心，其吸收帶位于375nm和625nm。福建進口YbYAG晶體好不好

YbYAG激光晶體雙色熒光現(xiàn)象的研究，yb~(3+)的電子構(gòu)型只有一個基態(tài)和激發(fā)態(tài)，無激發(fā)態(tài)吸收和上轉(zhuǎn)換，YAG有優(yōu)良的機械性能，Yb~(3+)離子吸收帶寬，能與InGaAs二極管泵浦源有效的耦合，可以實現(xiàn)高濃度的摻雜，使YbYAG晶體成為一種有前景的晶體。本文的內(nèi)容主要包括以下幾個方面： 1、簡述了LD泵浦的摻Y(jié)b~(3+)全固態(tài)激光器的優(yōu)點和發(fā)展現(xiàn)狀。介紹了LD泵浦固體激光器的兩種主要耦合方式：端面泵浦和側(cè)面泵浦。 2、詳細討論了YbYAG激光晶體的光學和物理特性。詳細討論了稀土離子的發(fā)光機制。 3、在半導(dǎo)體InGaAs激光激發(fā)YbYAG晶體的熒光中，有一組位于460～494 nm的可見熒光。上海人工YbYAG晶體品牌YbYAG晶體熱效率低、適合LD泵浦。

近衍射極限輸出大芯層尺寸YbYAG晶體波導(dǎo)激光器及確定芯層尺寸的方法，屬于激光技術(shù)領(lǐng)域.在晶體波導(dǎo)激光器的單模條件中，將模式競爭概念引入到晶體波導(dǎo)中增加單模輸出的芯徑的尺寸，得到大功率的單模輸出.首先利用晶體波導(dǎo)的二維模場分布情況下的模式競爭單模條件，計算得出芯層厚度上限可以增大到傳統(tǒng)計算結(jié)果的1.79倍。其次成功制備了截面單邊尺寸為330±10μm的長方形大芯徑Y(jié)bYAG晶體波導(dǎo)，選擇320μm×400μm，通過實驗驗證了模擬計算的方向性正確，同時證明了模式競爭在限模中起到的巨大作用，為得到近衍射極限輸出大芯層尺寸YbYAG晶體波導(dǎo)激光器提供了一種方法。

采用無膠鍵合(AFB)技術(shù)制備的晶體波導(dǎo)具有良好的模式限制作用。在考慮模式競爭的情況下，對晶體波導(dǎo)的單橫模條件進行計算，得出在芯層材料為原子數(shù)分數(shù)為1%的YbYAG，內(nèi)包層材料為原子數(shù)分數(shù)為0.5%的ErYAG中，芯層和內(nèi)包層的單橫模厚度范圍。計算結(jié)果表明芯層厚度上限可以增大為傳統(tǒng)計算結(jié)果的1.79倍，為同時實現(xiàn)大模場面積和單橫模輸出提供了理論支持。通過實驗制備出芯層尺寸為320μm×400μm的大芯層尺寸YbYAG晶體波導(dǎo)，并將該晶體波導(dǎo)作為增益介質(zhì)搭建了晶體波導(dǎo)激光器，得到了1030 nm激光輸出，其較高輸出功率為26W，斜率效率為31.5%，此時光束質(zhì)量因子為 Mx2=1。摻鐿釔鋁石榴石晶體是適合高平均功率和高光束質(zhì)量發(fā)射的激光材料。

一種YbYAG激光晶體的生長方法，所用的裝置為感應(yīng)加熱提拉式單晶爐，其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻，置于銥坩堝中，裝爐。單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫。下籽晶生長晶體。晶體生長完畢緩慢降溫至室溫，出爐。其特征在于所述單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫的具體過程包括單晶爐緩慢抽真空至8×10-3MP，充入純氮氣，至0.12MP壓力后開始升溫，至1500℃時觀察爐內(nèi)的壓力，根據(jù)爐內(nèi)的壓力再充入1～5％的氧氣，然后再升溫熔料。這里的關(guān)鍵是采用兩步充氣的方法，是基于銥坩堝在1500℃以下的高溫段會與氧氣起強烈的反應(yīng)，而超過這一溫度反應(yīng)則會在一定程度上。這樣充氣過程生長的晶體出爐后無色。YbYAG晶體具有量子效率高，無激發(fā)態(tài)吸收和上轉(zhuǎn)換。吉林人工YbYAG晶體型號

在低溫下，YbYAG晶體也具有非常豐富的吸收帶和發(fā)射帶。福建進口YbYAG晶體好不好

YbYAG晶體的熔點達1970℃，為一致熔融化合物，通常采用感應(yīng)加熱熔體提拉法生長：首先將待生長的晶體的原料放在耐高溫的坩堝中加熱直至熔化，調(diào)整爐內(nèi)溫度場，使熔體上部處于過冷狀態(tài)。然后在籽晶桿上安放所需籽晶，并讓籽晶接觸熔體表面。當籽晶表面稍熔后，慢慢向上提拉并轉(zhuǎn)動籽晶桿，提拉速率為0.5～1mm／h、轉(zhuǎn)速為8～12r／min。使熔體處于過冷狀態(tài)而結(jié)晶于籽晶上，生長出我們所需要的晶體。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。福建進口YbYAG晶體好不好

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