對(duì)于摻Ce3的無(wú)機(jī)閃爍晶體，高能射線作用下的閃爍機(jī)制一般認(rèn)為如下[16，17]:晶體吸收高能射線后，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的熱化電子空穴對(duì)。由于鈰元素的四階電離能是所有稀土元素中比較低的(如圖1-6所示)，晶體發(fā)光中心的Ce3離子首先俘獲一個(gè)空穴形成Ce4離子。然后一個(gè)電子被捕獲，變成Ce3。此時(shí)，電子和空穴被鈰離子重組。復(fù)合產(chǎn)生的能量將Ce3離子從4f基態(tài)激發(fā)到5d激發(fā)態(tài)，然后Ce3離子從5d激發(fā)態(tài)輻射弛豫到4f基態(tài)發(fā)光由于摻雜鈰離子的無(wú)機(jī)閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點(diǎn)。CeYAP晶體穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)和良好的探測(cè)性能，在核醫(yī)學(xué)，核防護(hù)等方面有著較廣的應(yīng)用前景。上?？蒲杏肅eYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)
Ce:YAP作為閃爍晶體的真正研究始于T. Takada等人[41](1980)和R. Autrata等人[42](1983)的提議以及YAP晶體作為掃描電鏡電子射線和紫外光子檢測(cè)的研究。1991年，Baryshevky等人用水平區(qū)熔法生長(zhǎng)了Ce:YAP閃爍晶體[43]，然后研究了不同方法生長(zhǎng)的Ce:YAP晶體的光學(xué)和閃爍性質(zhì)[20]。1995年，Tetsuhiko等人[44]總結(jié)并重新研究了Ce:YAP晶體的光學(xué)特性。此后，大量文獻(xiàn)[45-47]報(bào)道了Ce:YAP晶體的閃爍性質(zhì)和應(yīng)用，并對(duì)其閃爍機(jī)理進(jìn)行了大量深入的研究工作。由于Ce:YAP高溫閃爍晶體具有優(yōu)異的閃爍性能和獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)，因此Ce:YAP高溫閃爍晶體可廣泛應(yīng)用于相機(jī)、動(dòng)物PET、SEM等檢測(cè)領(lǐng)域[46][49-55]。湖北雙折射CeYAP晶體生產(chǎn)廠家獲得大尺寸(直徑為2英寸至3英寸)晶體的生長(zhǎng)工藝，使CeYAP晶體可應(yīng)用于更多的領(lǐng)域。
品質(zhì)優(yōu)的CeYAP晶體注意事項(xiàng)：研究了Ce:YAP晶體的自吸收機(jī)制。在實(shí)際應(yīng)用中，國(guó)產(chǎn)Ce: YAP晶體存在嚴(yán)重的自吸收問(wèn)題，直接影響晶體的發(fā)光效率。比較了鈰離子濃度、退火、輻照和雜質(zhì)對(duì)鈰： YAP晶體自吸收的影響。通過(guò)分析Ce: YAP晶體的自吸收機(jī)制，發(fā)現(xiàn)在YAP中存在一個(gè)Ce4離子的寬帶電荷轉(zhuǎn)移吸收峰，其半峰全寬接近100納米。結(jié)果表明，還原Ce4離子可以被Ce: YAP晶體的自吸收，Ce4離子可以明顯猝滅Ce3離子的發(fā)光。作為未摻雜晶體的ceF3具有本征發(fā)光，而另一方面，以Ce為基質(zhì)的晶體和以Ce為摻雜劑的晶體表現(xiàn)出與Ce3相同的5d4f躍遷發(fā)光。無(wú)機(jī)閃爍體中主要電子躍遷和發(fā)光中心的分類。
為了保護(hù)銥坩堝，減少銥金損耗，我們先將爐膛抽真空至氣壓約為10-3Pa，然后充高純氬氣或氬氫混合作為保護(hù)氣氛，爐內(nèi)氣壓約為0.025Mpa。開(kāi)中頻電源升溫至原料全部熔化，在此過(guò)程中打開(kāi)晶轉(zhuǎn)，以使?fàn)t內(nèi)溫度分布均勻。待原料全部熔化后，仔細(xì)觀察熔體液流狀態(tài)，準(zhǔn)備下種。條件允許情況下，可適當(dāng)提高爐內(nèi)溫度，使原料保持過(guò)熱狀態(tài)一段時(shí)間，通過(guò)自然對(duì)流使熔體進(jìn)一步混合均勻。下種前調(diào)整功率，使熔體溫度在晶體熔點(diǎn)附近(1875oC左右)，并保持恒溫，同時(shí)緩慢下降籽晶到液面附近。觀察液流線流動(dòng)情況，并在固液界面附件進(jìn)行烤種約30分鐘之后，將籽晶與熔體接觸，并連續(xù)觀察籽晶變化，使保持籽晶既不熔掉又不長(zhǎng)大半小時(shí)左右，并且光圈亮度保持穩(wěn)定。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的YAP晶體的孿晶習(xí)性很容易揭示。
對(duì)于摻Ce3的無(wú)機(jī)閃爍晶體，高能射線作用下的閃爍機(jī)制一般認(rèn)為如下:晶體吸收高能射線后，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的熱化電子空穴對(duì)。由于鈰元素的四階電離能是所有稀土元素中比較低的(如圖1-6所示)，晶體發(fā)光中心的Ce3離子首先俘獲一個(gè)空穴形成Ce4離子。然后一個(gè)電子被捕獲，變成Ce3。此時(shí)，電子和空穴被鈰離子重組。復(fù)合產(chǎn)生的能量將Ce3離子從4f基態(tài)激發(fā)到5d激發(fā)態(tài)，然后Ce3離子從5d激發(fā)態(tài)輻射弛豫到4f基態(tài)發(fā)光由于摻雜鈰離子的無(wú)機(jī)閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點(diǎn)。將Ce離子摻入Mn: YAP中來(lái)獲得三價(jià)Mn離子，Ce3+離子可以為Mn4+ 離子提供一個(gè)電子，使其變成三價(jià)。上海科研用CeYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)
CeYAP晶體在對(duì)閃爍晶體CeYAP的研究過(guò)程中 ，發(fā)現(xiàn)了YAP晶體的變色現(xiàn)象。上?？蒲杏肅eYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)
Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體的區(qū)別？無(wú)機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)理，閃爍體的本質(zhì)是在盡可能短的時(shí)間內(nèi)將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為可探測(cè)的可見(jiàn)光。高能射線與無(wú)機(jī)閃爍晶體的相互作用一般有三種方式：光電效應(yīng)、康普頓散射和正負(fù)電子對(duì)。在光電效應(yīng)中，一個(gè)離子吸收光子后，會(huì)從它的一個(gè)殼層發(fā)射光電子。光電子能量是光子能量和電子結(jié)合能之差。當(dāng)殼層中的空位被較高能量的電子填滿時(shí)，結(jié)合能將以X射線或俄電子的形式釋放出來(lái)。產(chǎn)生的X射線將在二次光電過(guò)程中被吸收，入射光的所有能量將被閃爍體吸收。 過(guò)渡金屬摻雜對(duì)YAP晶體透過(guò)邊有哪些影響？上?？蒲杏肅eYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)
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