在弱還原氣氛下生長的Ce:YAP晶體，發(fā)現(xiàn)自吸收得到有效緩解，2mm厚度晶體透過邊藍(lán)移近30nm，熒光激發(fā)的發(fā)光強(qiáng)度提高了50%以上。同時(shí)研究了還原氣氛生長對Ce:YAP晶體其他閃爍性能的影響。1．生長了不同價(jià)態(tài)離子摻雜的Ce:YAP晶體，以研究電荷補(bǔ)償效應(yīng)對Ce4+離子的作用。結(jié)果發(fā)現(xiàn)兩價(jià)離子對Ce:YAP晶體閃爍性能有很強(qiáng)的負(fù)面影響，四價(jià)離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。2．研究了Mn離子摻雜對Ce:YAP晶體性能的影響。發(fā)現(xiàn)YAP基質(zhì)中Ce，Mn之間存在明顯的能量轉(zhuǎn)移過程。由于存在Ce3+離子的非輻射躍遷，Ce,Mn:YAP的衰減時(shí)間的快慢成分均變?yōu)樵瓉淼囊话?，其中快成分?0ns左右，其小尺寸樣品可作為超快閃爍體應(yīng)用。Ce:YAP晶體的吸收光譜和熒光光譜受不同的生長方法和不同的后熱處理工藝的影響很大。CeYAP晶體發(fā)光波長為360－380nm，可與目前的光電接受裝置有效耦合。上海品質(zhì)CeYAP晶體哪家好

鈰釔鋁石榴石(TGT)閃爍晶體的缺陷及其對晶體發(fā)光性能和閃爍時(shí)間的影響。生長CeYAP晶體推薦貨源閃爍材料的發(fā)展歷史可以大致分為幾個(gè)階段？首先，用提拉法生長大尺寸Ce: YAP晶體，包括改進(jìn)生長設(shè)備和調(diào)整生長工藝。因?yàn)橐郧暗纳L工藝不適合生長大尺寸的Ce: YAP晶體，尤其是晶體形狀、肩部和等徑部分不能得到有效控制，影響晶體質(zhì)量。為了解決存在的問題，我們改進(jìn)了晶體生長爐的功率控制系統(tǒng)和重量傳感系統(tǒng)，重新設(shè)計(jì)了坩堝和保溫罩，并對溫度場過程進(jìn)行了適當(dāng)?shù)奶剿鳌？蒲杏肅eYAP晶體供應(yīng)研究表明，Ce4離子對Ce3離子發(fā)光有猝滅作用。

為了研究過渡金屬可能對Ce: YAP晶體性能的影響，我們生長了Mn 離子摻雜的Ce: YAP 晶體，并與Mn: YAP和Ce: YAP 晶體進(jìn)行了比較。選用Mn 離子一是由于Mn 對YAP 晶體的吸收譜影響很大；二是M. A. Noginov等人將Ce離子摻入Mn: YAP中來獲得三價(jià)Mn離子[113]，Ce3+離子可以為Mn4+ 離子提供一個(gè)電子，使其變成三價(jià)：Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+，正好研究Mn 對Ce離子價(jià)態(tài)變化的影響；而且Mn離子和Ce離子之間可能存在能量傳遞過程，對研究Ce: YAP晶體的閃爍性能會有一些參考作用。

無機(jī)閃爍晶體的性能表征？電子元器件是構(gòu)成電子信息系統(tǒng)的基本功能單元，是各種電子元件、器件、模塊、部件、組件的統(tǒng)稱，同時(shí)還涵蓋與上述電子元器件結(jié)構(gòu)與性能密切相關(guān)的封裝外殼、電子功能材料等?；仡欉^去一年國內(nèi)激光晶體，閃爍晶體，光學(xué)晶體，光學(xué)元件及生產(chǎn)加工產(chǎn)業(yè)運(yùn)行情況，上半年市場低迷、部分外資企業(yè)產(chǎn)線轉(zhuǎn)移、中小企業(yè)經(jīng)營困難，開工不足等都是顯而易見的消極影響。但隨著激光晶體，閃爍晶體，光學(xué)晶體，光學(xué)元件及生產(chǎn)加工產(chǎn)業(yè)受到相關(guān)部門高度重視、下游企業(yè)與元器件產(chǎn)業(yè)的黏性增強(qiáng)、下游 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景明朗等利好因素的驅(qū)使下，我國電子元器件行業(yè)下半年形勢逐漸好轉(zhuǎn)。隨著Ce3+ 離子濃度增加，CeYAP晶體的吸收邊發(fā)生紅移，造成了樣品的自吸收。

同濃度Ce: YAP的熒光光譜。在可見光(300納米)激發(fā)下，不同濃度Ce: YAP的熒光強(qiáng)度隨著濃度的增加而增加，直到0.5at%。當(dāng)濃度為1.0at%時(shí)，濃度淬滅，發(fā)光強(qiáng)度開始降低。相同厚度(5mm)的Ce: YAP晶體在X射線激發(fā)下的發(fā)光強(qiáng)度隨著濃度的增加先增大后減小，峰值位置也有紅移，其中0.3at%處的發(fā)光強(qiáng)度比較高。自吸收對光致發(fā)光幾乎沒有影響，因?yàn)榧ぐl(fā)和發(fā)射過程都發(fā)生在樣品表面。在高能射線的激發(fā)下，經(jīng)過多次電離過程，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的電子-空穴對，電子-空穴對將能量傳遞到發(fā)光中心，發(fā)光過程基本發(fā)生在晶體內(nèi)部。Ce 3的光致發(fā)光強(qiáng)度呈單指數(shù)形式衰減，室溫下其衰減常數(shù)約為16-18n。上海品質(zhì)CeYAP晶體哪家好

自20世紀(jì)80年代末和90年代初以來，國內(nèi)外對摻雜鈰離子的無機(jī)閃爍體進(jìn)行了大量的研究和探索。上海品質(zhì)CeYAP晶體哪家好

目前國內(nèi)生長的Ce: YAP晶體仍存在出光率低的問題，其機(jī)理應(yīng)該與自吸收有關(guān)，但尚未得到有效解決。為了比較不同退火條件下退火對自吸收的影響，我們測量了相同厚度(2mm)和濃度(0.3%)的Ce: YAP晶體在不同溫度和氣氛下退火后的透射光譜、熒光光譜和XEL光譜。從圖4-8可以看出，直拉法生長的Ce: YAP晶體經(jīng)氫退火后透射邊藍(lán)移，自吸收減弱。當(dāng)進(jìn)行氧退火時(shí)，通過邊緣紅移增強(qiáng)了自吸收。氫的退火溫度越高，自吸收越弱。氧的退火溫度越高，自吸收越強(qiáng)。然而，退火溫度的上限約為1600。如果溫度太高，晶體容易起霧，導(dǎo)致幾乎不滲透。上海品質(zhì)CeYAP晶體哪家好

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